數(shù)字信號DDR測試測試流程

這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR信號質(zhì)量自動測試軟件；數(shù)字信號DDR測試測試流程

DDR測試

什么是DDR？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態(tài)隨機內(nèi)存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標(biāo)準DRAM有所不同。標(biāo)準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節(jié)省輸入管腳，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS，存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動態(tài)隨機內(nèi)存（SDRDRAM)將時鐘與標(biāo)準DRAM結(jié)合，RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據(jù)時鐘指示，可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號的位置。因而，數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計性，所以可將內(nèi)存劃分成4個組進行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過突發(fā)模式，可進行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對來自相同行的數(shù)據(jù)進行讀取。 智能化多端口矩陣測試DDR測試方案DDR測試信號問題排查；

DDR測試信號和協(xié)議測試

DDR4一致性測試工作臺（用示波器中的一致性測試軟件分析DDR仿真波形）對DDR5來說，設(shè)計更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對基于DDR5顆?；駾IMM的系統(tǒng)進行仿真驗證，比如仿真驅(qū)動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區(qū)

DDR測試

DDR4/5與LPDDR4/5的信號質(zhì)量測試由于基于DDR顆?；駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺，應(yīng)用場景千差萬別，因此需要進行詳盡的信號質(zhì)量測試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對于DDR4及以下的標(biāo)準來說，物理層一致性測試主要是發(fā)送的信號質(zhì)量測試；對于DDR5標(biāo)準來說，由于接收端出現(xiàn)了均衡器，所以還要包含接收測試。DDR信號質(zhì)量的測試也是使用高帶寬的示波器。對于DDR的信號，技術(shù)規(guī)范并沒有給出DDR信號上升/下降時間的具體參數(shù)，因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實際快上升/下降時間來估算需要的示波器帶寬。通常對于DDR3信號的測試，推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測試建議的測試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 DDR壓力測試的內(nèi)容有那些；

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機、智能電視、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌，人們對容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計算機存儲器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場的需求和技術(shù)的升級推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進到了DDR5了，但市場上對經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測試痛點測試和驗證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測和驗證突發(fā)的讀寫脈沖信號；配置測試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測試。解決DDR內(nèi)存系統(tǒng)測試難題？數(shù)字信號DDR測試測試流程

DDR規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；數(shù)字信號DDR測試測試流程

9.DIMM之前介紹的大部分規(guī)則都適合于在PCB上含有一個或更多的DIMM，獨有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區(qū)別。在DIMM組里，對于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓撲結(jié)構(gòu)里，帶有少的短線菊花鏈拓撲結(jié)構(gòu)和樹形拓撲結(jié)構(gòu)是適用的。

10.案例上面所介紹的相關(guān)規(guī)則，在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里，都已經(jīng)得到普遍的應(yīng)用。在下面的案例中，我們采用MOSAID公司的控制器，它提供了對DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面，采用了IBIS模型，其存儲器的模型來自MICRONTechnolgy，Inc。對于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在這里，數(shù)據(jù)是操作是在1600Mbps下的。對于不帶緩存（unbufferedDIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是來自MicronTechnology，下面所有的波形都是采用通常的測試方法，且是在SDRAMdie級進行計算和仿真的。 數(shù)字信號DDR測試測試流程

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