河南DDR一致性測(cè)試項(xiàng)目

需要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以 DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定 了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求，因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信 號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來(lái)說(shuō)，不同控制器芯片廠商有不同的要 求，目前沒(méi)有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在 內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn)，并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來(lái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。DDR4 總線物理層仿真測(cè)試和協(xié)議層的測(cè)試方案；河南DDR一致性測(cè)試項(xiàng)目

(2)根據(jù)讀/寫信號(hào)的幅度不同進(jìn)行分離。如果PCB走線長(zhǎng)度比較 長(zhǎng)，在不同位置測(cè)試時(shí)可能讀/寫信號(hào)的幅度不太一樣，可以基于幅度進(jìn)行觸發(fā)分離。但是 這種方法對(duì)于走線長(zhǎng)度不長(zhǎng)或者讀/寫信號(hào)幅度差別不大的場(chǎng)合不太適用。

(3)根據(jù)RAS、CAS、CS、WE等控制信號(hào)進(jìn)行分離。這種方法使用控制信號(hào)的讀/寫  來(lái)判決當(dāng)前的讀寫指令，是可靠的方法。但是由于要同時(shí)連接多個(gè)控制信號(hào)以及Clk、 DQS、DQ等信號(hào)，要求示波器的通道數(shù)多于4個(gè)，只有帶數(shù)字通道的混合信號(hào)示波器才能  滿足要求，而且數(shù)字通道的采樣率也要比較高。圖5.11是用帶高速數(shù)字通道的示波器觸發(fā)  并采集到的DDR信號(hào)波形。 河南DDR一致性測(cè)試項(xiàng)目DDR4 和 LPDDR4 發(fā)射機(jī)一致性測(cè)試應(yīng)用軟件的技術(shù)指標(biāo)。

DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種： 一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒，另一 種是做成DIMM條(Dual In - line Memory Module,雙列直插內(nèi)存模塊，主要用于服務(wù)器和 PC)或SO - DIMM(Small Outline DIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存，主要用于筆記本) 的形式插  在主板上使用。

在服務(wù)器領(lǐng)域，使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒(méi)有額外驅(qū)動(dòng)電路，延時(shí)較小，但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個(gè)內(nèi)存顆粒時(shí)，UDIMM需要保證CPU到每個(gè)內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，設(shè)計(jì)難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場(chǎng)合。

DDR的信號(hào)探測(cè)技術(shù)

在DDR的信號(hào)測(cè)試中，還有 一 個(gè)要解決的問(wèn)題是怎么找到相應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行信號(hào)探 測(cè)。由于DDR的信號(hào)不像PCle、SATA、USB等總線 一 樣有標(biāo)準(zhǔn)的連接器，通常都是直接 的BGA顆粒焊接，而且JEDEC對(duì)信號(hào)規(guī)范的定義也都是在內(nèi)存顆粒的BGA引腳上，這就 使得信號(hào)探測(cè)成為一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題。

比如對(duì)于DIMM條的DDR信號(hào)質(zhì)量測(cè)試來(lái)說(shuō)，雖然在金手指上測(cè)試是方便的找到 測(cè)試點(diǎn)的方法，但是測(cè)得的信號(hào)通常不太準(zhǔn)確。原因是DDR總線的速率比較高，而且可能 經(jīng)過(guò)金手指后還有信號(hào)的分叉，這就造成金手指上的信號(hào)和內(nèi)存顆粒引腳上的信號(hào)形狀差異很大。 擴(kuò)展 DDR4 和 LPDDR4 合規(guī)性測(cè)試軟件的功能。

DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試

DDR總線參考時(shí)鐘或時(shí)鐘總線的測(cè)試變得越來(lái)越復(fù)雜，主要測(cè)試內(nèi)容可以分為兩方面：波形參數(shù)和抖動(dòng)。波形參數(shù)主要包括：Overshoot（過(guò)沖）；Undershoot（下沖）；SlewRate（斜率）；RiseTime（上升時(shí)間）和FallTime（下降時(shí)間）；高低時(shí)間；DutyCycle（占空比失真）等，測(cè)試較簡(jiǎn)單，在此不再贅述。抖動(dòng)測(cè)試則越來(lái)越復(fù)雜，以前一般只是測(cè)試Cycle-CycleJitter（周期到周期抖動(dòng)），但是當(dāng)速率超過(guò)533MT/S的DDR2&3時(shí)，測(cè)試內(nèi)容相當(dāng)多，不可忽略。表7-15是DDR2667的規(guī)范參數(shù)。對(duì)這些抖動(dòng)參數(shù)的測(cè)試需要用軟件實(shí)現(xiàn)，比如Agilent的N5413ADDR2時(shí)鐘表征工具。測(cè)試建議用系統(tǒng)帶寬4GHz以上的差分探頭和示波器，測(cè)試點(diǎn)在DIMM上靠近DRAM芯片的位置，被測(cè)系統(tǒng)建議運(yùn)行MemoryTest類的總線加壓軟件。 DDR4 一致性測(cè)試平臺(tái)插件。重慶DDR一致性測(cè)試維保

DDR5 一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。河南DDR一致性測(cè)試項(xiàng)目

10Gbase-T總線測(cè)量為例做簡(jiǎn)單介紹。

10Gbase-T總線的測(cè)量需要按照?qǐng)D7-128來(lái)連接各種儀器和測(cè)試夾具。

10Gbase-T的輸岀跌落/定時(shí)抖動(dòng)/時(shí)鐘頻率要求用實(shí)時(shí)示波器測(cè)試；線性度/功率譜密度 PSD/功率電平要求用頻譜分析儀測(cè)試；回波損耗要求用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試。

需要自動(dòng)化測(cè)試軟件進(jìn)行各種參數(shù)測(cè)試，一般這個(gè)軟件直接裝在示波器內(nèi)置的計(jì)算機(jī)里。 沒(méi)有自動(dòng)測(cè)試軟件，測(cè)試是異常困難和耗時(shí)的工作。

測(cè)試夾具是測(cè)試系統(tǒng)的重要組成部分，測(cè)試儀器公司或一些專業(yè)的公司會(huì)提供工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 總線所用的測(cè)試夾具。當(dāng)然也可以自己設(shè)計(jì)，自己設(shè)計(jì)時(shí)主要關(guān)注阻抗匹配、損耗、串?dāng)_等 電氣參數(shù)，以及機(jī)械連接方面的連接可靠性和可重復(fù)性等可操作性功能。 河南DDR一致性測(cè)試項(xiàng)目

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