河南DDR一致性測(cè)試銷售價(jià)格

在實(shí)際探測(cè)時(shí)，對(duì)于DDR的CLK和DQS,由于通常是差分的信號(hào)(DDR1和DDR2的 DQS還是單端信號(hào)，DDR3以后的DQS就是差分的了),所以 一般用差分探頭測(cè)試。DQ信 號(hào)是單端信號(hào)，所以用差分或者單端探頭測(cè)試都可以。另外，DQ信號(hào)的數(shù)量很多，雖然逐 個(gè)測(cè)試是嚴(yán)格的方法，但花費(fèi)時(shí)間較多，所以有時(shí)用戶會(huì)選擇一些有代表性的信號(hào)進(jìn)行測(cè) 試，比如選擇走線長(zhǎng)度長(zhǎng)、短、中間長(zhǎng)度的DQ信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。

還有些用戶想在溫箱里對(duì)DDR信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試，比如希望的環(huán)境溫度變化范圍為-40～85℃,這對(duì)于使用的示波器探頭也是個(gè)挑戰(zhàn)。 一般示波器的探頭都只能在室溫下工 作，在極端的溫度條件下探頭可能會(huì)被損壞。如果要在溫箱里對(duì)信號(hào)進(jìn)行測(cè)試，需要選擇一 些特殊的能承受高溫的探頭。比如一些特殊的差分探頭通過(guò)延長(zhǎng)電纜可以在-55～150℃ 的溫度范圍提供12GHz的測(cè)量帶寬；還有一些寬溫度范圍的單端有源探頭，可以在-40~ 85℃的溫度范圍內(nèi)提供1.5GHz的測(cè)量帶寬。 DDR、DDR2、DDR3、DDR4都有什么區(qū)別？河南DDR一致性測(cè)試銷售價(jià)格

大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)是一樣的。海南電氣性能測(cè)試DDR一致性測(cè)試DDR4 和 LPDDR4 合規(guī)性測(cè)試軟件。

對(duì)DDR5來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過(guò)應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于 DDR5顆?；駾IMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證，比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄 生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4taps DFE(4抽頭 判決反饋均衡)等。

DDR的讀寫信號(hào)分離

對(duì)于DDR總線來(lái)說(shuō)，真實(shí)總線上總是讀寫同時(shí)存在的。規(guī)范對(duì)于讀時(shí)序和寫時(shí)序的 相關(guān)時(shí)間參數(shù)要求是不一樣的，讀信號(hào)的測(cè)量要參考讀時(shí)序的要求，寫信號(hào)的測(cè)量要參考寫 時(shí)序的要求。因此要進(jìn)行DDR信號(hào)的測(cè)試，第一步要做的是從真實(shí)工作的總線上把感興 趣的讀信號(hào)或者寫信號(hào)分離出來(lái)。JEDEC協(xié)會(huì)規(guī)定的DDR4總線的 一個(gè)工作時(shí) 序圖(參考資料： JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到對(duì)于讀和寫信 號(hào)來(lái)說(shuō)，DQS和DQ間的時(shí)序關(guān)系是不一樣的。

DDR總線概覽

從測(cè)試角度看，因?yàn)镈QS和DQ都是三態(tài)信 號(hào)，在PCB走線上雙向傳輸。在讀操作時(shí)，DQS信號(hào)的邊沿在時(shí)序上與DQ的信號(hào)邊沿處對(duì) 齊，而在寫操作時(shí)，DQS信號(hào)的邊沿在時(shí)序上與DQ信號(hào)的中心處對(duì)齊，參考圖7-132,這給 測(cè)試驗(yàn)證帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)：把讀信號(hào)與寫信號(hào)分開(kāi)是非常困難的！

址/命令總線是時(shí)鐘的上升沿有效，其中，命令由/CS （片選）、/RAS、 /CAS、/WE （寫使能）決定，比如讀命令為L(zhǎng)HLH,寫命令為L(zhǎng)HLL等。操作命令有很多， 主要是 NOP （空操作）、Active （）、Write> Read^ Precharge （Bank 關(guān)閉）、Auto Refresh 或Self Refresh （自動(dòng)刷新或自刷新）等（詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)參考《Jedec規(guī)范JESD79）））。數(shù)據(jù)總 線由DQS的上升沿和下降沿判斷數(shù)據(jù)DQ的0與1。

DDR總線PCB走線多，速度快，時(shí)序和操作命令復(fù)雜，很容易出現(xiàn)失效問(wèn)題，為此我 們經(jīng)常用示波器進(jìn)行DDR總線的信號(hào)完整性測(cè)試和分析。通常的測(cè)試內(nèi)容包括：時(shí)鐘總線的 信號(hào)完整性測(cè)試分析；地址、命令總線的信號(hào)完整性測(cè)試分析；數(shù)據(jù)總線的信號(hào)完整性測(cè)試 分析。下面從這三個(gè)方面分別討論DDR總線的信號(hào)完整性測(cè)試和分析技術(shù)。 DDR DDR2 DDR3 DDR4 和 DDR5 內(nèi)存帶寬；

相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè)，ApplicationNote:在這個(gè)文檔中，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊(cè)的一部分出現(xiàn)在器件手冊(cè)文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。

參考設(shè)計(jì)，ReferenceDesiqn:對(duì)于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì)，以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。

IBIS 文件:這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過(guò)。 DDR-致性測(cè)試探測(cè)和夾具；河南DDR一致性測(cè)試銷售價(jià)格

DDR4/LPDDR4 一致性測(cè)試；河南DDR一致性測(cè)試銷售價(jià)格

DDR總線上需要測(cè)試的參數(shù)高達(dá)上百個(gè)，而且還需要根據(jù)信號(hào)斜率進(jìn)行復(fù)雜的查表修 正。為了提高DDR信號(hào)質(zhì)量測(cè)試的效率，比較好使用御用的測(cè)試軟件進(jìn)行測(cè)試。使用自動(dòng) 測(cè)試軟件的優(yōu)點(diǎn)是：自動(dòng)化的設(shè)置向?qū)П苊膺B接和設(shè)置錯(cuò)誤；優(yōu)化的算法可以減少測(cè)試時(shí) 間；可以測(cè)試JEDEC規(guī)定的速率，也可以測(cè)試用戶自定義的數(shù)據(jù)速率；自動(dòng)讀/寫分離技 術(shù)簡(jiǎn)化了測(cè)試操作；能夠多次測(cè)量并給出一個(gè)統(tǒng)計(jì)的結(jié)果；能夠根據(jù)信號(hào)斜率自動(dòng)計(jì)算建 立/保持時(shí)間的修正值。河南DDR一致性測(cè)試銷售價(jià)格