湖南SD卡ESD保護(hù)元件封裝

防護(hù)管一般和被保護(hù)電路并聯(lián)。防護(hù)管的串聯(lián)寄生電感會阻止ESD脈沖瀉放到地，降低ESD防護(hù)能力。防護(hù)管的結(jié)電容產(chǎn)生的容抗和被保護(hù)電路I/0端口的特征阻抗并聯(lián)，當(dāng)防護(hù)管的結(jié)電容較大時，在高頻下的容抗較小，會嚴(yán)重改變接口的的阻抗特性和頻譜特性。防護(hù)器件的結(jié)電容是影響信號質(zhì)量的主要因素，在高頻接口要求防護(hù)器件的結(jié)電容要盡量小。現(xiàn)在各種電浪涌防護(hù)管的結(jié)電容要做到很小(小于2pF)還有較大難度，因此現(xiàn)有的防護(hù)器件直接用于GHz和Gbps以上的高頻接口的ESD防護(hù)將對信號質(zhì)量產(chǎn)生不可容忍的影響。防護(hù)器件要具有雙極性(雙向)防護(hù)功能，其響應(yīng)時間小于ns級時，對ESD脈沖才具有較好的防護(hù)效果，響應(yīng)速度越快其防護(hù)效果越好。防護(hù)管的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號峰值電平時也會對高頻信號產(chǎn)生限幅效應(yīng)，箝位電壓過高則ESD防護(hù)效果差，這增加了較高峰值能量的高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計的難度。ESD防護(hù)主要采用“過壓防護(hù)”的原理，通過隔離電路、鉗位電路、衰減電路等方式降低ESD的沖擊電壓。湖南SD卡ESD保護(hù)元件封裝

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號接口時，產(chǎn)品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計和制造通信產(chǎn)品時除了加強產(chǎn)品制造過程的ESD控制外，還要加強產(chǎn)品的ESD防護(hù)設(shè)計，尤其是高頻信號接口的ESD防護(hù)設(shè)計已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個重要環(huán)節(jié)。重慶SIM卡ESD保護(hù)元件電容ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導(dǎo)體等。

人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車間內(nèi)，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面，并盡可能保持濕潤。操作人員應(yīng)穿防靜電鞋，以減少人體帶電。如鋪有地毯應(yīng)夾織金屬絲，并與自來水管等接地體連接，以盡快導(dǎo)除靜電。(2)在易燃易爆場所，工作人員不應(yīng)穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場所的坐椅不宜采用人造革之類的高阻材料制造。(4)對高壓帶電體應(yīng)加屏蔽，人體應(yīng)避免與高速噴射的氣體接近，以防靜電感應(yīng)。避免靜電過量積累有幾種簡單易行的方法：***，到自然環(huán)境中去。有條件的話，在地上赤足運動一下，因為常見的鞋底都屬絕緣體，身體無法和大地直接接觸，也就無法釋放身上積累的靜電。第二，盡量少穿化纖類衣物，或者選用經(jīng)過防靜電處理的衣物。貼身衣服、被褥一定要選用純棉制品或真絲制品。同時，遠(yuǎn)離化纖地毯。第三，秋冬季要保持一定的室內(nèi)濕度，這樣靜電就不容易積累。室內(nèi)放上一盆清水或擺放些花草，可以緩解空氣中的靜電積累和灰塵吸附。第四，長時間用電腦或看電視后，要及時清洗裸露的皮膚，多洗手、勤洗臉，對消除皮膚上的靜電很有好處。第五，多飲水，同時補充鈣質(zhì)和維生素c，減輕靜電對人帶來的影響。

高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產(chǎn)品內(nèi)部接口的靜電放電風(fēng)險主要是在產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，當(dāng)制造環(huán)境和測試策略進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆漓o電控制后，ESD風(fēng)險能夠得到一定程度的降低，但是實際經(jīng)驗表明，這些內(nèi)部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達(dá)到+2000V以上才是比較安全的。通信產(chǎn)品外部接口的ESD風(fēng)險不僅存在于產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實際經(jīng)驗表明，這些外部接口的ESDS需要達(dá)到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應(yīng)選用防靜電能力強的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數(shù)。一般HBM參數(shù)應(yīng)不低于500V，CDM和MM參數(shù)應(yīng)不低工200V。ESD靜電保護(hù)元件可以做成陣列式，同時保護(hù)幾路數(shù)據(jù)線免遭ESD的損壞。

靜電ESD保護(hù)元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設(shè)計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風(fēng)險，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機率，所以設(shè)計選型時盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設(shè)計非常有利。湖南VGA接口ESD保護(hù)元件封裝

在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關(guān)二極管是比較廉價的方案。湖南SD卡ESD保護(hù)元件封裝

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測試過程中，電容會充電到數(shù)千伏（常見的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯(lián)到被測器件進(jìn)行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數(shù)信號衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對其他物體產(chǎn)生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產(chǎn)生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應(yīng)使得人體放電的等效電阻***變小。湖南SD卡ESD保護(hù)元件封裝