北京PCI-E測試DDR一致性測試

來源: 發(fā)布時間:2024-03-05

通常我們會以時鐘為基準(zhǔn)對數(shù)據(jù)信號疊加形成眼圖,但這種簡單的方法對于DDR信 號不太適用。DDR總線上信號的讀、寫和三態(tài)都混在一起,因此需要對信號進(jìn)行分離后再進(jìn) 行測量分析。傳統(tǒng)上有以下幾種方法用來進(jìn)行讀/寫信號的分離,但都存在一定的缺點(diǎn)。

(1)根據(jù)讀/寫Preamble的寬度不同進(jìn)行分離(針對DDR2信號)。Preamble是每個Burst的數(shù)據(jù)傳輸開始前,DQS信號從高阻態(tài)到發(fā)出有效的鎖存邊沿前的  一段準(zhǔn)備時間,有些芯片的讀時序和寫時序的Preamble的寬度可能是不一樣的,因此可以  用示波器的脈沖寬度觸發(fā)功能進(jìn)行分離。但由于JEDEC并沒有嚴(yán)格規(guī)定寫時序的  Preamble寬度的上限,因此如果芯片的讀/寫時序的Preamble的寬度接近則不能進(jìn)行分  離。另外,對于DDR3來說,讀時序的Preamble可能是正電平也可能是負(fù)電平;對于  DDR4來說,讀/寫時序的Preamble幾乎一樣,這都使得觸發(fā)更加難以設(shè)置。 DDR2 3 4物理層一致性測試;北京PCI-E測試DDR一致性測試

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RDIMM(RegisteredDIMM,寄存器式雙列直插內(nèi)存)有額外的RCD(寄存器時鐘驅(qū)動器,用來緩存來自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制信號等)用于改善信號質(zhì)量,但額外寄存器的引入使得其延時和功耗較大。LRDIMM(LoadReducedDIMM,減載式雙列直插內(nèi)存)有額外的MB(內(nèi)存緩沖,緩沖來自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制等),在技術(shù)實(shí)現(xiàn)上并未使用復(fù)雜寄存器,只是通過簡單緩沖降低內(nèi)存總線負(fù)載。RDIMM和LRDIMM通常應(yīng)用在高性能、大容量的計(jì)算系統(tǒng)中。

綜上可見,DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢是速率更高、封裝更密、工作電壓更低、信號調(diào)理技術(shù) 更復(fù)雜,這些都對設(shè)計(jì)和測試提出了更高的要求。為了從仿真、測試到功能測試階段保證DDR信號的波形質(zhì)量和時序裕量,需要更復(fù)雜、更的仿真、測試和分析工具。


北京PCI-E測試DDR一致性測試DDR DDR2 DDR3 DDR4 和 DDR5 內(nèi)存帶寬;

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DDR簡介與信號和協(xié)議測試

DDR/LPDDR簡介

目前在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中,存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩 種: 一種是非易失性的,即掉電不會丟失數(shù)據(jù),常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-Only Memory),這種存儲器速度較慢,主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數(shù)據(jù)信息等;另 一種是易失性的,即掉電會丟失數(shù)據(jù),常用的有RAM(Random Access Memory,隨機(jī)存儲 器),這種存儲器運(yùn)行速度較快,主要用于程序運(yùn)行時的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市 面上一些主流存儲器類型的劃分。

對于嵌入式應(yīng)用的DDR的協(xié)議測試, 一般是DDR顆粒直接焊接在PCB板上,測試可 以選擇針對邏輯分析儀設(shè)計(jì)的BGA探頭。也可以設(shè)計(jì)時事先在板上留測試點(diǎn),把被測信 號引到一些按一定規(guī)則排列的焊盤上,再通過相應(yīng)探頭的排針頂在焊盤上進(jìn)行測試。

協(xié)議測試也可以和信號質(zhì)量測試、電源測試結(jié)合起來,以定位由于信號質(zhì)量或電源問題 造成的數(shù)據(jù)錯誤。圖5.23是一個LPDDR4的調(diào)試環(huán)境,測試中用邏輯分析儀觀察總線上 的數(shù)據(jù),同時用示波器檢測電源上的紋波和瞬態(tài)變化,通過把總線解碼的數(shù)據(jù)和電源瞬態(tài)變 化波形做時間上的相關(guān)和同步觸發(fā),可以定位由于電源變化造成的總線讀/寫錯誤問題。 DDR3信號質(zhì)量測試,信號一致性測試。

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由于DDR5工作時鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小,因此信號的 隨機(jī)和確定性抖動對于數(shù)據(jù)的正確傳輸至關(guān)重要,需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引 入的PJ、傳輸通道損耗帶來的DJ等影響。DDR5的測試項(xiàng)目比DDR4也更加復(fù)雜。比如 其新增了nUI抖動測試項(xiàng)目,并且需要像很多高速串行總線一樣對抖動進(jìn)行分解并評估 RJ、DJ等不同分量的影響。另外,由于高速的DDR5芯片內(nèi)部都有均衡器芯片,因此實(shí)際 進(jìn)行信號波形測試時也需要考慮模擬均衡器對信號的影響。圖5.16展示了典型的DDR5 和LPDDR5測試軟件的使用界面和一部分測試結(jié)果。DDR總線一致性測試對示波器帶寬的要求;黑龍江DDR一致性測試修理

用于 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 調(diào)試和驗(yàn)證的總線解碼器。北京PCI-E測試DDR一致性測試

如果PCB的密度較高,有可能期望測量的引腳附近根本找不到合適的過孔(比如采用雙面BGA貼裝或采用盲埋孔的PCB設(shè)計(jì)時),這時就需要有合適的手段把關(guān)心的BGA引腳上的信號盡可能無失真地引出來。為了解決這種探測的難題,可以使用一種專門的BGAInterposer(BGA芯片轉(zhuǎn)接板,有時也稱為BGA探頭)。這是一個專門設(shè)計(jì)的適配器,使用時要把適配器焊接在DDR的內(nèi)存顆粒和PCB板中間,并通過轉(zhuǎn)接板周邊的焊盤把被測信號引出。BGA轉(zhuǎn)接板內(nèi)部有專門的埋阻電路設(shè)計(jì),以盡可能減小信號分叉對信號的影響。一個DDR的BGA探頭的典型使用場景。北京PCI-E測試DDR一致性測試