廣東高浪涌ESD保護元件電容

防靜電的四項基本原則是：原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導(dǎo)體實現(xiàn)等電位連接，避免因?qū)珟ъo電發(fā)生放電；原則二：靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制；原則三：靜電源包裝，出ESD防護區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響；原則四，ESD防護措施不能降低安全水準(zhǔn)，如安全與之***，安全第一。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護技術(shù)，如電子工業(yè)、半導(dǎo)體、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及興航與***領(lǐng)域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失。來明電子可提供多種類型的ESD靜電保護元件，并提供選型替代，國產(chǎn)化替代，具有較高的性價比。廣東高浪涌ESD保護元件電容

現(xiàn)行的 IEC61000—4—2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 的測試方法和實驗平 臺仍存在一定局限性，需進一步研究 和改進 。ESD協(xié) 會 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標(biāo)準(zhǔn)化 國際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測試 的一致性，對現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)展 開***的討論和完善 。但是我國相關(guān)領(lǐng)域 的工作開展不多?，F(xiàn)行的 ESD抗擾度實驗標(biāo)準(zhǔn)是沿用原 IEC標(biāo)準(zhǔn)，對標(biāo)準(zhǔn)的制定和修改工作沒有與國際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測試方面仍然落后于西方發(fā)達國家。我過也在積極的開展研究靜電放電測試方面的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成立了各項標(biāo)準(zhǔn)委員會。河南SD卡ESD保護元件應(yīng)用ESD靜電放電常見放電模型有：分別是HBM，MM, CDE。

高頻接口的ESD防護電路設(shè)計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產(chǎn)品內(nèi)部接口的靜電放電風(fēng)險主要是在產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，當(dāng)制造環(huán)境和測試策略進行適當(dāng)?shù)姆漓o電控制后，ESD風(fēng)險能夠得到一定程度的降低，但是實際經(jīng)驗表明，這些內(nèi)部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達到+2000V以上才是比較安全的。通信產(chǎn)品外部接口的ESD風(fēng)險不僅存在于產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實際經(jīng)驗表明，這些外部接口的ESDS需要達到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應(yīng)選用防靜電能力強的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數(shù)。一般HBM參數(shù)應(yīng)不低于500V，CDM和MM參數(shù)應(yīng)不低工200V。

ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機器模型與人體模型的差異較大，實際上機器的儲電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大于人體模式，同等電壓對器件的損害，機器模式遠大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設(shè)計非常有利。

高頻接口ESD防護電路的綜合設(shè)計法根據(jù)高頻電路的信號特征和ESD防護要求靈活選用各種防護器件、以及各種防護電路的組合形成防護效果好且高頻性能好的ESD防護電路。如TVS、開關(guān)二極管、R/L/C等元件以及二極管串并聯(lián)、匹配設(shè)計、濾波、隔離、衰減等措施可以同時使用在同一防護電路中，通過靈活的選擇搭配，并有效利用高頻電路的匹配手段設(shè)計***的防護電路。如圖4，電感!和TVS并聯(lián)在輸入端具有較好的ESD防護效果，其并聯(lián)諧振的高阻特性改善了端口的駐波性能，隔離電容和電阻衰減器也能起到ESD防護和改善駐波的作用。ESD靜電保護元件的浪涌防護等級可用IPP這個參數(shù)來表示。江蘇USB3.0接口ESD保護元件電容

ESD靜電保護元器件是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護設(shè)計的器件。廣東高浪涌ESD保護元件電容

現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現(xiàn)在通信設(shè)備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數(shù)百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。廣東高浪涌ESD保護元件電容

上海來明電子有限公司主要經(jīng)營范圍是電子元器件，擁有一支專業(yè)技術(shù)團隊和良好的市場口碑。公司業(yè)務(wù)分為TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等，目前不斷進行創(chuàng)新和服務(wù)改進，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司將不斷增強企業(yè)重點競爭力，努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識，遵守行業(yè)規(guī)范，植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。來明電子憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。