云南解決方案DDR一致性測(cè)試

由于讀/寫時(shí)序不一樣造成的另一個(gè)問(wèn)題是眼圖的測(cè)量。在DDR3及之前的規(guī)范中沒(méi) 有要求進(jìn)行眼圖測(cè)試，但是很多時(shí)候眼圖測(cè)試是一種快速、直觀衡量信號(hào)質(zhì)量的方法，所以 許多用戶希望通過(guò)眼圖來(lái)評(píng)估信號(hào)質(zhì)量。而對(duì)于DDR4的信號(hào)來(lái)說(shuō)，由于時(shí)間和幅度的余量更小，必須考慮隨機(jī)抖動(dòng)和隨機(jī)噪聲帶來(lái)的誤碼率的影響，而不是做簡(jiǎn)單的建立/保  持時(shí)間的測(cè)量。因此在DDR4的測(cè)試要求中，就需要像很多高速串行總線一樣對(duì)信號(hào)疊加  生成眼圖，并根據(jù)誤碼率要求進(jìn)行隨機(jī)成分的外推，然后與要求的小信號(hào)張開(kāi)窗口(類似  模板)進(jìn)行比較。圖5 . 8是DDR4規(guī)范中建議的眼圖張開(kāi)窗口的測(cè)量方法(參考資料： JEDEC     STANDARD    DDR4     SDRAM,JESD79-4)。DDR4 一致性測(cè)試平臺(tái)插件。云南解決方案DDR一致性測(cè)試

RDIMM(RegisteredDIMM,寄存器式雙列直插內(nèi)存)有額外的RCD(寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器，用來(lái)緩存來(lái)自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制信號(hào)等)用于改善信號(hào)質(zhì)量，但額外寄存器的引入使得其延時(shí)和功耗較大。LRDIMM(LoadReducedDIMM,減載式雙列直插內(nèi)存)有額外的MB(內(nèi)存緩沖，緩沖來(lái)自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制等),在技術(shù)實(shí)現(xiàn)上并未使用復(fù)雜寄存器，只是通過(guò)簡(jiǎn)單緩沖降低內(nèi)存總線負(fù)載。RDIMM和LRDIMM通常應(yīng)用在高性能、大容量的計(jì)算系統(tǒng)中。

綜上可見(jiàn)，DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢(shì)是速率更高、封裝更密、工作電壓更低、信號(hào)調(diào)理技術(shù) 更復(fù)雜，這些都對(duì)設(shè)計(jì)和測(cè)試提出了更高的要求。為了從仿真、測(cè)試到功能測(cè)試階段保證DDR信號(hào)的波形質(zhì)量和時(shí)序裕量，需要更復(fù)雜、更的仿真、測(cè)試和分析工具。

重慶DDR一致性測(cè)試銷售價(jià)格DDR 設(shè)計(jì)和測(cè)試解決方案；

為了針對(duì)復(fù)雜信號(hào)進(jìn)行更有效的讀/寫信號(hào)分離，現(xiàn)代的示波器還提供了很多高級(jí)的信號(hào) 分離功能，在DDR測(cè)試中常用的有圖形區(qū)域觸發(fā)的方法和基于建立/保持時(shí)間的觸發(fā)方法。

圖形區(qū)域觸發(fā)是指可以用屏幕上的特定區(qū)域(Zone)定義信號(hào)觸發(fā)條件。用 區(qū)域觸發(fā)功能對(duì)DDR的讀/寫信號(hào)分離的 一 個(gè)例子。用鎖存信號(hào)DQS信號(hào)觸發(fā)可以看到 兩種明顯不同的DQS波形， 一 種是讀時(shí)序的DQS波形，另 一 種是寫信號(hào)的DQS波形。打 開(kāi)區(qū)域觸發(fā)功能后，通過(guò)在屏幕上的不同區(qū)域畫不同的方框，就可以把感興趣區(qū)域的DQS 波形保留下來(lái)，與之對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線DQ上的波形也就保留下來(lái)了。

為了進(jìn)行更簡(jiǎn)單的讀寫分離，Agilent的Infiniium系列示波器提供了一種叫作InfiniiScan 的功能，可以通過(guò)區(qū)域（Zone）定義的方式把讀寫數(shù)據(jù)可靠分開(kāi)。

根據(jù)讀寫數(shù)據(jù)的建立保持時(shí)間不同，Agilent獨(dú)有的InfiniiScan功能可以通過(guò)在屏幕上畫 出幾個(gè)信號(hào)必須通過(guò)的區(qū)域的方式方便地分離出讀、寫數(shù)據(jù)，并進(jìn)一步進(jìn)行眼圖的測(cè)試。

信號(hào)的眼圖。用同樣的方法可以把讀信號(hào)的眼圖分離出來(lái)。

除了形成眼圖外，我們還可以利用示波器的模板測(cè)量功能對(duì)眼圖進(jìn)行定量分析，

用戶可以根據(jù)JEDEC的要求自行定義一個(gè)模板對(duì)讀、寫信號(hào)進(jìn)行模板測(cè)試，如 果模板測(cè)試Fail,則還可以利用Agilent示波器提供的模板定位功能定位到引起Fail的波形段。 DDR、DDR2、DDR3、DDR4都有什么區(qū)別？

DDR地址、命令總線的一致性測(cè)試

DDR的地址、命令總線的信號(hào)完整性測(cè)試主要測(cè)試其波形和時(shí)序參數(shù)。地址總線An、 命令總線/RAS、/CAS、/WE、/CS需要測(cè)試的信號(hào)品質(zhì)主要包括：Vmax （最大電壓值）；Vmin （小電壓值）；Overshoot （過(guò)沖）和Undershoot （下沖）的持續(xù)時(shí)間的大值；Slew Rate （斜率）；Ringback （回溝）等。還需要測(cè)試相對(duì)于時(shí)鐘邊沿的Setup Time （建立時(shí)間）和Hold Time （保持時(shí)間）。建立時(shí)間和保持時(shí)間的定義如圖7.134所示，其中加為建立時(shí)間，如為 保持時(shí)間，針對(duì)DDR400,加和如為0.7ns。

什么是DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5;云南解決方案DDR一致性測(cè)試

快速 DDR4協(xié)議解碼功能.云南解決方案DDR一致性測(cè)試

D D R 5 的 接 收 端 容 限 評(píng) 估 需 要 通 過(guò) 接 收 容 限 的 一 致 性 測(cè) 試 來(lái) 進(jìn) 行 ， 主 要 測(cè) 試 的 項(xiàng) 目 有 D Q 信 號(hào) 的 電 壓 靈 敏 度 、 D Q S 信 號(hào) 的 電 壓 靈 敏 度 、 D Q S 的 抖 動(dòng) 容 限 、 D Q 與 D Q S 的 時(shí) 序 容 限、DQ的壓力眼測(cè)試、DQ的均衡器特性等。

在DDR5的接收端容限測(cè)試中，也需要通過(guò)御用的測(cè)試夾具對(duì)被測(cè)件進(jìn)行測(cè)試以及測(cè)試前的校準(zhǔn)。展示了一套DDR5的DIMM條的測(cè)試夾具，包括了CTC2夾具(ChannelTestCard)和DIMM板(DIMMTestCard)等。CTC2夾具上有微控制器和RCD芯片等，可以通過(guò)SMBus/I2C總線配置電路板的RCD輸出CA信號(hào)以及讓被測(cè)件進(jìn)入環(huán)回模式。測(cè)試夾具還提供了CK/CA/DQS/DQ/LBD/LBS等信號(hào)的引出。 云南解決方案DDR一致性測(cè)試

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