重慶RS485接口ESD保護(hù)元件選型

靜電是物體表面過(guò)?；虿蛔愕撵o止電荷，是通過(guò)電子或離子的轉(zhuǎn)移而形成的。一般固體靜電電壓可以達(dá)到20萬(wàn)伏以上，液體靜電電壓可以達(dá)到數(shù)萬(wàn)伏以上，人體靜電電壓可以達(dá)到1萬(wàn)伏以上。一般工業(yè)生產(chǎn)中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)，設(shè)備或人體上的靜電位比較高可達(dá)數(shù)萬(wàn)伏以至數(shù)千萬(wàn)伏。靜電較之流電受環(huán)境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測(cè)量時(shí)復(fù)現(xiàn)性差、瞬態(tài)現(xiàn)象多。測(cè)量靜電是為靜電防護(hù)工程設(shè)計(jì)和改善產(chǎn)品自身抗靜電性能設(shè)計(jì)，提供數(shù)據(jù)和依據(jù)。ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”，也稱靜電放電。重慶RS485接口ESD保護(hù)元件選型

ESD靜電放電機(jī)器模型,機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機(jī)器模型與人體模型的差異較大，實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機(jī)器模型放電時(shí)沒(méi)有電阻，且儲(chǔ)電電容大于人體模式，同等電壓對(duì)器件的損害，機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過(guò)程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過(guò)管腳與地接觸時(shí)，發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的。天津低電容ESD保護(hù)元件測(cè)試多層壓敏電阻作為ESD靜電保護(hù)元件，具有較高的成本優(yōu)勢(shì)。

現(xiàn)行的 IEC61000—4—2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 的測(cè)試方法和實(shí)驗(yàn)平 臺(tái)仍存在一定局限性，需進(jìn)一步研究 和改進(jìn) 。ESD協(xié) 會(huì) WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標(biāo)準(zhǔn)化 國(guó)際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測(cè)試 的一致性，對(duì)現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)展 開(kāi)***的討論和完善 。但是我國(guó)相關(guān)領(lǐng)域 的工作開(kāi)展不多?，F(xiàn)行的 ESD抗擾度實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)是沿用原 IEC標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的制定和修改工作沒(méi)有與國(guó)際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測(cè)試方面仍然落后于西方發(fā)達(dá)國(guó)家。我過(guò)也在積極的開(kāi)展研究靜電放電測(cè)試方面的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成立了各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)。

靜電ESD保護(hù)元件選型注意事項(xiàng)：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測(cè)試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設(shè)計(jì)時(shí)考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說(shuō)過(guò)一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬(wàn)不得已不要增加多余的器件，每增加一個(gè)，就是增加失效風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計(jì)選型時(shí)盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。ESD靜電保護(hù)元件一般并聯(lián)在電流中使用。

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來(lái)模擬。在測(cè)試過(guò)程中，電容會(huì)充電到數(shù)千伏（常見(jiàn)的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯(lián)到被測(cè)器件進(jìn)行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時(shí)間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數(shù)信號(hào)衰減波形。如果帶電人體通過(guò)其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對(duì)其他物體產(chǎn)生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產(chǎn)生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應(yīng)使得人體放電的等效電阻***變小。ESD靜電保護(hù)元件的浪涌防護(hù)等級(jí)可用IPP這個(gè)參數(shù)來(lái)表示。上海BNC接口ESD保護(hù)元件應(yīng)用

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過(guò)外殼流向大地，另一條通過(guò)內(nèi)部PCB流向大地。重慶RS485接口ESD保護(hù)元件選型

公司從事TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容，本公司擁有專業(yè)的品質(zhì)管理人員。專業(yè)經(jīng)營(yíng)范圍涉及：一般項(xiàng)目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動(dòng)工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng))。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外。憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)) 許可項(xiàng)目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))等，為了加強(qiáng)自身競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，引進(jìn)了先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及代理于一體，實(shí)行多元化的創(chuàng)新經(jīng)營(yíng)方式。隨著電子元器件行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，市場(chǎng)日趨飽和，粗放式管理的缺陷日益暴露，導(dǎo)致電子元器件行業(yè)企業(yè)利潤(rùn)不同程度的下滑，要想滿足行業(yè)內(nèi)客戶個(gè)性化的需求，適應(yīng)未來(lái)的發(fā)展，就需要不斷提升提高企業(yè)自身管理水平以及鍵詞競(jìng)爭(zhēng)力。近年來(lái)，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不斷發(fā)展、消費(fèi)電子產(chǎn)品制造水平提高和居民收入水平增加等因素的驅(qū)動(dòng)下，電子元器件行業(yè)呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)。未來(lái)隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)、新型顯示等新興技術(shù)與消費(fèi)電子產(chǎn)品的融合，這會(huì)使得電子元器件行業(yè)需求量持續(xù)增加，同樣帶動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。近幾年順應(yīng)國(guó)家信息化企業(yè)上云、新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換、互聯(lián)網(wǎng)+、經(jīng)濟(jì)政策等號(hào)召，通過(guò)大數(shù)據(jù)管理，充分考慮到企業(yè)的當(dāng)前需求及未來(lái)管理的需要不斷迭代，在各電子元器件行業(yè)內(nèi)取得不俗成績(jī)。企業(yè)在結(jié)合現(xiàn)實(shí)提供出解決方案同時(shí)，也融入世界管理先進(jìn)管理理念，幫助企業(yè)建立以客戶為中心的經(jīng)營(yíng)理念、組織模式、業(yè)務(wù)規(guī)則及評(píng)估體系，進(jìn)而形成一套整體的科學(xué)管控體系。從而更進(jìn)一步提高企業(yè)管理水平及綜合競(jìng)爭(zhēng)力。重慶RS485接口ESD保護(hù)元件選型

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