自動(dòng)化DDR一致性測(cè)試規(guī)格尺寸

DDR規(guī)范沒有定義模板，這給用眼圖方式分析信號(hào)時(shí)判斷信號(hào)是否滿足規(guī)范要求帶來挑戰(zhàn)。有基于JEDEC規(guī)范定義的，ds、，dh、-H(ac)min和rIL(ac)max參數(shù),得出的DDR2533寫眼圖的模板，中間的區(qū)域就是模板，中間的線是DQS的有效邊沿即有效的上升沿或下降沿。嚴(yán)格按規(guī)范來說的話，中間的模板應(yīng)該定義為橫著的梯形，因?yàn)楸３謺r(shí)間是相對(duì)于DC參數(shù)的，不過用長(zhǎng)方形可以定義一個(gè)更嚴(yán)格的參數(shù)要求。

DDR總線一致性測(cè)試對(duì)示波器帶寬的要求

因?yàn)镴edec規(guī)范沒有給岀DDR具體的快的上升、下降時(shí)間，通過預(yù)估的方式可以得岀 快的邊沿時(shí)間，但是往往比實(shí)際要快，是基于實(shí)際PCB板材的情況得出的結(jié)果，有 了這個(gè)結(jié)果可計(jì)算出需要的示波器帶寬。 DDR、DDR2、DDR3、DDR4都有什么區(qū)別？自動(dòng)化DDR一致性測(cè)試規(guī)格尺寸

通常測(cè)量眼圖很有效的一種方法就是使用示波器的眼圖測(cè)量功能，即用時(shí)鐘做觸發(fā)對(duì)數(shù) 據(jù)信號(hào)進(jìn)行累積，看累積結(jié)果的差情況是否在可以容許的范圍內(nèi)。但遺憾的是，想用這種 方法直接測(cè)量DDR的信號(hào)質(zhì)量非常困難，因?yàn)镈DR信號(hào)讀寫時(shí)序是不一樣的。

可以看到，寫數(shù)據(jù)(DQ)的跳變位置對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)(DQS)的中心，而 讀數(shù)據(jù)的跳變位置卻對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)的邊沿，而且在總線上還有三態(tài)，因此如果直接用DQS 觸發(fā)對(duì)DQ累積進(jìn)行眼圖測(cè)量的話，會(huì)得到的結(jié)果。 浙江數(shù)字信號(hào)DDR一致性測(cè)試DDR4參數(shù)測(cè)試參考解決方案.

由于DDR4的數(shù)據(jù)速率會(huì)達(dá)到3.2GT/s以上，DDR5的數(shù)據(jù)速率更高，所以對(duì)邏輯分析儀的要求也要很高，需要狀態(tài)采樣時(shí)鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps 以上的數(shù)據(jù)速率。基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協(xié)議測(cè)試系統(tǒng)。圖中是通過 DIMM條的適配器夾具把上百路信號(hào)引到邏輯分析儀，相應(yīng)的適配器要經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試，確 保在其標(biāo)稱的速率下不會(huì)因?yàn)樾盘?hào)質(zhì)量問題對(duì)協(xié)議測(cè)試結(jié)果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號(hào)的采集和分析。

DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3 . 0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過很多高速的串行總線 由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣 信 號(hào) 下 的 表 現(xiàn) 。 對(duì) 于 D D R 來 說 ， D D R 4 及 之 前 的 總 線 接 收 端 還 相 對(duì) 比 較 簡(jiǎn) 單 ， 只 是 做 一 些 匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5 . 19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也 開 始 采 用 很 多 高 速 串 行 總 線 中 使 用 的 可 變 增 益 調(diào) 整 以 及 均 衡 器 技 術(shù) ， 這 也 使 得 D D R 5 測(cè) 試 中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 DDR5 一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。

工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification:如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計(jì)。

因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的DDR模塊，需要技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計(jì)DDR存諸模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解DDR規(guī)范。通過對(duì)DDR規(guī)范文件JEDEC79R]的閱讀，我們了解到，設(shè)計(jì)一個(gè)DDR接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的DC，AC特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來解讀，如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 擴(kuò)展 DDR4 和 LPDDR4 合規(guī)性測(cè)試軟件的功能。陜西DDR一致性測(cè)試商家

DDR 設(shè)計(jì)可分為四個(gè)方面：仿真、互連設(shè)計(jì)、有源信號(hào)驗(yàn)證和功能測(cè)試。自動(dòng)化DDR一致性測(cè)試規(guī)格尺寸

JEDEC組織發(fā)布的主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對(duì)發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長(zhǎng)度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對(duì)比。可以看出DDR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn)，同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例，相 對(duì)于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn)，比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號(hào)時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測(cè)等。自動(dòng)化DDR一致性測(cè)試規(guī)格尺寸

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