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當(dāng) PN 結(jié)的反向偏壓較高時，會發(fā)生由于碰撞電離引發(fā)的電擊穿，即雪崩擊穿。存在于半導(dǎo)體晶體中的自由載流子在耗盡區(qū)內(nèi)建電場的作用下被加速其能量不斷增加，直到與半導(dǎo)體晶格發(fā)生碰撞，碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產(chǎn)生新的電子空穴對。新的電子空穴對又分別被加速與晶格發(fā)生碰撞，如果平均每個電子（或空穴）在經(jīng)過耗盡區(qū)的過程中可以產(chǎn)生大于 1 對的電子空穴對，那么該過程可以不斷被加強(qiáng)，**終達(dá)到耗盡區(qū)載流子數(shù)目激增，PN 結(jié)發(fā)生雪崩擊穿。SMAF或SMBF封裝的TVS是扁平化的TVS封裝類型，比較薄，節(jié)約PCB空間。山東SM8STVS廠家

TVS和齊納穩(wěn)壓管都能用作穩(wěn)壓，但是齊納擊穿電流更小，大于10V的穩(wěn)壓只有1mA，相對來說要比齊納二極管擊穿電流要大不少，但是齊納二極管穩(wěn)壓精度可以做的比較高。在電路中一般工作于反向截止?fàn)顟B(tài)，此時它不影響電路的任何功能。TVS在規(guī)定的反向應(yīng)用條件下，當(dāng)電路中由于雷電、各種電器干擾出現(xiàn)大幅度的瞬態(tài)干擾電壓或脈沖電流時，它在極短的時間內(nèi)（比較高可達(dá)到1×10-12秒）迅速轉(zhuǎn)入反向?qū)顟B(tài)，并將電路的電壓箝位在所要求的安全數(shù)值上，從而有效的保護(hù)電子線路中精密元器件免受損壞。廣東貼片TVS訂制相同功率的TVS，工作電壓越高，通流量越低。

5、對于數(shù)據(jù)接口電路的保護(hù)，還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件。6、根據(jù)用途選用TVS的極性及封裝結(jié)構(gòu)。交流電路選用雙極性TVS較為合理；多線保護(hù)選用TVS陣列更為有利。7、溫度考慮。瞬態(tài)電壓抑制器可以在－55~+150℃之間工作。如果需要TVS在一個變化的溫度工作，由于其反向漏電流ID是隨增加而增大；功耗隨TVS結(jié)溫增加而下降，從+25℃到+175℃，大約線性下降50%雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數(shù)增加。因此，必須查閱有關(guān)產(chǎn)品資料，考慮溫度變化對其特性的影響。

來明電子團(tuán)隊在電路保護(hù)領(lǐng)域深耕多年，從產(chǎn)品選型到技術(shù)支持提供一站式解決方案。我們?yōu)榭蛻籼峁┤盗蠺VS產(chǎn)品，瞬態(tài)峰值脈沖功率等級從200W至30000W，另有可替代MOV用超級TVS產(chǎn)品，產(chǎn)品電流可達(dá)16kA。產(chǎn)品封裝類型有SOD-123，SOD-123FL，SMA,SMAF,SMB,SMBF,DO-15,DO-41,DO-201、DO-218AB等。并可提供車規(guī)級TVS器件，特殊需求可根據(jù)客戶要求定制。我們嚴(yán)格篩選生產(chǎn)供應(yīng)商，制定供應(yīng)商評估體系，在產(chǎn)品質(zhì)量、發(fā)貨速度、售后服務(wù)、交貨方面進(jìn)行嚴(yán)格考核，持續(xù)為客戶提供***產(chǎn)品。所有合作伙伴均通過相關(guān)國際質(zhì)量管理體系認(rèn)證，擁有專業(yè)生產(chǎn)基地和實驗室、**的自動化設(shè)備生產(chǎn)線，保證產(chǎn)品高標(biāo)準(zhǔn)、高質(zhì)量、批量化生產(chǎn)。車規(guī)級TVS要求具有較高的可靠性，一般要通過AEC-Q認(rèn)證要求。

熱電擊穿：當(dāng)pn結(jié)施加反向電壓時，流過pn結(jié)的反向電流要引起熱損耗。反向電壓逐漸增大時，對于一定的反向電流所損耗的功率也增大，這將產(chǎn)生大量熱量。如果沒有良好的散熱條件使這些熱能及時傳遞出去，則將引起結(jié)溫上升。這種由于熱不穩(wěn)定性引起的擊穿，稱為熱電擊穿。擊穿電壓的溫度特性：溫度升高后，晶格振動加劇，致使載流子運(yùn)動的平均自由路程縮短，碰撞前動能減小，必須加大反向電壓才能發(fā)生雪崩擊穿具有正的溫度系數(shù)，但溫度升高，共價鍵中的價電子能量狀態(tài)高，從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負(fù)的溫度系數(shù)。來明電子在電路保護(hù)行業(yè)深耕數(shù)十年，具有豐富的經(jīng)驗。江西SM8STVS生產(chǎn)

TVS是一種鉗位型的過壓保護(hù)器件。山東SM8STVS廠家

齊納擊穿：齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度很高的PN結(jié)內(nèi)。由于摻雜濃度很高，PN結(jié)很窄，這樣即使施加較小的反向電壓（5V以下），結(jié)層中的電場卻很強(qiáng)（可達(dá)2.5×105V/m左右）。在強(qiáng)電場作用下，會強(qiáng)行促使PN結(jié)內(nèi)原子的價電子從共價鍵中拉出來，形成"電子一空穴對"，從而產(chǎn)生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下，形成很大的反向電流，出現(xiàn)了擊穿。顯然，齊納擊穿的物理本質(zhì)是場致電離。采取適當(dāng)?shù)膿诫s工藝，將硅PN結(jié)的雪崩擊穿電壓可控制在8～1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5～8V之間兩種擊穿可能同時發(fā)生。山東SM8STVS廠家

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