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4.時(shí)延匹配在做到時(shí)延的匹配時(shí)，往往會(huì)在布線時(shí)采用trombone方式走線，另外，在布線時(shí)難免會(huì)有切換板層的時(shí)候，此時(shí)就會(huì)添加一些過(guò)孔。不幸的是，但所有這些彎曲的走線和帶過(guò)孔的走線，將它們拉直變?yōu)榈乳L(zhǎng)度理想走線時(shí)，此時(shí)它們的時(shí)延是不等的，

顯然，上面講到的trombone方式在時(shí)延方面同直走線的不對(duì)等是很好理解的，而帶過(guò)孔的走線就更加明顯了。在中心線長(zhǎng)度對(duì)等的情況下，trombone走線的時(shí)延比直走線的實(shí)際延時(shí)是要來(lái)的小的，而對(duì)于帶有過(guò)孔的走線，時(shí)延是要來(lái)的大的。這種時(shí)延的產(chǎn)生，這里有兩種方法去解決它。一種方法是，只需要在EDA工具里進(jìn)行精確的時(shí)延匹配計(jì)算，然后控制走線的長(zhǎng)度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi)，減少不匹配度。對(duì)于trombone線，時(shí)延的不對(duì)等可以通過(guò)增大L3的長(zhǎng)度而降低，因?yàn)椴⑿芯€間會(huì)存在耦合，其詳細(xì)的結(jié)果，可以通過(guò)SigXP仿真清楚的看出，L3長(zhǎng)度的不同，其結(jié)果會(huì)有不同的時(shí)延，盡可能的加長(zhǎng)S的長(zhǎng)度，則可以更好的降低時(shí)延的不對(duì)等。對(duì)于微帶線來(lái)說(shuō)，L3大于7倍的走線到地的距離是必須的。 DDR平均速率以及變化情況；河北DDR測(cè)試銷售電話

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DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種：一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒，另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內(nèi)存模塊，主要用于服務(wù)器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存，主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務(wù)器領(lǐng)域，使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒(méi)有額外驅(qū)動(dòng)電路，延時(shí)較小，但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個(gè)內(nèi)存顆粒時(shí)，UDIMM需要保證CPU到每個(gè)內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，設(shè)計(jì)難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場(chǎng)合。 河北DDR測(cè)試銷售電話解決DDR內(nèi)存系統(tǒng)測(cè)試難題？

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主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對(duì)發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長(zhǎng)度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對(duì)比?？梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn)，同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例，相 對(duì)于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn)，比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號(hào)時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問(wèn)可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測(cè)等。

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DDRSDRAM即我們通常所說(shuō)的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流，DDR5也開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線來(lái)說(shuō)，我們通常說(shuō)的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會(huì)有讀寫(xiě)間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值。

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DDR測(cè)試按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(StaticRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí)延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。DDR3信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件報(bào)告；上海DDR測(cè)試代理品牌

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這里有三種方案進(jìn)行對(duì)比考慮：一種是，通過(guò)過(guò)孔互聯(lián)的這個(gè)過(guò)孔附近沒(méi)有任何地過(guò)孔，那么，其返回路徑只能通過(guò)離此過(guò)孔250mils的PCB邊緣來(lái)提供；第二種是，一根長(zhǎng)達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個(gè)信號(hào)線的四周有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞的信號(hào)過(guò)孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號(hào)過(guò)孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號(hào)過(guò)孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時(shí)延方面顯得尤為重要。 河北DDR測(cè)試銷售電話

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