沈陽混合集成電路測(cè)試

    本申請(qǐng)涉及一種集成電路封裝結(jié)構(gòu)，尤其是集成電路的小型化與高功率密度化的封裝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)：集成電路在滿足摩爾定律的基礎(chǔ)上尺寸越做越小。尺寸越小，技術(shù)進(jìn)步越困難。而設(shè)備的智能化，小型化，功率密度的程度越來越高，為解決設(shè)備小型化，智能化，超高功率密度這些問題，不但需要提升各種功能的管芯的功能，效率，縮小其面積，體積；還需要在封裝技術(shù)層面上完成小型化，集成化，高功率密度化等技術(shù)要求，并解決由此帶來的集成電路的散熱問題，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，生產(chǎn)周期長(zhǎng)，生產(chǎn)成本高等問題?，F(xiàn)有很多集成電路封裝結(jié)構(gòu)，有沿用常規(guī)的封裝方式，采用框架安裝各種管芯，采用線材鍵合作電氣聯(lián)結(jié)，在功率較大時(shí)，常常采用較粗的鍵合線和較多的鍵合線。此類封裝方式有比如ipm模組的dip封裝，單顆mosfet的to220封裝等，此類封裝體積通常都比較大，不適宜小型化應(yīng)用。由于需要多根鍵合線，鍵合工序周期長(zhǎng)，成本高，從而導(dǎo)致總體性價(jià)比不高。而為了解決高功率密度的問題，qfn封裝方式由于帶有較大散熱片常常在一些要求高功率密度的產(chǎn)品上得到廣泛的應(yīng)用；在qfn封裝內(nèi)部，鍵合線由金線，銅線，鋁線轉(zhuǎn)向具有大通流能力的鋁片，銅片，并由此減少了接觸電阻，降低了封裝的寄生參數(shù)。存儲(chǔ)器和特定應(yīng)用集成電路是其他集成電路家族的例子，對(duì)于現(xiàn)代信息社會(huì)非常重要。沈陽混合集成電路測(cè)試

    例如，邏輯“”)。調(diào)節(jié)訪問裝置分別具有通過其可以控制提供給相關(guān)的工作mtj器件的電流的電阻。例如，調(diào)節(jié)訪問裝置a,被配置為控制提供給工作mtj器件a,的電流，調(diào)節(jié)訪問裝置b,被配置為控制提供給工作mtj器件b,的電流等。調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)工作mtj器件提供訪問。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件，一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如，在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括與相關(guān)的工作mtj器件連接的并聯(lián)連接的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實(shí)施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實(shí)施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如。長(zhǎng)沙混合集成電路公司然設(shè)計(jì)開發(fā)一個(gè)復(fù)雜集成電路的成本非常高，但是當(dāng)分散到通常以百萬計(jì)的產(chǎn)品上，每個(gè)集成電路的成本極小化。

    多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲(chǔ)單元a,和存儲(chǔ)單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個(gè)連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲(chǔ)單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲(chǔ)單元b,。在一些實(shí)施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d?；ミB層b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進(jìn)一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲(chǔ)器陣列的一列內(nèi)的存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件。例如。位線bl連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的工作mtj器件。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件通過包括多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對(duì)工作mtj器件的訪問的存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中。調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括垂直布置在底電極通孔和頂電極通孔之間的mtj。在一些實(shí)施例中，頂電極通孔可以通過通孔(例如。

    調(diào)節(jié)mtj器件具有比調(diào)節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，字線連接至字線解碼器，并且位線和位線連接至位線解碼器。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中，集成芯片還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實(shí)施例中。工作mtj器件通過設(shè)置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)與調(diào)節(jié)mtj器件橫向分隔開。在一些實(shí)施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件，工作mtj器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線和字線之間。在其它實(shí)施例中，涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)的互連層，互連層通過介電結(jié)構(gòu)與襯底分隔開；以及調(diào)節(jié)mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)，工作mtj器件通過包括多個(gè)互連層并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實(shí)施例中，集成電路還包括調(diào)節(jié)訪問裝置，其具有連接在字線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，調(diào)節(jié)mtj器件具有通過介電阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中。電路設(shè)計(jì)的模塊化方法確保了快速采用標(biāo)準(zhǔn)化集成電路代替了設(shè)計(jì)使用離散晶體管；

    圖a至圖b示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問。圖a至圖b示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問。圖至出了形成具有存儲(chǔ)器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例，該存儲(chǔ)器電路包括存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元包括被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。出了形成具有存儲(chǔ)器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的流程圖，該存儲(chǔ)器電路包括存儲(chǔ)單元。該存儲(chǔ)單元包括被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。具體實(shí)施方式以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化。當(dāng)然，這些是實(shí)例，而不旨在限制。例如，以下描述中，在部件上方或者上形成部件可以包括部件和部件直接接觸形成的實(shí)施例。并且也可以包括在部件和部件之間可以形成額外的部件，從而使得部件和部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。集成電路現(xiàn)貨供應(yīng)商-深圳市美信美科技有限公司。徐州圓形集成電路哪家好

集成電路產(chǎn)業(yè)還甚至延伸至設(shè)備、材料市場(chǎng)。沈陽混合集成電路測(cè)試

    銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實(shí)施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實(shí)施例中，互連層b從調(diào)節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正上方。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應(yīng)于電信號(hào)(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對(duì)自由層的磁沖擊。在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括附加層。例如，在一些實(shí)施例中。mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵磁層。在其它實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、附加自由層等)以改進(jìn)mtj的性能。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖的存儲(chǔ)器陣列的集成芯片的一些可選實(shí)施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)。介電結(jié)構(gòu)圍繞存儲(chǔ)單元a,。存儲(chǔ)單元a,包括工作mtj器件和具有調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問裝置。介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個(gè)導(dǎo)電互連層a至f。多個(gè)導(dǎo)電互連層a至f包括互連層a。沈陽混合集成電路測(cè)試