海南DDR測試DDR測試

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-09

14.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述相關(guān)信號(hào)包括dqs信號(hào)、clk信號(hào)和dq信號(hào),所述標(biāo)志信號(hào)為dqs信號(hào)。15.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述根據(jù)標(biāo)志信號(hào)對(duì)示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置,具體包括:16.利用示波器分別采集標(biāo)志信號(hào)在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的電平幅值;17.對(duì)標(biāo)志信號(hào)在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的電平幅值進(jìn)行比較,確定標(biāo)志信號(hào)的電平閾值;18.在示波器中配置標(biāo)志信號(hào)的電平閾值。19.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的讀寫信號(hào)進(jìn)行信號(hào)分離,具體包括:20.將標(biāo)志信號(hào)的實(shí)時(shí)電平幅值與標(biāo)志信號(hào)的電平閾值進(jìn)行比較;21.將大于電平閾值的標(biāo)志信號(hào)和小于電平閾值的標(biāo)志信號(hào)分別進(jìn)行信號(hào)的分離,得到數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的標(biāo)志信號(hào)。DDR在信號(hào)測試中解決的問題有那些;海南DDR測試DDR測試

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在進(jìn)行接收容限測試時(shí),需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號(hào)。測試中被測件工作在環(huán)回模式,DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測件轉(zhuǎn)發(fā)并通過LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測端口。在測試前需要用示波器對(duì)誤碼儀輸出的信號(hào)進(jìn)行校準(zhǔn),如DQS與DQ的時(shí)延校準(zhǔn)、信號(hào)幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動(dòng)校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測試的環(huán)境。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測試實(shí)驗(yàn)室

地址:深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 海南DDR測試DDR測試DDR有那些測試解決方案;

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DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種:一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒,另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內(nèi)存模塊,主要用于服務(wù)器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存,主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務(wù)器領(lǐng)域,使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒有額外驅(qū)動(dòng)電路,延時(shí)較小,但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個(gè)內(nèi)存顆粒時(shí),UDIMM需要保證CPU到每個(gè)內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等,設(shè)計(jì)難度較大,因此UDIMM在容量和頻率上都較低,通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場合。

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DDR5的接收端容限測試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時(shí)提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器,因此需要進(jìn)行接收容限的測試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn)。對(duì)于DDR來說,DDR4及之前的總線接收端還相對(duì)比較簡單,只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高,因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù),這也使得DDR5測試中必須關(guān)注接收均衡器的影響,這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 DDR4物理層一致性測試;

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要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求,因此DDR的自動(dòng)測試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來說,不同控制器芯片廠商有不同的要求,目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號(hào)質(zhì)量的測試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測試點(diǎn),并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來進(jìn)行手動(dòng)測試。 DDR內(nèi)存條電路原理圖;江蘇DDR測試銷售價(jià)格

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什么是DDR?

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(現(xiàn)在被稱為SDR)與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個(gè)地址字組成。為節(jié)省輸入管腳,采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通(RAS)鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后,列地址選通(CAS)鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存(SDRDRAM)將時(shí)鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合,RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng)。根據(jù)時(shí)鐘指示,可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號(hào)的位置。因而,數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性,所以可將內(nèi)存劃分成4個(gè)組進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過突發(fā)模式,可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對(duì)來自相同行的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。 海南DDR測試DDR測試

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