廣東5KATVS孤光電壓

對于做汽車電子硬件設(shè)計(jì)的工程師來說，ISO7627-2這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是***不會陌生，這個(gè)測試項(xiàng)目就是電源線瞬態(tài)傳導(dǎo)抗擾度，只因?yàn)殡娫淳€瞬態(tài)傳導(dǎo)抗擾度的這幾個(gè)測試波形太出名了，分別是波形1，2a，2b，3a，3b，4，5a，5b（如下截圖是從ISO7637-2 2004版中截取的，在2011版的ISO7637中波形1和2a這兩個(gè)的測試脈沖數(shù)已經(jīng)改成500了）。對于從1到4的幾個(gè)波形，基本上都是一些時(shí)間極短的脈沖，雖然正負(fù)電壓的幅值很高，但是能量很小，基本上電路上不用做太多特殊的防護(hù)，單靠一般的電源芯片的電氣特性就能防護(hù)下來，而對5a，5b波形，就需要做專門的應(yīng)對了，而應(yīng)對方法就是增加一個(gè)防浪涌的TVS管了。來明電子具有大量常用TVS現(xiàn)貨產(chǎn)品。廣東5KATVS孤光電壓

TVS的電路符號與普通穩(wěn)壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結(jié)雪崩器件。在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用***過TVS的電流，由原來的反向漏電流ID上升到IR時(shí)，其兩極呈現(xiàn)的電壓由額定反向關(guān)斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR，TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現(xiàn)，流過TVS的電流達(dá)到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預(yù)定的比較大箝位電壓以下。而后，隨著脈沖電流按指數(shù)衰減，TVS兩極的電壓也不斷下降，***恢復(fù)到起始狀態(tài)。這就是TVS抑制可能出現(xiàn)的浪涌脈沖功率，保護(hù)電子元器件的整個(gè)過程。100KATVS殘壓TVS是一種鉗位型的過壓保護(hù)器件。

這里說的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管（本文簡稱ESD管）和防浪涌用的大功率TVS管（本文簡稱浪涌管）。這里說的浪涌測試標(biāo)準(zhǔn)指TVS器件規(guī)格書上標(biāo)明的測試標(biāo)準(zhǔn)：IEC61000-4-2Level4ESDProtection——靜電測試標(biāo)準(zhǔn)，必須通過，提供測試數(shù)據(jù)IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分廠家才會提供數(shù)據(jù)IEC61000-4-5（8/20us）——浪涌測試標(biāo)準(zhǔn)，必須通過，提供測試數(shù)據(jù)下面是安森美ESD5481MUT5G，用在一般信號線上的ESD管規(guī)格書提供的信息，人家一個(gè)小管子，完成了三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的測試。

當(dāng)TVS管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時(shí)，它能以極高的速度（比較高達(dá)1/(10^12)秒）使其阻抗驟然降低，同時(shí)吸收一個(gè)大電流，將其兩端間的電壓箝位在一個(gè)預(yù)定的數(shù)值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊而損壞。如果是使用的話，TVS有二極管類，和壓敏電阻類。我個(gè)人認(rèn)為壓敏電阻類更有優(yōu)勢，***用于手機(jī)，LCD模組，及一些比較精密的手持設(shè)備。特別是出口歐洲的產(chǎn)品一般都要加，來作為靜電防護(hù)的主要手段之一。。。。。。。。TVS的鉗位電壓與流過本體的電流成正比，電流越大，鉗位電壓也越高。

比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當(dāng)持續(xù)時(shí)間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時(shí)，在其兩極間出現(xiàn)的比較大峰值電壓為VC。它是串聯(lián)電阻上和因溫度系數(shù)兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子，一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結(jié)截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C過大將使信號衰減。因此，C是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS的重要參數(shù)。。。。SMAF或SMBF封裝的TVS是扁平化的TVS封裝類型，比較薄，節(jié)約PCB空間。江西圓形TVS

TVS的結(jié)電容與TVS的功率成正比，相同電壓下功率越大，結(jié)電容也越大。廣東5KATVS孤光電壓

齊納擊穿：齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度很高的PN結(jié)內(nèi)。由于摻雜濃度很高，PN結(jié)很窄，這樣即使施加較小的反向電壓（5V以下），結(jié)層中的電場卻很強(qiáng)（可達(dá)2.5×105V/m左右）。在強(qiáng)電場作用下，會強(qiáng)行促使PN結(jié)內(nèi)原子的價(jià)電子從共價(jià)鍵中拉出來，形成"電子一空穴對"，從而產(chǎn)生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下，形成很大的反向電流，出現(xiàn)了擊穿。顯然，齊納擊穿的物理本質(zhì)是場致電離。采取適當(dāng)?shù)膿诫s工藝，將硅PN結(jié)的雪崩擊穿電壓可控制在8～1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5～8V之間兩種擊穿可能同時(shí)發(fā)生。廣東5KATVS孤光電壓

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