上海電壓基準(zhǔn)源精密基準(zhǔn)源芯片潤(rùn)石芯片價(jià)格

    汽車(chē)電子動(dòng)力總成之板載充電器OBC介紹：板載充電器，是安裝于汽車(chē)上的一種電源設(shè)備，并配備氣體或液冷裝置，以實(shí)現(xiàn)不同功率水平下的熱管理。拓展：板載電源是什么？是指在電路板上構(gòu)建電源電路，或使用板載式的電源模塊，把電源系統(tǒng)集成到電路板上，與應(yīng)用電路同在一塊電路板上，直接上電即可工作，而不需外部電源轉(zhuǎn)換，也無(wú)需外接電源適配器。在壓差較大或電流較大的降壓電源中，可采用開(kāi)關(guān)電源，而慎用LDO。LDO是一種低壓差線性穩(wěn)壓器，因?yàn)長(zhǎng)DO的低壓差特性，以及其線性電源的特質(zhì)，在使用中可以得到較低的噪聲。并具有使用簡(jiǎn)單，成本低廉的特點(diǎn)，在單板上有較多的成熟應(yīng)用。LDO在使用時(shí)應(yīng)計(jì)算熱耗，并符合降額規(guī)范。采用線性電源時(shí)，電源功率須用線性電源輸入電壓與負(fù)載電流的乘積計(jì)算，而不能采用負(fù)載電壓與電流的乘積來(lái)計(jì)算。汽車(chē)電子：運(yùn)算放大器、比較器、模擬開(kāi)關(guān)、電壓基準(zhǔn)源、電平轉(zhuǎn)換器、邏輯芯片。 電動(dòng)汽車(chē)板載充電器OBC汽車(chē)電子國(guó)產(chǎn)替換。上海電壓基準(zhǔn)源精密基準(zhǔn)源芯片潤(rùn)石芯片價(jià)格

    國(guó)產(chǎn)電平轉(zhuǎn)換芯片江蘇潤(rùn)石RS020x系列介紹：常見(jiàn)接口和使用串行外設(shè)接口(SPI)--串行外設(shè)接口(SPI)可提供處理器與外設(shè)之間的同步通信。SPI是一種“控制器-外設(shè)”架構(gòu)的四線制通信接口,其中三條線路由控制器（通常是處理器）驅(qū)動(dòng),一條線路由外設(shè)（通常是外設(shè)）驅(qū)動(dòng)。控制器驅(qū)動(dòng)的一條信號(hào)線路是CLK,這是時(shí)鐘信號(hào)。對(duì)于每個(gè)時(shí)鐘脈沖,控制器可向外設(shè)發(fā)送或從外設(shè)接收一個(gè)位。數(shù)據(jù)速率通常為10Mbps,但可根據(jù)需要在系統(tǒng)中進(jìn)行擴(kuò)展。SPI是全雙工協(xié)議,需兩條數(shù)據(jù)線路：COPI和CIPO。COPI控制器輸出外設(shè)輸入,由控制器驅(qū)動(dòng)向外設(shè)發(fā)送數(shù)據(jù)。CIPO控制器輸入外設(shè)輸出,由外設(shè)驅(qū)動(dòng)向控制器發(fā)送數(shù)據(jù)。線路是CS是外設(shè)選擇信號(hào),由控制器驅(qū)動(dòng)為低電平以選擇外設(shè)進(jìn)行通信。一個(gè)系統(tǒng)中可能存在多個(gè)外設(shè),這可確保與所需的外設(shè)進(jìn)行通信,防止可能出現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)總線爭(zhēng)用。SPI常用于：（1）控制信號(hào)。（2）傳感器。（3）存儲(chǔ)器。（4）LCD顯示屏。（5）SD卡。在電壓不匹配時(shí)可用電平轉(zhuǎn)換器。RS020x系列是轉(zhuǎn)換SPI中使用的所有四條線路的理想解決方案。RS020x系列比較可支持100Mbps。國(guó)產(chǎn)電平轉(zhuǎn)換芯片-江蘇潤(rùn)石RS8T245替換TI-SN74xxxx8T245；Nexperia-74AVC8T245，74AVCH8T245；ON-74LVX4245，74LVX3245。 廣州智能家居系統(tǒng)芯片潤(rùn)石芯片原廠技術(shù)支持電動(dòng)汽車(chē)電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向EPS汽車(chē)電子國(guó)產(chǎn)替換。

    國(guó)產(chǎn)電平轉(zhuǎn)換芯片介紹：常見(jiàn)接口和使用江蘇潤(rùn)石RS020x/RSxTx45系列實(shí)現(xiàn)--1、通用輸入輸出口（GPIO）：所有微處理器都具有用于與外設(shè)進(jìn)行通信的通用輸入輸出(GPIO)端口。然而，內(nèi)核和外設(shè)芯片可能在不同的電壓電平下工作，這就是系統(tǒng)需要電平轉(zhuǎn)換器的原因。如果所需的信號(hào)沒(méi)有轉(zhuǎn)入微處理器的工作電壓，就會(huì)影響通信的可靠性。RS1T45可作為I/O電路的一部分來(lái)實(shí)現(xiàn)，尤其是在單通道信號(hào)（例如控制輸入）中。RS1T45為電壓轉(zhuǎn)換I/O引腳提供了解決方案，例如以下引腳：（1）使能。（2）重啟。（3）時(shí)鐘緩沖。（4）電源正常狀態(tài)。(5）錯(cuò)誤標(biāo)志。(6）復(fù)位。(7）存儲(chǔ)器錯(cuò)誤。(8）處理器過(guò)熱。國(guó)產(chǎn)電平轉(zhuǎn)換芯片-江蘇潤(rùn)石RS0302替換TI-PCA9306；Nexperia-NCA9306；ON-FXWA9306，NLA9306，PCA9306。汽車(chē)電子.電平轉(zhuǎn)換,運(yùn)放,比較器,模擬開(kāi)關(guān),電壓基準(zhǔn)源。

    汽車(chē)電控的幾種應(yīng)用:汽車(chē)電控即汽車(chē)電子控制系統(tǒng),由傳感器、驅(qū)動(dòng)器、控制器、控制程序等組成,與機(jī)械配合使用,并用電纜或電波傳送信號(hào)。隨著汽車(chē)電子芯片、汽車(chē)電子晶體管、單片機(jī)和信息技術(shù)的應(yīng)用,汽車(chē)電控技術(shù)的精度、范圍和智能化、網(wǎng)絡(luò)化不斷突破,已成為衡量現(xiàn)代汽車(chē)發(fā)展水平的重要標(biāo)志。1、電控點(diǎn)火：由微處理器、單片機(jī)、傳感器、執(zhí)行器等構(gòu)成。對(duì)傳感器采集的發(fā)動(dòng)機(jī)參數(shù)進(jìn)行運(yùn)算判斷,調(diào)節(jié)點(diǎn)火時(shí)刻,使發(fā)動(dòng)機(jī)在不同轉(zhuǎn)速和進(jìn)氣量等條件下,保持優(yōu)化工況,輸出比較大的功率和轉(zhuǎn)矩,并節(jié)能減排。2、發(fā)動(dòng)機(jī)電控系統(tǒng)：通過(guò)對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火、噴油、油氣比例、排放等進(jìn)行電控,使發(fā)動(dòng)機(jī)始終在比較好工況中工作,以提高其整車(chē)性能,并實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排。3、電控噴油：根據(jù)實(shí)驗(yàn)得到的各種情況下發(fā)動(dòng)機(jī)比較好工況數(shù)據(jù),對(duì)汽車(chē)電子單片機(jī)進(jìn)行編程。發(fā)動(dòng)機(jī)工作中根據(jù)傳感器采集的空氣流量、進(jìn)氣溫度、發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速等各種參數(shù),與供油控制參數(shù)進(jìn)行比較判斷,優(yōu)化調(diào)控供油量,使發(fā)動(dòng)機(jī)的綜合性能得到提高。4、廢氣再循環(huán)控制：用于降低廢氣中氧化氮排放,主器件是數(shù)控式EGR閥(廢氣再循環(huán)閥)。 雙向電平轉(zhuǎn)換芯片江蘇潤(rùn)石電平轉(zhuǎn)換芯片國(guó)產(chǎn)替代。

    國(guó)產(chǎn)汽車(chē)電子元器件通過(guò)AEC-Q100Grade1認(rèn)證：潤(rùn)石運(yùn)算放大器RS722P/RS724/RS721P、電平轉(zhuǎn)換RS8T245、邏輯芯片RS1G08通過(guò)車(chē)用IC可靠度AEC-Q100Grade1認(rèn)證。上述型號(hào)通過(guò)了環(huán)境應(yīng)力加速驗(yàn)證、壽命加速模擬驗(yàn)證、封裝驗(yàn)證、芯片制造可靠性驗(yàn)證、電性驗(yàn)證、失效篩選驗(yàn)證等系列車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證測(cè)試。此次通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)的模擬芯片RS722P/RS724/RS721P/RS1G08/RS8T245,在生產(chǎn)制造質(zhì)量體系上符合IATF16949標(biāo)準(zhǔn),產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100Grade1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,且達(dá)到MSL1濕敏等級(jí),并可提供全套交付件與DPA報(bào)告；適用于汽車(chē)電子的動(dòng)力域、車(chē)身域、座艙域,并能P2P兼容市場(chǎng)主流歐美車(chē)規(guī)級(jí)芯片。汽車(chē)電子對(duì)模擬芯片等電子元器件可靠性要求極高；潤(rùn)石采用與國(guó)際頭部車(chē)規(guī)級(jí)芯片同等水準(zhǔn)的材料、制程、工藝,選取擁有IATF16949資質(zhì)、晶圓制程通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證,且有實(shí)際車(chē)規(guī)量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的晶圓廠,國(guó)際Tier1車(chē)規(guī)級(jí)芯片量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的封測(cè)廠如日月新、通富微電合作；開(kāi)發(fā)并導(dǎo)入符合AEC-Q100Grade1車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品,并由單獨(dú)第三方實(shí)驗(yàn)室做車(chē)規(guī)AEC-Q100認(rèn)證。2023年潤(rùn)石科技將為汽車(chē)電子市場(chǎng)提供更多高性能車(chē)規(guī)芯片。 電動(dòng)汽車(chē)電池管理系統(tǒng)BMS汽車(chē)電子國(guó)產(chǎn)替換。佛山車(chē)輛控制單元VCU芯片潤(rùn)石芯片原廠技術(shù)支持

紅外白板解決方案國(guó)產(chǎn)芯片替換。上海電壓基準(zhǔn)源精密基準(zhǔn)源芯片潤(rùn)石芯片價(jià)格

    汽車(chē)電子之高性能碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管新工藝：碳化硅（SiC）是電力電子中重要的半導(dǎo)體材料之一，在汽車(chē)電子、電力等領(lǐng)域廣為應(yīng)用。SiCMOSFET的技術(shù)瓶頸是其柵氧層界面質(zhì)量差導(dǎo)致溝道遷移率低。現(xiàn)國(guó)內(nèi)科研團(tuán)隊(duì)提出一種用低溫超臨界二氧化碳，或超臨界一氧化二氮流體的低溫退火工藝。以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的質(zhì)量。通過(guò)增壓，二氧化碳和一氧化二氮在接近室溫時(shí)更容易進(jìn)入超臨界流體狀態(tài)。SCF態(tài)是物質(zhì)的一種特殊相，它具有氣體一樣的高滲能力和液體一樣的高溶度，幾無(wú)表面張力。因此可將SCCO2或SCN2O流體引入界面來(lái)減小陷阱，而不會(huì)造成新的損傷。該研究成果不僅實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量SiO2/SiC界面、高的溝道遷移率和介電可靠性，更可喜的是，其高效低溫退火工藝與標(biāo)準(zhǔn)SiCMOSFET制造工藝兼容，為制備高性能SiCMOSFET器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件和汽車(chē)電子器件的制備。上述研究成果論文在第67屆電氣電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）國(guó)際電子器件會(huì)議上發(fā)表。獲國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金等支持。 上海電壓基準(zhǔn)源精密基準(zhǔn)源芯片潤(rùn)石芯片價(jià)格