壓敏電阻的選用及注意事項：選用壓敏電阻器前，應先了解以下相關(guān)技術(shù)參數(shù)：標稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下，壓敏電阻器兩端的電壓值[1]。漏電流是指在25℃條件下，當施加比較大連續(xù)直流電壓時，壓敏電阻器中流過的電流值。等級電壓是指壓敏電阻中通過8/20等級電流脈沖時在其兩端呈現(xiàn)的電壓峰值[1]。通流量是表示施加規(guī)定的脈沖電流（8/20μs）波形時的峰值電流[1]。浪涌環(huán)境參數(shù)包括比較大浪涌電流Ipm（或比較大浪涌電壓Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脈沖寬度Tt、相鄰兩次浪涌的**小時間間隔Tm以及在壓敏電阻器的預定工作壽命期內(nèi)，浪涌脈沖的總次數(shù)N等。 壓敏電阻直徑尺寸有：5mm、7mm、10mm、14mm、20mm、25mm、32mm、34mm、40mm、53mm。湖南環(huán)氧樹脂壓敏電阻MOV
氧化鋅壓敏電阻器的瓷體，屬于半導體，包括了94％-98％的氧化鋅和2-6％的添加劑(例如，氧化鉍、氧化鈷、氧化錳、氧化鎳、氧化銻、氧化硼、氧化鉻、氧化硅等氧化物)。但是，氧化鋅壓敏電阻器的表面電阻率低和存在氧化物顆粒，電鍍時容易產(chǎn)生金屬ni和sn鍍在瓷體上，即產(chǎn)生“爬鍍”現(xiàn)象，從而使兩個端電極短路，導致變阻器成為導體。為避免爬鍍現(xiàn)象的發(fā)生，一般需要對瓷體進行表面處理，使其表面絕緣化，且不易產(chǎn)生爬鍍。玻璃包封工藝，是一種常用的表面處理技術(shù)，具體是先制備玻璃粉，以玻璃粉為主要成分加入有機添加劑等制備成玻璃漿料，然后通過噴涂設(shè)備對產(chǎn)品進行多面多次的噴涂方式在電子元器件上包覆一層絕緣玻璃層。這種方法工藝不僅繁瑣、操作次數(shù)多，需要特定的噴涂設(shè)備和裝置，而且在噴涂漿料的過程中，容易出現(xiàn)漿料流掛、不均勻的現(xiàn)象，導致后續(xù)電鍍出現(xiàn)爬鍍、燒結(jié)后產(chǎn)品外觀出現(xiàn)凹坑、粘片、脫落等問題。高分子絕緣材料進行涂覆包裹的方法在實際生產(chǎn)中也需要特定的夾具和設(shè)備，操作要求高，對于小型化器件處理不利于操作。顯然，這兩種表面處理的使用方面受到了限制，并不適用于簡單、批量化處理電子元器件。上海壓敏電阻MOV參數(shù)壓敏電阻器的保護功能，絕大多數(shù)應用場合下，是可以多次反復作用的。
壓敏電阻的失效模式有三種：一是劣化，表現(xiàn)為泄漏電流增加，壓敏電阻電壓下降，直至為零。如果過電壓引起的浪涌能量過大，超過了所選變阻器限值的承載能力，變阻器抑制過電壓時會出現(xiàn)陶瓷爆裂現(xiàn)象。第三種穿孔，如果峰值過電壓特別高，壓敏電阻的大多數(shù)故障模式都會退化。解決方法是在使用變阻器時，將合適的斷路器或熔斷器串聯(lián)在變阻器上，以避免短路引起的事故。總之，當變阻器吸收浪涌時，它會崩潰，當電壓降低時，它的工作電流會過大，直到燒壞；如果發(fā)生爆裂（封裝層破裂，引線與陶瓷體分離），電路將斷開，導致保護失效；如果短路，它會燒壞。當變阻器的使用環(huán)境或濕度過高時，變阻器會惡化（崩潰電壓降低），使其工作電流過大，直到燒壞或短路。當變阻器的工作電壓超過額定工作電壓時，變阻器會劣化（崩潰電壓會降低），使其工作電流過大，直到燒壞或短路為止。
在壓敏電阻各種不同的應用中，要用到I-V特性曲線的所有區(qū)段，小電流線性區(qū)決定了功耗，即決定外加穩(wěn)態(tài)電壓時的工作電壓。非線性區(qū)決定著施加瞬態(tài)浪涌時的限制電壓。高電流區(qū)的特性**了保護大電流沖擊比如雷電的極限情況。因此對于高電流運用情況，我們希望元件的上升出現(xiàn)在盡可能高的電流密度區(qū)段，這樣會使元件電壓上升**小。以下將介紹壓敏電阻器的主要應用參數(shù)及其功能。研究表明在室溫下ZnO晶粒的電阻率為()x10m，晶界區(qū)的電阻率約為(108~1010Ωm，而晶界的厚度基本是一定的，并且研究表明不同的材料、配方以及不同測定晶界電阻率的測試技術(shù)的情況下，所得到的晶界電阻率基本上是很接近的。因此決定壓敏電壓高低的主要因素是元件的尺寸和晶粒的尺寸。晶粒大小是獲得所要求的元件的電壓的構(gòu)成單元。也就是說，這是壓敏電壓的體積效應。為提高壓敏電壓，只要增加元件尺寸(晶粒尺寸一定)或者減少晶粒尺寸(元件尺寸一定)。對于一個固定的配方，晶粒大小的主要影響因素有:燒結(jié)溫度、保溫時間、原料的顆粒度。此外還可以在配方中引入一些新的添加劑，在燒結(jié)過程中抑制晶粒的長大或者改變晶界電阻率來提高元件的電壓梯度。壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千Pf的數(shù)量級范圍。
高電位梯度ZnO壓敏電阻的比較大優(yōu)勢是在使用過程中能夠在更小的體積小獲得更高的保護電壓，但是壓敏元件的能量吸收能力是以J/cm來衡量的，假設(shè)元件的能量吸收能力保持不變，元件體積的減小為原來的二分之一，必然導致元件所能抵擋的浪涌沖擊的能量值減少到原來的一半，因此只有在其電位梯度提高的同時提高其能量吸收能力(二者應基本滿足同比例增長)，才能保證電位梯度的提高有意義。ZnO壓敏電阻片破壞主要是由于電阻片內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)的不均勻性導致電流分布不均勻，電阻片內(nèi)部產(chǎn)生熱應力，使其炸裂和擊穿，因此提高微觀均勻性是提高電阻片能量耐受密度的根本。**（20mm）壓敏電阻的通流量一般為6.5kA，高焦耳產(chǎn)品通流量一般為10kA。環(huán)氧樹脂壓敏電阻MOV功率
壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，所以它是半導體電阻器的一個品種。湖南環(huán)氧樹脂壓敏電阻MOV
1.壓敏電壓：指在規(guī)定的溫度和直流（一般為1mA或0.1mA）下，壓敏電阻器兩端的電壓值。記為V1mA或V0.1mAo2.比較大連續(xù)電壓：指在規(guī)定環(huán)境溫度下，能長期持續(xù)加在壓敏電阻器兩端的比較大正弦交流電壓有效值或比較大直流電壓值3.限制電壓：指在壓敏電阻器中通過規(guī)定大小的沖擊電流（8,20μs）時，其兩端的最大電壓峰值。4.額定功率：指在規(guī)定的環(huán)境溫度下，可施加給壓敏電阻器的比較大平均沖擊功率。5.比較大能量：在壓敏電壓變化不超過±10%，沖擊電流波形為10,1000μs或2ms的條件下，可施加給壓敏電阻的比較大一次沖擊能量。6.通流容量（比較大沖擊電流）湖南環(huán)氧樹脂壓敏電阻MOV
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