校準(zhǔn)DDR測(cè)試工廠直銷

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-10

8.PCBLayout在實(shí)際的PCB設(shè)計(jì)時(shí),考慮到SI的要求,往往有很多的折中方案。通常,需要優(yōu)先考慮對(duì)于那些對(duì)信號(hào)的完整性要求比較高的。畫PCB時(shí),當(dāng)考慮以下的一些相關(guān)因素,那么對(duì)于設(shè)計(jì)PCB來說可靠性就會(huì)更高。1)首先,要在相關(guān)的EDA工具里設(shè)置好拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和相關(guān)約束。2)將BGA引腳突圍,將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間,由于所有這些分組操作,為了盡可能少的信號(hào)交叉,一些的管腳也許會(huì)被交換到其它區(qū)域布線。3)由串?dāng)_仿真的結(jié)果可知,盡量減少短線(stubs)長(zhǎng)度。通常,短線(stubs)是可以被削減的,但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤和存儲(chǔ)器焊盤之間也許只需要兩段的走線就可以實(shí)現(xiàn)了,但是此走線必須要很細(xì),那么就提高了PCB的制作成本,而且,不是所有的走線都只需要兩段的,除非使用微小的過孔和盤中孔的技術(shù)。終,考慮到信號(hào)完整性的容差和成本,可能選擇折中的方案。DDR關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義;校準(zhǔn)DDR測(cè)試工廠直銷

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DDR測(cè)試

DDR信號(hào)的要求是針對(duì)DDR顆粒的引腳上的,但是通常DDR芯片采用BGA封裝,引腳無法直接測(cè)試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方式,其測(cè)試到的信號(hào)與芯片引腳處的信號(hào)也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號(hào)質(zhì)量,一種常用的方法是在示波器中對(duì)PCB走線和測(cè)試夾具的影響進(jìn)行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個(gè)鏈路上各部分的S參數(shù)模型文件(通常通過仿真或者實(shí)測(cè)得到),并根據(jù)實(shí)際測(cè)試點(diǎn)和期望觀察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù),來計(jì)算期望位置處的信號(hào)波形,再對(duì)這個(gè)信號(hào)做進(jìn)一步的波形參數(shù)測(cè)量和統(tǒng)計(jì)。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號(hào)質(zhì)量測(cè)試環(huán)境,以及在示波器中進(jìn)行去嵌入操作的界面。 校準(zhǔn)DDR測(cè)試工廠直銷DDR測(cè)試眼圖測(cè)試時(shí)序測(cè)試抖動(dòng)測(cè)試;

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測(cè)試軟件運(yùn)行后,示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一個(gè)測(cè)試報(bào)告,測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目、是否通過、spec的要求、實(shí)測(cè)值、margin等。圖5.17是自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置,比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻,并分析對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。除了一致性測(cè)試以外,DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試失敗后,可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí),測(cè)試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波形并進(jìn)行參數(shù)統(tǒng)計(jì),根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對(duì)應(yīng)的波形位置,

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DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器,因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn)。對(duì)于DDR來說,DDR4及之前的總線接收端還相對(duì)比較簡(jiǎn)單,只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高,因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù),這也使得DDR5測(cè)試中必須關(guān)注接收均衡器的影響,這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 DDR3信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件報(bào)告;

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trombone線的時(shí)延是受到其并行走線之間的耦合而影響,一種在不需要提高其間距的情況下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然,sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是,依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時(shí)延不同的原因,所以,在實(shí)際的設(shè)計(jì)時(shí),要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計(jì)算,從而控制走線的時(shí)延匹配??紤]到在圖2中6層板上的過孔的因素,當(dāng)一個(gè)地過孔靠近信號(hào)過孔放置時(shí),則在時(shí)延方面的影響是必須要考慮的。先舉個(gè)例子,在TOP層的微帶線長(zhǎng)度是150mils,BOTTOM層的微帶線也是150mils,線寬都為4mils,且過孔的參數(shù)為:barreldiameter=”8mils”,paddiameter=”18mils”,anti-paddiameter=”26mils”。DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容有那些;上海DDR測(cè)試故障

DDR在信號(hào)測(cè)試中解決的問題有那些;校準(zhǔn)DDR測(cè)試工廠直銷

DDR測(cè)試

DDR的信號(hào)仿真驗(yàn)證由于DDR芯片都是采用BGA封裝,密度很高,且分叉、反射非常嚴(yán)重,因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真軟件中專門針對(duì)DDR的仿真模型庫仿真出的通道損耗以及信號(hào)波形。仿真出信號(hào)波形以后,許多用戶需要快速驗(yàn)證仿真出來的波形是否符合DDR相關(guān)規(guī)范要求。這時(shí),可以把軟件仿真出的DDR的時(shí)域波形導(dǎo)入到示波器中的DDR測(cè)試軟件中,并生成相應(yīng)的一致性測(cè)試報(bào)告,這樣可以保證仿真和測(cè)試分析方法的一致,并且便于在仿真階段就發(fā)現(xiàn)可能的信號(hào)違規(guī)。 校準(zhǔn)DDR測(cè)試工廠直銷

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