重慶HDMI接口ESD保護(hù)元件選型

降低防護(hù)器件結(jié)電容的設(shè)計(jì)方法當(dāng)防護(hù)器件的并聯(lián)結(jié)電容較大時(shí)，將對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生“衰耗”作用，此時(shí)需要改進(jìn)防護(hù)電路的設(shè)計(jì)，降低結(jié)電容對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。常用的設(shè)計(jì)方法有;A二極管偏置法二極管結(jié)電容隨反向偏升高而降低，對(duì)防護(hù)一極管施加話(huà)當(dāng)?shù)姆聪蚱珘嚎蛇m用更高頻率電路。B.二極管串聯(lián)法一-兩個(gè)相同防護(hù)二極管串聯(lián)可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當(dāng)防護(hù)二極管的結(jié)電容太大，可以對(duì)防護(hù)器件并聯(lián)小電感，使之和二極管結(jié)電容并聯(lián)諧振在工作信號(hào)頻率點(diǎn)，這時(shí)保護(hù)電路對(duì)工作頻率呈高阻抗，從而減小對(duì)高頻電路四配的影響，并有利于加強(qiáng)防護(hù)。ESD靜電保護(hù)元件在選型時(shí)應(yīng)注意其封裝，電容，靜電防護(hù)等級(jí)等參數(shù)。重慶HDMI接口ESD保護(hù)元件選型

人體靜電電壓比較高可達(dá)約50kV以下，因?yàn)楫?dāng)存在連續(xù)起電過(guò)程時(shí)，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動(dòng)產(chǎn)生的靜電電位有所不同。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達(dá)幾千伏甚至幾萬(wàn)伏。3、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對(duì)外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負(fù)電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無(wú)法流失，就會(huì)聚集起來(lái)。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。浙江貼片ESD保護(hù)元件選型MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。

現(xiàn)行的 IEC61000—4—2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 的測(cè)試方法和實(shí)驗(yàn)平 臺(tái)仍存在一定局限性，需進(jìn)一步研究 和改進(jìn) 。ESD協(xié) 會(huì) WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標(biāo)準(zhǔn)化 國(guó)際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測(cè)試 的一致性，對(duì)現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)展 開(kāi)***的討論和完善 。但是我國(guó)相關(guān)領(lǐng)域 的工作開(kāi)展不多?，F(xiàn)行的 ESD抗擾度實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)是沿用原 IEC標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的制定和修改工作沒(méi)有與國(guó)際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測(cè)試方面仍然落后于西方發(fā)達(dá)國(guó)家。我過(guò)也在積極的開(kāi)展研究靜電放電測(cè)試方面的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成立了各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)。

靜電可以引起電氣絕緣和電子元器件擊穿是否正確？這一表述是合理的，工作電壓可以做到幾萬(wàn)元伏的，假如在電子元器件上邊一瞬間的話(huà)，便會(huì)擊穿里邊的一些電子器件?；鸹ǚ烹姇?huì)造成**的，損害醫(yī)生和病人；在煤礦業(yè)，則會(huì)造成煤層氣，會(huì)造成職工傷亡，煤礦損毀。總而言之，靜電傷害起因于用電力工程和靜電火苗，靜電傷害中**明顯的是靜電充放電造成易燃物的著火和。靜電的危害：身體長(zhǎng)期性在靜電輻射源下，會(huì)讓人煩躁不安、頭疼、胸悶氣短、呼吸不暢、干咳。在家庭生活之中，靜電不但化纖衣服有，腳底的毛毯、日常的塑膠用品、漆料家具直到各種各樣家用電器均很有可能發(fā)生靜電狀況。IEC61000-4-2是系統(tǒng)級(jí)靜電測(cè)試常用的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進(jìn)半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細(xì)引線(xiàn)、小間距、薄膜化使器件尺寸進(jìn)一步縮小，氧化層進(jìn)一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來(lái)越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線(xiàn)寬和間距越來(lái)越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來(lái)越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來(lái)越低。例如，現(xiàn)在通信設(shè)備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數(shù)百伏，低達(dá)100V，成為ESD高損傷率器件。ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”，也稱(chēng)靜電放電。湖南耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件電壓

在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路以提高器件的抗ESD能力。重慶HDMI接口ESD保護(hù)元件選型

靜電ESD保護(hù)元件選型注意事項(xiàng)：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測(cè)試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設(shè)計(jì)時(shí)考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說(shuō)過(guò)一句很經(jīng)典的話(huà)，在電路中，假如非萬(wàn)不得已不要增加多余的器件，每增加一個(gè)，就是增加失效風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計(jì)選型時(shí)盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。重慶HDMI接口ESD保護(hù)元件選型