廣東USB TYPE C ESD保護(hù)元件測試

ESD防護(hù)電路對高頻信號質(zhì)量的影響與改進(jìn)。ESD防護(hù)電路的引入會影響電路的信號傳輸質(zhì)量，使信號的時延、頻響、電平等發(fā)生變化。在高頻電路中，防護(hù)電路引起電路參數(shù)的改變而影響電路的阻抗匹配，防護(hù)器件的導(dǎo)通特性也會引起信號的衰減、畸變、限幅等效應(yīng)。防護(hù)器件的結(jié)電容、箱位電壓(成導(dǎo)通電壓)是影響高頻信號質(zhì)量的關(guān)鍵因素。信號頻率高于1GHz時，直接采用TVS和開關(guān)二極管作ESD防護(hù)，其結(jié)電容很難滿足線路信號質(zhì)量的要求，此時需要采用降低防護(hù)電路并聯(lián)結(jié)電容的措施或采用LC高通濾波器結(jié)構(gòu)。為防止ESD器件在芯片正常工作時導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式。廣東USB TYPE C ESD保護(hù)元件測試

靜電ESD保護(hù)元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設(shè)計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風(fēng)險，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計選型時盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。廣東USB TYPE C ESD保護(hù)元件測試電阻不單獨(dú)用于芯片的靜電保護(hù)，它往往用于輔助的靜電保護(hù)，如芯片***級保護(hù)和第二級保護(hù)之間的限流電阻。

高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產(chǎn)品內(nèi)部接口的靜電放電風(fēng)險主要是在產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，當(dāng)制造環(huán)境和測試策略進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆漓o電控制后，ESD風(fēng)險能夠得到一定程度的降低，但是實(shí)際經(jīng)驗表明，這些內(nèi)部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達(dá)到+2000V以上才是比較安全的。通信產(chǎn)品外部接口的ESD風(fēng)險不僅存在于產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實(shí)際經(jīng)驗表明，這些外部接口的ESDS需要達(dá)到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應(yīng)選用防靜電能力強(qiáng)的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機(jī)器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數(shù)。一般HBM參數(shù)應(yīng)不低于500V，CDM和MM參數(shù)應(yīng)不低工200V。

降低防護(hù)器件結(jié)電容的設(shè)計方法當(dāng)防護(hù)器件的并聯(lián)結(jié)電容較大時，將對高頻信號產(chǎn)生“衰耗”作用，此時需要改進(jìn)防護(hù)電路的設(shè)計，降低結(jié)電容對信號質(zhì)量的影響。常用的設(shè)計方法有;A二極管偏置法二極管結(jié)電容隨反向偏升高而降低，對防護(hù)一極管施加話當(dāng)?shù)姆聪蚱珘嚎蛇m用更高頻率電路。B.二極管串聯(lián)法一-兩個相同防護(hù)二極管串聯(lián)可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當(dāng)防護(hù)二極管的結(jié)電容太大，可以對防護(hù)器件并聯(lián)小電感，使之和二極管結(jié)電容并聯(lián)諧振在工作信號頻率點(diǎn)，這時保護(hù)電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強(qiáng)防護(hù)。ESD靜電保護(hù)元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結(jié)電容可以做到0.1pF以內(nèi)。

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內(nèi)部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應(yīng)及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認(rèn)良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十?dāng)_是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經(jīng)通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現(xiàn)ADC的異常工作呢?ADC電路的設(shè)計肯定存在較薄弱的環(huán)節(jié)。檢查電路發(fā)現(xiàn),ADC存在模擬地和數(shù)字地,電路設(shè)計時為了使數(shù)字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數(shù)字地和模擬地之問跨接了磁珠進(jìn)行隔離。IEC61000-4-2是系統(tǒng)級靜電測試常用的測試標(biāo)準(zhǔn)。廣東USB TYPE C ESD保護(hù)元件測試

MM機(jī)器模型放電的波形與預(yù)料的家具模型波形相似，不同的是帶電電容較大。廣東USB TYPE C ESD保護(hù)元件測試

防護(hù)管一般和被保護(hù)電路并聯(lián)。防護(hù)管的串聯(lián)寄生電感會阻止ESD脈沖瀉放到地，降低ESD防護(hù)能力。防護(hù)管的結(jié)電容產(chǎn)生的容抗和被保護(hù)電路I/0端口的特征阻抗并聯(lián)，當(dāng)防護(hù)管的結(jié)電容較大時，在高頻下的容抗較小，會嚴(yán)重改變接口的的阻抗特性和頻譜特性。防護(hù)器件的結(jié)電容是影響信號質(zhì)量的主要因素，在高頻接口要求防護(hù)器件的結(jié)電容要盡量小。現(xiàn)在各種電浪涌防護(hù)管的結(jié)電容要做到很小(小于2pF)還有較大難度，因此現(xiàn)有的防護(hù)器件直接用于GHz和Gbps以上的高頻接口的ESD防護(hù)將對信號質(zhì)量產(chǎn)生不可容忍的影響。防護(hù)器件要具有雙極性(雙向)防護(hù)功能，其響應(yīng)時間小于ns級時，對ESD脈沖才具有較好的防護(hù)效果，響應(yīng)速度越快其防護(hù)效果越好。防護(hù)管的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號峰值電平時也會對高頻信號產(chǎn)生限幅效應(yīng)，箝位電壓過高則ESD防護(hù)效果差，這增加了較高峰值能量的高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計的難度。廣東USB TYPE C ESD保護(hù)元件測試

上海來明電子有限公司在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容一直在同行業(yè)中處于較強(qiáng)地位，無論是產(chǎn)品還是服務(wù)，其高水平的能力始終貫穿于其中。公司始建于2010-08-11，在全國各個地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。來明電子以TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容為主業(yè)，服務(wù)于電子元器件等領(lǐng)域，為全國客戶提供先進(jìn)TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容。產(chǎn)品已銷往多個國家和地區(qū)，被國內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認(rèn)可。