黑龍江數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試

4.為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形，可以提高測(cè)試效率。5.為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提出技術(shù)方案：6.一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào)；8.s2，根據(jù)標(biāo)志信號(hào)對(duì)示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號(hào)進(jìn)行讀寫信號(hào)分離；9.s3，利用示波器對(duì)分離后的讀寫信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。10.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào)，具體包括：11.將示波器與ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)引腳進(jìn)行信號(hào)連接；12.將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)；13.利用示波器對(duì)ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)進(jìn)行采集并根據(jù)相關(guān)信號(hào)的波形確定標(biāo)志信號(hào)。DDR3規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立；黑龍江數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試

DDR測(cè)試

DDRDIMM內(nèi)存條測(cè)試處理內(nèi)存條測(cè)試儀重要的部分是自動(dòng)處理機(jī)。處理機(jī)一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時(shí)，2英寸長(zhǎng)的連接器將會(huì)造成測(cè)試信號(hào)極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機(jī)面市了。它采用普通手動(dòng)測(cè)試儀的插槽。測(cè)試儀可以模擬手動(dòng)插入，平穩(wěn)地插入待測(cè)內(nèi)存條的插槽；一旦測(cè)試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 通信DDR測(cè)試服務(wù)熱線DDR4規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立；

DDR測(cè)試

制定DDR內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)按照J(rèn)EDEC組織的定義，DDR4的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng)達(dá)到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之前，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn)。但是從LPDDR4開(kāi)始，由于高性能移動(dòng)終端的發(fā)展，LPDDR4的速率開(kāi)始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，并于2020年在的移動(dòng)終端上開(kāi)始使用。DDR5的規(guī)范(JESD79-5)于2020年發(fā)布，并在2021年開(kāi)始配合Intel等公司的新一代服務(wù)器平臺(tái)走向商

7.時(shí)序?qū)τ跁r(shí)序的計(jì)算和分析在一些相關(guān)文獻(xiàn)里有詳細(xì)的介紹，下面列出需要設(shè)置和分析的8個(gè)方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個(gè)針對(duì)寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲(chǔ)器廠家獲取，段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對(duì)于DDR2上面所有的8項(xiàng)都是需要分析的，而對(duì)于DDR3，5項(xiàng)和6項(xiàng)不需要考慮。在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，長(zhǎng)度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 DDR有那些測(cè)試解決方案；

如何測(cè)試DDR？

DDR測(cè)試有具有不同要求的兩個(gè)方面：芯片級(jí)測(cè)試DDR芯片測(cè)試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測(cè)試儀通常是內(nèi)存自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，其價(jià)值一般在數(shù)百萬(wàn)美元以上。測(cè)試儀的部分是一臺(tái)可編程的高分辨信號(hào)發(fā)生器。測(cè)試工程師通過(guò)編程來(lái)模擬實(shí)際工作環(huán)境；另外，他也可以對(duì)計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來(lái)尋找平衡點(diǎn)。自動(dòng)測(cè)試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此，測(cè)試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會(huì)很快被消耗殆盡。為此，要保證一定的測(cè)試分辨率，就必須增大測(cè)試儀的內(nèi)存。建立測(cè)試頭也是一個(gè)棘手的問(wèn)題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns，所以管腳驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換，需要較好的管腳驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時(shí)，開(kāi)始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)時(shí)必須遵循直線律。為保證信號(hào)的統(tǒng)一性，必須對(duì)測(cè)試頭布局進(jìn)行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號(hào)反射。 DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容有那些；數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試保養(yǎng)

什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試？黑龍江數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來(lái)智能手機(jī)、智能電視、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌，人們對(duì)容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場(chǎng)的需求和技術(shù)的升級(jí)推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了，但市場(chǎng)上對(duì)經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測(cè)試痛點(diǎn)測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測(cè)和驗(yàn)證突發(fā)的讀寫脈沖信號(hào)；配置測(cè)試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測(cè)試。黑龍江數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試