廣東通訊集成電路工藝

    調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括垂直布置在底電極通孔和頂電極通孔之間的mtj。在一些實(shí)施例中，頂電極通孔可以通過(guò)通孔(例如，銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實(shí)施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實(shí)施例中，互連層b從調(diào)節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正上方。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應(yīng)于電信號(hào)(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對(duì)自由層的磁沖擊。在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括附加層。例如，在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵磁層。在其它實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、附加自由層等)以改進(jìn)mtj的性能。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖的存儲(chǔ)器陣列的集成芯片的一些可選實(shí)施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)。集成電路好的供應(yīng)商，認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美。廣東通訊集成電路工藝

    字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號(hào)施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問(wèn)工作mtj器件，偏置電路和字線解碼器可以將電壓施加至偏置電壓線bvly和字線wlx，以設(shè)置存儲(chǔ)器陣列的行內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的值。隨后，位線解碼器可以施加位線電壓，該位線電壓允許訪問(wèn)多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,中的選擇的存儲(chǔ)單元，而不訪問(wèn)多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,中的未選擇的存儲(chǔ)單元。例如，為了將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件，可以將組偏置電壓施加至字線wl和偏置電壓線bvl。組偏置電壓賦予行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置低電阻?？梢詫⒔M偏置電壓施加至其它行中的偏置電壓線bvl和字線wl，以賦予其它行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置高電阻。然后將位線電壓施加至位線bl。存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的低電阻使得大電流(例如，大于切換電流)流過(guò)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件，同時(shí)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的高電阻使得小電流(例如，小于切換電流)流過(guò)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。圖a至圖b示出了包括存儲(chǔ)器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，該存儲(chǔ)器電路具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。江蘇專業(yè)控制集成電路先進(jìn)的集成電路是微處理器或多核處理器的關(guān)鍵，可以控制計(jì)算機(jī)到手機(jī)到數(shù)字微波爐的一切。

    可在各個(gè)實(shí)施例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。而且，為便于描述，在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個(gè)實(shí)施例和和布置的具體實(shí)例等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)原件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)度或在其它方位上)，而本文使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地做出相應(yīng)的解釋。磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)單元包括垂直布置在導(dǎo)電電極之間的磁隧道結(jié)(mtj)。mtj包括通過(guò)隧穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。固定層的磁取向是靜態(tài)的(即，固定的)，而自由層的磁取向能夠在相對(duì)于固定層的磁取向的平行配置和反平行配置之間切換。平行配置提供低電阻狀態(tài)，低電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為位值(例如，邏輯“”)。反平行配置提供高電阻狀態(tài)，高電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為位值(例如，邏輯“”)。隨著集成芯片的功能增多。對(duì)更多的存儲(chǔ)器的需求也增加，從而使得集成芯片設(shè)計(jì)者和制造商必須增加可用存儲(chǔ)器的量，同時(shí)減小集成芯片的尺寸和功耗。

    集成電路還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線，偏置電壓線連接至偏置電路，偏置電路被配置為選擇性地將偏置電壓施加至偏置電壓線。在又一些其它實(shí)施例中，涉及一種形成集成電路的方法。該方法包括在襯底上方形成互連層；在互連層正上方形成多個(gè)mtj器件，多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件，調(diào)節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流至工作mtj器件的電流；以及在多個(gè)mtj器件上方形成互連層，互連層和互連層中的一個(gè)或兩個(gè)限定位線和一條或多條字線。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件分別包括固定層、自由層和設(shè)置在固定層和自由層之間的介電阻擋層。在一些實(shí)施例中，該方法還包括同時(shí)形成工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。上面概述了若干實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域人員可以更好地理解的方面。本領(lǐng)域人員應(yīng)該理解，它們可以容易地使用作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與本文所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其它工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到。深圳有哪家集成電路現(xiàn)貨商？深圳美信美科技有限公司。

    圖至圖中公開的結(jié)構(gòu)不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結(jié)構(gòu)而單獨(dú)存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實(shí)施例中，通過(guò)在襯底上方形成層間介電(ild)層來(lái)形成互連層a。在一些實(shí)施例中，ild層可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實(shí)施蝕刻工藝來(lái)去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來(lái)圖案化ild層。在溝槽內(nèi)形成導(dǎo)電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個(gè)實(shí)施例中，襯底可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如。硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個(gè)或多個(gè)管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料可以包括通過(guò)沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個(gè)實(shí)施例中，互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示。而根據(jù)處理信號(hào)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路、和兼具模擬與數(shù)字的混合信號(hào)集成電路。石家莊通用集成電路工藝

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    在多個(gè)底電極通孔正上方形成多個(gè)mtj器件。多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個(gè)mtj器件正上方形成多個(gè)頂電極通孔。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個(gè)頂電極通孔上方形成具有多個(gè)互連結(jié)構(gòu)的互連層。多個(gè)互連結(jié)構(gòu)限定位線和一條或多條字線。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲(chǔ)單元。在一些實(shí)施例中，可以重復(fù)步驟至(如步驟所示)以在存儲(chǔ)單元上方形成存儲(chǔ)單元。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。雖然方法描述了包括具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置(包括mtj器件)的存儲(chǔ)單元(例如。mram單元)的方法存儲(chǔ)器電路，但是應(yīng)該理解，在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)裝置可以包括電阻器(例如，薄膜電阻器)。在這樣的實(shí)施例中，工作mtj器件可以通過(guò)組操作(在步驟中)形成，而包括電阻器的調(diào)節(jié)裝置可以通過(guò)組單獨(dú)的操作(在步驟和步驟之間發(fā)生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步驟中)之后，可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)沉積和蝕刻工藝形成電阻器。因此，在一些實(shí)施例中。涉及不具有驅(qū)動(dòng)晶體管(即。存取晶體管)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)。而且，存儲(chǔ)單元包括調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。廣東通訊集成電路工藝