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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-17

比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規(guī)定的試驗(yàn)脈沖波形和各種TVS的PM值,請(qǐng)查閱有關(guān)產(chǎn)品手冊(cè)。在給定的比較大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大;在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續(xù)時(shí)間和環(huán)境溫度有關(guān)。而且TVS所能承受的瞬態(tài)脈沖是不重復(fù)的,器件規(guī)定的脈沖重復(fù)頻率(持續(xù)時(shí)間與間歇時(shí)間之比)為0.01%,如果電路內(nèi)出現(xiàn)重復(fù)性脈沖,應(yīng)考慮脈沖功率的“累積”,有可能使TVS損壞。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA進(jìn)行浪涌保護(hù)。北京貼片TVSSMA

引發(fā) TVS 短路的**典型的原因是管芯與內(nèi)引線組件、底座銅片燒結(jié)不良,在燒結(jié)界面出現(xiàn)大面積空洞,空洞可能是由于焊料不均勻或粘結(jié)界面各層材料玷污、氧化使焊料沾潤(rùn)不良,造成燒焊時(shí)焊料與芯片或金屬電極沒(méi)有良好的熔合焊接引起的??斩疵娣e較大時(shí),電流在燒結(jié)點(diǎn)附近匯聚,管芯散熱困難,造成熱電應(yīng)力集中,產(chǎn)生局部熱點(diǎn),嚴(yán)重時(shí)引起熱奔,使器件燒毀。對(duì)這些燒毀的器件。進(jìn)行解剖分析,可以看到有芯片局部較深的熔融:空洞面積較小時(shí),可加速焊料熱疲勞,使焊料層會(huì)產(chǎn)生疲勞龜裂,引起器件熱阻增大,**終導(dǎo)致器件。過(guò)熱燒毀。湖北1.0SMBTVSSMATVS的漏電流對(duì)環(huán)境溫度較敏感,一般隨著溫度的升高二增大。

將TVS二極管加在信號(hào)及電源線上,能防止微處理器或單片機(jī)因瞬間的脈沖,如靜電放電效應(yīng)、交流電源之浪涌及開(kāi)關(guān)電源的噪音所導(dǎo)致的失靈。2、靜電放電效應(yīng)能釋放超過(guò)10000V、60A以上的脈沖,并能持續(xù)10ms;而一般的TTL器件,遇到超過(guò)30ms的10V脈沖時(shí),便會(huì)導(dǎo)至損壞。利用TVS二極管,可有效吸收會(huì)造成器件損壞的脈沖,并能消除由總線之間開(kāi)關(guān)所引起的干擾(Crosstalk)。3、將TVS二極管放置在信號(hào)線及接地間,能避免數(shù)據(jù)及控制總線受到不必要的噪聲影響。

參數(shù)①最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續(xù)工作的直流或脈沖電壓,當(dāng)這個(gè)反向電壓加入TVS的兩極間時(shí),它處于反向關(guān)斷狀態(tài),流過(guò)它的電流應(yīng)小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時(shí),在這個(gè)電壓之前,TVS是不導(dǎo)通的。當(dāng)TVS流過(guò)規(guī)定的1mA電流(IR)時(shí),加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標(biāo)準(zhǔn)值的離散程度,可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對(duì)于±5%VBR來(lái)說(shuō),VWM=0.85VBR;對(duì)于±10%VBR來(lái)說(shuō),VWM=0.81VBR。單向電路中可選用單向TVS進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)。

根據(jù)PN結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同,利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開(kāi)關(guān)二極管,利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管;利用高摻雜PN結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管;利用結(jié)電容隨外電壓變化效應(yīng)制作變?nèi)荻O管。使半導(dǎo)體的光電效應(yīng)與PN結(jié)相結(jié)合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質(zhì)結(jié)的載流子注入與復(fù)合可以制造半導(dǎo)體激光二極管與半導(dǎo)體發(fā)光二極管;利用光輻射對(duì)PN結(jié)反向電流的調(diào)制作用可以制成光電探測(cè)器;利用光生伏***應(yīng)可制成太陽(yáng)電池。此外,利用兩個(gè)PN結(jié)之間的相互作用可以產(chǎn)生放大,振蕩等多種電子功能。PN結(jié)是構(gòu)成雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的**,是現(xiàn)代電子技術(shù)的基礎(chǔ)。在二級(jí)管中廣泛應(yīng)用。SMC封裝的TVS功率比較大可做到8kW。重慶定制TVSSMB

TVS的短路擊穿分為軟擊穿和硬擊穿,硬擊穿一般是漏電流增大。北京貼片TVSSMA

實(shí)際產(chǎn)品中,**常用的浪涌測(cè)試波形為1.2/50us和10/700us,如何將TVS承受浪涌功率從10/1000us波形下?lián)Q算到其他波形呢,這就需要看Spec中的另一個(gè)曲線圖:通過(guò)上圖可以查出,1.2/50us波形所對(duì)應(yīng)脈沖寬度50us,對(duì)應(yīng)峰值功率為2200W左右。那么這種情況下,反算脈沖峰值電流為2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在電源端口,在共模時(shí),浪涌發(fā)生器內(nèi)阻為12歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在電源端口,在差模時(shí),浪涌發(fā)生器內(nèi)阻為2歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非對(duì)稱信號(hào)端口,無(wú)論差模共模,浪涌發(fā)生器內(nèi)阻為42歐姆,那么所能承受的電壓為:90.16A*42ohm=3786.9V。從上面我們可以看出,一個(gè)TVS所能承受的比較大浪涌電壓,不僅與自身的參數(shù)相關(guān)(比較大承受功率、鉗位電壓等),也和其在電路的位置息息相關(guān)(浪涌發(fā)生器的內(nèi)阻值非常重要)。北京貼片TVSSMA

上海來(lái)明電子有限公司位于靈山路1000弄2號(hào)808,擁有一支專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬是上海來(lái)明電子有限公司的主營(yíng)品牌,是專業(yè)的一般項(xiàng)目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動(dòng)工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售,電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng))。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外。憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)) 許可項(xiàng)目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng),具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))公司,擁有自己**的技術(shù)體系。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力,多年來(lái)一直專注于一般項(xiàng)目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動(dòng)工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售,電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng))。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外。憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)) 許可項(xiàng)目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng),具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))的發(fā)展和創(chuàng)新,打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。誠(chéng)實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)要求,也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的TVS、ESD、MOV,放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容。