校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試熱線

每個(gè)DDR芯片獨(dú)享DOS，DM信號(hào);四片DDR芯片共享RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號(hào)。

DDR工作頻率為133MHz。

DDR 控制器選用Xilinx公司的 FPGA，型號(hào)為XC2VP30 6FF1152C

得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后，我們首先要進(jìn)行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來(lái)講，對(duì)于經(jīng)過(guò)選型的器件，為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)，需要有如下資料。

器件數(shù)據(jù)手冊(cè)Datasheet:這個(gè)是必須要有的。如果沒(méi)有器件手冊(cè)，是沒(méi)有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的(一般經(jīng)過(guò)選型的器件，設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊(cè))。 完整的 DDR4調(diào)試、分析和一致性測(cè)試.校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試熱線

工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification:如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開(kāi)始設(shè)計(jì)。

因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的DDR模塊，需要技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計(jì)DDR存諸模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解DDR規(guī)范。通過(guò)對(duì)DDR規(guī)范文件JEDEC79R]的閱讀，我們了解到，設(shè)計(jì)一個(gè)DDR接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的DC，AC特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來(lái)解讀，如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試熱線擴(kuò)展 DDR4 和 LPDDR4 合規(guī)性測(cè)試軟件的功能。

按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。

DDR的信號(hào)仿真驗(yàn)證

由于DDR芯片都是采用BGA封裝，密度很高，且分叉、反射非常嚴(yán)重，因此前期的仿 真是非常必要的。借助仿真軟件中專門針對(duì)DDR的仿真模型庫(kù)仿真出的通道損 耗以及信號(hào)波形。

仿真出信號(hào)波形以后，許多用戶需要快速驗(yàn)證仿真出來(lái)的波形是否符合DDR相關(guān)規(guī) 范要求。這時(shí)，可以把軟件仿真出的DDR的時(shí)域波形導(dǎo)入到示波器中的DDR測(cè)試軟件中 ,并生成相應(yīng)的一致性測(cè)試報(bào)告，這樣可以保證仿真和測(cè)試分析方法的一致，并且 便于在仿真階段就發(fā)現(xiàn)可能的信號(hào)違規(guī) DDR 設(shè)計(jì)可分為四個(gè)方面：仿真、互連設(shè)計(jì)、有源信號(hào)驗(yàn)證和功能測(cè)試。

在實(shí)際探測(cè)時(shí)，對(duì)于DDR的CLK和DQS,由于通常是差分的信號(hào)(DDR1和DDR2的 DQS還是單端信號(hào)，DDR3以后的DQS就是差分的了),所以 一般用差分探頭測(cè)試。DQ信 號(hào)是單端信號(hào)，所以用差分或者單端探頭測(cè)試都可以。另外，DQ信號(hào)的數(shù)量很多，雖然逐 個(gè)測(cè)試是嚴(yán)格的方法，但花費(fèi)時(shí)間較多，所以有時(shí)用戶會(huì)選擇一些有代表性的信號(hào)進(jìn)行測(cè) 試，比如選擇走線長(zhǎng)度長(zhǎng)、短、中間長(zhǎng)度的DQ信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。

還有些用戶想在溫箱里對(duì)DDR信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試，比如希望的環(huán)境溫度變化范圍為-40～85℃,這對(duì)于使用的示波器探頭也是個(gè)挑戰(zhàn)。 一般示波器的探頭都只能在室溫下工 作，在極端的溫度條件下探頭可能會(huì)被損壞。如果要在溫箱里對(duì)信號(hào)進(jìn)行測(cè)試，需要選擇一 些特殊的能承受高溫的探頭。比如一些特殊的差分探頭通過(guò)延長(zhǎng)電纜可以在-55～150℃ 的溫度范圍提供12GHz的測(cè)量帶寬；還有一些寬溫度范圍的單端有源探頭，可以在-40~ 85℃的溫度范圍內(nèi)提供1.5GHz的測(cè)量帶寬。 什么是DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5;校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試熱線

快速 DDR4協(xié)議解碼功能.校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試熱線

DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3 . 0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過(guò)很多高速的串行總線 由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣 信 號(hào) 下 的 表 現(xiàn) 。 對(duì) 于 D D R 來(lái) 說(shuō) ， D D R 4 及 之 前 的 總 線 接 收 端 還 相 對(duì) 比 較 簡(jiǎn) 單 ， 只 是 做 一 些 匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5 . 19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也 開(kāi) 始 采 用 很 多 高 速 串 行 總 線 中 使 用 的 可 變 增 益 調(diào) 整 以 及 均 衡 器 技 術(shù) ， 這 也 使 得 D D R 5 測(cè) 試 中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試熱線