四川貼片ESD保護(hù)元件參數(shù)

在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見(jiàn)的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時(shí)，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過(guò)雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時(shí)，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄。四Ｊ较缕骷墓暮苄?，因此其抗ESD能力非常強(qiáng)。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護(hù)器件時(shí)往往會(huì)采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力，如此一來(lái)，缺點(diǎn)是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴(yán)重的是，對(duì)于高頻引腳而言，此方式會(huì)帶來(lái)較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。ESD靜電保護(hù)元件被廣泛應(yīng)用于各類(lèi)通信接口。四川貼片ESD保護(hù)元件參數(shù)

靜電是物體表面過(guò)?；虿蛔愕撵o止電荷，是通過(guò)電子或離子的轉(zhuǎn)移而形成的。一般固體靜電電壓可以達(dá)到20萬(wàn)伏以上，液體靜電電壓可以達(dá)到數(shù)萬(wàn)伏以上，人體靜電電壓可以達(dá)到1萬(wàn)伏以上。一般工業(yè)生產(chǎn)中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)，設(shè)備或人體上的靜電位比較高可達(dá)數(shù)萬(wàn)伏以至數(shù)千萬(wàn)伏。靜電較之流電受環(huán)境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測(cè)量時(shí)復(fù)現(xiàn)性差、瞬態(tài)現(xiàn)象多。測(cè)量靜電是為靜電防護(hù)工程設(shè)計(jì)和改善產(chǎn)品自身抗靜電性能設(shè)計(jì)，提供數(shù)據(jù)和依據(jù)。四川貼片ESD保護(hù)元件參數(shù)ESD靜電保護(hù)元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結(jié)電容可以做到0.1pF以內(nèi)。

人體靜電電壓比較高可達(dá)約50kV以下，因?yàn)楫?dāng)存在連續(xù)起電過(guò)程時(shí)，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動(dòng)產(chǎn)生的靜電電位有所不同。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達(dá)幾千伏甚至幾萬(wàn)伏。3、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對(duì)外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負(fù)電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無(wú)法流失，就會(huì)聚集起來(lái)。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強(qiáng)的器件。當(dāng)陽(yáng)極出現(xiàn)PositiveESDPulse時(shí)，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過(guò)電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開(kāi)啟，陽(yáng)極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過(guò)程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強(qiáng)烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強(qiáng)，微分電阻也非常小。在陽(yáng)極出現(xiàn)NegativeESDPulse時(shí)，電流可通過(guò)正偏的陰極P+/陽(yáng)極N+釋放。目前ESD靜電保護(hù)元件結(jié)電容可做到0.1pF以內(nèi)。

國(guó)際電工委員會(huì)(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2來(lái)評(píng)價(jià)電子設(shè)備的ESD抗擾度等級(jí)。但人們?cè)谘芯快o電放電的危害時(shí)，主要關(guān)心的是靜電放電產(chǎn)生的注入電流對(duì)電火工品、電子器件、電子設(shè)備及其他一些靜電敏感系統(tǒng)的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應(yīng)，直到20世紀(jì)90年代初Wilson才***提出ESD過(guò)程中產(chǎn)生的輻射場(chǎng)影響。IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)雖幾經(jīng)修改，規(guī)范了ESD模擬器對(duì)水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒(méi)有關(guān)于ESD輻射場(chǎng)的明確規(guī)定，對(duì)ESD模擬器也*規(guī)定了放電電流的典型波形和4個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)參數(shù)。通常被測(cè)設(shè)備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場(chǎng)影響的。許多學(xué)者在實(shí)際測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)，由于ESD模擬器內(nèi)部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)要求的不同END模擬器所得測(cè)試結(jié)果并不相同。靜電保護(hù)元件可提供多種封裝形式。湖北貼片ESD保護(hù)元件電容

來(lái)明電子可提供多種類(lèi)型的ESD靜電保護(hù)元件，并提供選型替代，國(guó)產(chǎn)化替代，具有較高的性價(jià)比。四川貼片ESD保護(hù)元件參數(shù)

ESD防護(hù)電路對(duì)高頻信號(hào)質(zhì)量的影響與改進(jìn)。ESD防護(hù)電路的引入會(huì)影響電路的信號(hào)傳輸質(zhì)量，使信號(hào)的時(shí)延、頻響、電平等發(fā)生變化。在高頻電路中，防護(hù)電路引起電路參數(shù)的改變而影響電路的阻抗匹配，防護(hù)器件的導(dǎo)通特性也會(huì)引起信號(hào)的衰減、畸變、限幅等效應(yīng)。防護(hù)器件的結(jié)電容、箱位電壓(成導(dǎo)通電壓)是影響高頻信號(hào)質(zhì)量的關(guān)鍵因素。信號(hào)頻率高于1GHz時(shí)，直接采用TVS和開(kāi)關(guān)二極管作ESD防護(hù)，其結(jié)電容很難滿足線路信號(hào)質(zhì)量的要求，此時(shí)需要采用降低防護(hù)電路并聯(lián)結(jié)電容的措施或采用LC高通濾波器結(jié)構(gòu)。四川貼片ESD保護(hù)元件參數(shù)

上海來(lái)明電子有限公司成立于2010-08-11，位于靈山路1000弄2號(hào)808，公司自成立以來(lái)通過(guò)規(guī)范化運(yùn)營(yíng)和高質(zhì)量服務(wù)，贏得了客戶及社會(huì)的一致認(rèn)可和好評(píng)。本公司主要從事TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容領(lǐng)域內(nèi)的TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊(duì)伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，并始終如一地堅(jiān)守這一原則，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求，產(chǎn)品獲得市場(chǎng)及消費(fèi)者的高度認(rèn)可。上海來(lái)明電子有限公司以先進(jìn)工藝為基礎(chǔ)、以產(chǎn)品質(zhì)量為根本、以技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力，開(kāi)發(fā)并推出多項(xiàng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產(chǎn)品，確保了在TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)。