江蘇壓敏電阻MOV參數(shù)

壓敏電阻基本參數(shù)：7．電壓溫度系數(shù)：指在規(guī)定的溫度范圍（溫度為20℃～70℃）內(nèi)，壓敏電阻器標(biāo)稱電壓的變化率，即在通過壓敏電阻器的電流保持恒定時(shí)，溫度改變1℃時(shí)，壓敏電阻器兩端電壓的相對(duì)變化。8．電流溫度系數(shù)：指在壓敏電阻器的兩端電壓保持恒定時(shí)，溫度改變1℃時(shí)，流過壓敏電阻器電流的相對(duì)變化。9．電壓非線性系數(shù)：指壓敏電阻器在給定的外加電壓作用下，其靜態(tài)電阻值與動(dòng)態(tài)電阻值之比。10．絕緣電阻：指壓敏電阻器的引出線(引腳)與電阻體絕緣表面之間的電阻值。11．靜態(tài)電容量（PF）：指壓敏電阻器本身固有的電容容量。12.額定功率：在特定的環(huán)境溫度85℃下工作1000小時(shí)，使壓敏電壓變化小于10%的最大功率。13.比較大沖擊電流(8/20us):以特定的脈沖電流(8/20us波形)沖擊壓敏電阻器一次或兩次（每次間隔5分鐘），使的壓敏電壓變化仍在10%以內(nèi)的比較大沖擊電流。壓敏電阻電壓范圍一般為18V至1800V。江蘇壓敏電阻MOV參數(shù)

貼片壓敏電阻與TVS二極管的區(qū)別：貼片壓敏電阻是主要以氧化鋅為基礎(chǔ)的陶瓷半導(dǎo)體產(chǎn)品。 主要采用積層結(jié)構(gòu)，通過積層張數(shù)、層間的調(diào)整，可以控制擊穿電壓、靜電容量。 而TVS二極管是P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合而構(gòu)成的，是硅基ESD防護(hù)器件。 在二極管中，也有使用Au絲等的情況。從盤型壓敏電阻等初期的壓敏電阻時(shí)的記憶中，壓敏電阻的反應(yīng)速度慢，經(jīng)常聽到這樣的話。 但是，貼片壓敏電阻和TVS二極管對(duì)施加過電壓的反應(yīng)速度一樣。 施加IEC61000-4-2 HBM +8kV后，在1ns以內(nèi)達(dá)到峰值，400ns后施加在保護(hù)部件上的電壓值幾乎為0。壓敏電阻和TVS二極管的靜電容量幅度大不相同。 由于貼片壓敏電阻采用積層結(jié)構(gòu)，所以可以通過增加內(nèi)部電極的層數(shù)，增加靜電容量。 用EIA0805以下的尺寸進(jìn)行比較時(shí)，靜電容量的最大值有近100倍的差距。 因此，在必須并聯(lián)放入MLCC的線路中，也有可以用單個(gè)貼片壓敏電阻應(yīng)對(duì)的情況。失效保護(hù)壓敏電阻MOV包封層34mm 壓敏電阻腳間距一般為25.4mm。

壓敏電阻的特性：正常Vcc電壓是沒問題的，但是，如果突然天空打雷閃電，剛好擊中電網(wǎng)上，那么此時(shí)電網(wǎng)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的尖峰電壓。雖然電網(wǎng)上會(huì)有防雷器，但是防雷器也是不能100%吸收掉所有尖峰的，那么是不是肯定還會(huì)有殘留能量。如果這個(gè)殘留尖峰電壓超過470V，那么此時(shí)壓敏電阻上的內(nèi)阻，就會(huì)急劇變小的。此時(shí)就把這個(gè)尖峰電壓給鉗位了。如果有尖峰電壓過來，壓敏電阻鉗位了這個(gè)尖峰電壓，12V的Vcc電壓，把雷電殘留電壓鉗位在470V，合不合適呢？那這個(gè)電流是不是也很大？470V相當(dāng)于沒有鉗位啊，該燒的都已經(jīng)燒掉了，所以啊，壓敏電阻存在一個(gè)選型問題了。

貼片壓敏電阻體積小，節(jié)省空間大TVS二極管靜電容量小，需要并聯(lián)插入MLCC一起使用，這樣就占用二個(gè)元件的面積，而貼片壓敏電阻靜電容量大，和TVS二極管、MLCC體積差不多，但只需要一個(gè)貼片壓敏電阻就可以代替TVS二極管和MLCC這兩個(gè)產(chǎn)品，節(jié)省空間。2、音頻失真小TVS二極管有極性，的電流-電壓特性(IV曲線)急劇升高，導(dǎo)致音頻信號(hào)失真，而貼片壓敏電阻無極性，其電流-電壓特性IV曲線)升高幅度慢，更容易保持高音質(zhì)。3、通過靜電容量抑制噪音在智能手機(jī)的音頻線路中，音頻編解碼器及D級(jí)放大器等會(huì)產(chǎn)生噪音，對(duì)內(nèi)部造成干擾，導(dǎo)致接收靈敏度劣化。MLCC的靜電容量范圍較廣，為數(shù)pF～數(shù)F，TVS二極管的靜電容量范圍為數(shù)pF～數(shù)10pF，貼片壓敏電阻的靜電容量范圍為數(shù)pF～數(shù)百pF，音頻線路發(fā)射的電子噪音以數(shù)100MHz～數(shù)GHz的頻帶居多，抑制這些頻帶的噪音，選擇靜電容量為數(shù)pF～數(shù)100pF的貼片壓敏電阻更為有效。7D壓敏電阻腳間距一般為5.0mm。

壓敏電阻器的晶相

ZnO壓敏陶瓷是以Zn為主體添加若于其它氧化物改性的燒結(jié)體。氧化物添加劑除少量與ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之間形成晶界。ZnO是n型半導(dǎo)體，它是構(gòu)成陶瓷的主晶相。其它氧化物除少量與ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之間形成晶界相。因此，ZnO半導(dǎo)體陶瓷是多相陶瓷。圖，它們的化學(xué)式及各種相的摻雜。(1)ZnO相:構(gòu)成ZnO半導(dǎo)體陶瓷的主晶相;由于Zn的填隙或者Co的溶入，使它具有n型電導(dǎo)特性，不同方法測(cè)試得到室溫電阻率為()Ω·cm;ZnO晶粒對(duì)V-I特性的影響，尤其在大電流情況下，ZnO晶粒上產(chǎn)生的壓降更有決定性影響。(2)尖晶石相:尖晶石相是不連續(xù)的，該相和ZnO以及富鉍相在高溫下并存，因此它對(duì)各相的分配起作用，使富鉍相有個(gè)特定的組成。又由于它在ZnO晶粒邊界凝結(jié)，能夠抑制ZnO晶粒的生長(zhǎng)。(3)焦綠石相:該相也是不連續(xù)的，主要是在高溫?zé)Y(jié)時(shí)與ZnO形成富鉍相。(4)富鉍相:富鉍相溶有大量的ZnO和少量的Sb23，所以有助于液相燒結(jié)成陶瓷。又由于富鉍相在晶界層中結(jié)晶后溶有大量的Zn和少量的SbMn和Co，所以富鉍相有產(chǎn)生高α值的作用。 壓敏電阻區(qū)分為兩大類：①保護(hù)用壓敏電阻，②電路功能用壓敏電阻。江蘇壓敏電阻MOV參數(shù)

壓敏電阻是一種傳統(tǒng)的電路保護(hù)器件，一般用于電路防雷保護(hù)或浪涌保護(hù)。江蘇壓敏電阻MOV參數(shù)

壓敏電阻的選用及注意事項(xiàng)：選用壓敏電阻器前，應(yīng)先了解以下相關(guān)技術(shù)參數(shù)：標(biāo)稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下，壓敏電阻器兩端的電壓值[1]。漏電流是指在25℃條件下，當(dāng)施加比較大連續(xù)直流電壓時(shí)，壓敏電阻器中流過的電流值。等級(jí)電壓是指壓敏電阻中通過8/20等級(jí)電流脈沖時(shí)在其兩端呈現(xiàn)的電壓峰值[1]。通流量是表示施加規(guī)定的脈沖電流（8/20μs）波形時(shí)的峰值電流[1]。浪涌環(huán)境參數(shù)包括比較大浪涌電流Ipm（或比較大浪涌電壓Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脈沖寬度Tt、相鄰兩次浪涌的**小時(shí)間間隔Tm以及在壓敏電阻器的預(yù)定工作壽命期內(nèi)，浪涌脈沖的總次數(shù)N等。 江蘇壓敏電阻MOV參數(shù)

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