DDR應用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機、智能電視、AI技術(shù)的風起云涌,人們對容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計算機存儲器的需求不斷提高,DDRSDRAM也不斷地響應市場的需求和技術(shù)的升級推陳出新。目前,用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進到了DDR5了,但市場上對經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測試痛點測試和驗證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存,客戶一般面臨三大難題:如何連接DDR內(nèi)存管腳;如何探測和驗證突發(fā)的讀寫脈沖信號;配置測試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測試。DDR4信號質(zhì)量測試 DDR4-DRAM的工作原理分析;江蘇DDR測試執(zhí)行標準
DDR5發(fā)送端測試隨著信號速率的提升,SerDes技術(shù)開始在DDR5中采用,如會采用DFE均衡器改善接收誤碼率,另外DDR總線在發(fā)展過程中引入訓練機制,不再是簡單的要求信號間的建立保持時間,在DDR4的時始使用眼圖的概念,在DDR5時代,引入抖動成分概念,從成因上區(qū)分解Rj,Dj等,對芯片或系統(tǒng)設(shè)計提供更具體的依據(jù);在抖動的參數(shù)分析上,也增加了一些新的抖動定義參數(shù),并有嚴苛的測量指標。針對這些要求,提供了完整的解決方案。UXR示波器,配合D9050DDRC發(fā)射機一致性軟件,及高阻RC探頭MX0023A,及Interposer,可以實現(xiàn)對DDR信號的精確表征。天津DDR測試工廠直銷DDR3信號質(zhì)量自動測試軟件;
3.互聯(lián)拓撲對于DDR2和DDR3,其中信號DQ、DM和DQS都是點對點的互聯(lián)方式,所以不需要任何的拓撲結(jié)構(gòu),然而例外的是,在multi-rankDIMMs(DualInLineMemoryModules)的設(shè)計中并不是這樣的。在點對點的方式時,可以很容易的通過ODT的阻抗設(shè)置來做到阻抗匹配,從而實現(xiàn)其波形完整性。而對于ADDR/CMD/CNTRL和一些時鐘信號,它們都是需要多點互聯(lián)的,所以需要選擇一個合適的拓撲結(jié)構(gòu),圖2列出了一些相關(guān)的拓撲結(jié)構(gòu),其中Fly-By拓撲結(jié)構(gòu)是一種特殊的菊花鏈,它不需要很長的連線,甚至有時不需要短線(Stub)。對于DDR3,這些所有的拓撲結(jié)構(gòu)都是適用的,然而前提條件是走線要盡可能的短。Fly-By拓撲結(jié)構(gòu)在處理噪聲方面,具有很好的波形完整性,然而在一個4層板上很難實現(xiàn),需要6層板以上,而菊花鏈式拓撲結(jié)構(gòu)在一個4層板上是容易實現(xiàn)的。另外,樹形拓撲結(jié)構(gòu)要求AB的長度和AC的長度非常接近(如圖2)??紤]到波形的完整性,以及盡可能的提高分支的走線長度,同時又要滿足板層的約束要求,在基于4層板的DDR3設(shè)計中,合理的拓撲結(jié)構(gòu)就是帶有少短線(Stub)的菊花鏈式拓撲結(jié)構(gòu)。
7.時序?qū)τ跁r序的計算和分析在一些相關(guān)文獻里有詳細的介紹,下面列出需要設(shè)置和分析的8個方面:1)寫建立分析:DQvs.DQS2)寫保持分析:DQvs.DQS3)讀建立分析:DQvs.DQS4)讀保持分析:DQvs.DQS5)寫建立分析:DQSvs.CLK6)寫保持分析:DQSvs.CLK7)寫建立分析:ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8)寫保持分析:ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK
一個針對寫建立(WriteSetup)分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲器廠家獲取,段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項都是需要分析的,而對于DDR3,5項和6項不需要考慮。在PCB設(shè)計時,長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 DDR壓力測試的內(nèi)容有那些;
對于DDR2和DDR3,時鐘信號是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里,DQS信號是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率,當以高度速率工作時則采用差分的方式。顯然,在同樣的長度下,差分線的切換時延是小于單端線的。根據(jù)時序仿真的結(jié)果,時鐘信號和DQS也許需要比相應的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點。另外,必須確保時鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸,所以,需要在每一個字節(jié)里,它們要有嚴格的長度匹配,而且不能有過孔。差分信號對阻抗不連續(xù)的敏感度比較低,所以換層走線是沒多大問題的,在布線時優(yōu)先考慮布時鐘線和DQS。DDR3總線的解碼方法;測量DDR測試檢修
DDR測試技術(shù)介紹與工具分析;江蘇DDR測試執(zhí)行標準
DDR測試
DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種:一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒,另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內(nèi)存模塊,主要用于服務器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存,主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務器領(lǐng)域,使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒有額外驅(qū)動電路,延時較小,但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個內(nèi)存顆粒時,UDIMM需要保證CPU到每個內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等,設(shè)計難度較大,因此UDIMM在容量和頻率上都較低,通常應用在性能/容量要求不高的場合。 江蘇DDR測試執(zhí)行標準
深圳市力恩科技有限公司是一家一般經(jīng)營項目是:儀器儀表的研發(fā)、租賃、銷售、上門維修;物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的研發(fā)及銷售;無源射頻產(chǎn)品的研發(fā)及銷售;電子產(chǎn)品及電子元器件的銷售;儀器儀表、物聯(lián)網(wǎng)、無源射頻產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)咨詢;軟件的研發(fā)以及銷售,軟件技術(shù)咨詢服務等。的公司,是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。力恩科技深耕行業(yè)多年,始終以客戶的需求為向?qū)В瑸榭蛻籼峁└哔|(zhì)量的實驗室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡分析儀,協(xié)議分析儀。力恩科技不斷開拓創(chuàng)新,追求出色,以技術(shù)為先導,以產(chǎn)品為平臺,以應用為重點,以服務為保證,不斷為客戶創(chuàng)造更高價值,提供更優(yōu)服務。力恩科技始終關(guān)注儀器儀表行業(yè)。滿足市場需求,提高產(chǎn)品價值,是我們前行的力量。