壓敏電阻基本性能：（1）保護特性，當沖擊源的沖擊強（或沖擊電流Isp=Usp/Zs)不超過規(guī)定值時，壓敏電阻的限制電壓不允許超過被保護對象所能承受的沖擊耐電壓（Urp）。（2）耐沖擊特性，即壓敏電阻本身應能承受規(guī)定的沖擊電流，沖擊能量，以及多次沖擊相繼出現(xiàn)時的平均功率。（3）壽命特性有兩項，一是連續(xù)工作電壓壽命，即壓敏電阻在規(guī)定環(huán)境溫度和系統(tǒng)電壓條件應能可靠地工作規(guī)定的時間（小時數(shù)）。二是沖擊壽命，即能可靠地承受規(guī)定的沖擊的次數(shù)。（4）壓敏電阻介入系統(tǒng)后，除了起到"安全閥"的保護作用外，還會帶入一些附加影響，這就是所謂"二次效應"，它不應降低系統(tǒng)的正常工作性能。這時要考慮的因素主要有三項，一是壓敏電阻本身的電容量（幾十到幾萬PF），二是在系統(tǒng)電壓下的漏電流，三是壓敏電阻的非線性電流通過源阻抗的耦合對其他電路的影響。 5d（5mm）壓敏電阻的通流量一般為400A，高焦耳產(chǎn)品通流量一般為10kA。高溫環(huán)氧樹脂壓敏電阻MOV符號
壓敏電阻(6)電壓比：電壓比是指壓敏電阻器的電流為1mA時產(chǎn)生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產(chǎn)生的電壓值之比。(7)額定功率在規(guī)定的環(huán)境溫度下所能消耗的最大功率。(8)比較大峰值電流(SURGECURRENT(8/20μs))一次以8/20μs標準波形的電流作一次沖擊的最大電流值，此時壓敏電壓變化率仍在±10%以內(nèi)。2次以8/20μs標準波形的電流作兩次沖擊的最大電流值，兩次沖擊時間間隔為5分鐘，此時壓敏電壓變化率仍在±10%以內(nèi)。(9)殘壓比流過壓敏電阻器的電流為某一值時，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則為殘壓與標稱電壓之比。剪腳壓敏電阻MOV失效模式常用的壓敏電阻型號有681KD10或10D681K。
1.壓敏電壓：指在規(guī)定的溫度和直流（一般為1mA或0.1mA）下，壓敏電阻器兩端的電壓值。記為V1mA或V0.1mAo2.比較大連續(xù)電壓：指在規(guī)定環(huán)境溫度下，能長期持續(xù)加在壓敏電阻器兩端的比較大正弦交流電壓有效值或比較大直流電壓值3.限制電壓：指在壓敏電阻器中通過規(guī)定大小的沖擊電流（8,20μs）時，其兩端的最大電壓峰值。4.額定功率：指在規(guī)定的環(huán)境溫度下，可施加給壓敏電阻器的比較大平均沖擊功率。5.比較大能量：在壓敏電壓變化不超過±10%，沖擊電流波形為10,1000μs或2ms的條件下，可施加給壓敏電阻的比較大一次沖擊能量。6.通流容量（比較大沖擊電流）
壓敏電阻器的晶相
ZnO壓敏陶瓷是以Zn為主體添加若于其它氧化物改性的燒結(jié)體。氧化物添加劑除少量與ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之間形成晶界。ZnO是n型半導體，它是構成陶瓷的主晶相。其它氧化物除少量與ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之間形成晶界相。因此，ZnO半導體陶瓷是多相陶瓷。圖，它們的化學式及各種相的摻雜。(1)ZnO相:構成ZnO半導體陶瓷的主晶相;由于Zn的填隙或者Co的溶入，使它具有n型電導特性，不同方法測試得到室溫電阻率為()Ω·cm;ZnO晶粒對V-I特性的影響，尤其在大電流情況下，ZnO晶粒上產(chǎn)生的壓降更有決定性影響。(2)尖晶石相:尖晶石相是不連續(xù)的，該相和ZnO以及富鉍相在高溫下并存，因此它對各相的分配起作用，使富鉍相有個特定的組成。又由于它在ZnO晶粒邊界凝結(jié)，能夠抑制ZnO晶粒的生長。(3)焦綠石相:該相也是不連續(xù)的，主要是在高溫燒結(jié)時與ZnO形成富鉍相。(4)富鉍相:富鉍相溶有大量的ZnO和少量的Sb23，所以有助于液相燒結(jié)成陶瓷。又由于富鉍相在晶界層中結(jié)晶后溶有大量的Zn和少量的SbMn和Co，所以富鉍相有產(chǎn)生高α值的作用。 壓敏電阻具有低壓、中壓、高壓之分。
研究結(jié)果表明，若壓敏電阻存在著制造缺陷，易發(fā)生早期失效，強度不大的電沖擊的多次作用也會加速老化過程，使老化失效提早出現(xiàn)。而氧化鋅壓敏電阻器出現(xiàn)暫態(tài)過電壓破壞則是一個短時間內(nèi)造成器件損壞的情況，所謂的暫態(tài)過電壓破壞，指的是短時間內(nèi)出現(xiàn)較強的暫態(tài)過電壓使電阻體穿孔，導致更大的電流而高熱起火，整個過程在較短時間內(nèi)發(fā)生。按照氧化鋅壓敏電阻器失效后的表現(xiàn)情況來看，可以分成三種常見的失效狀態(tài)，即劣化、炸裂和穿孔。當表現(xiàn)為劣化狀態(tài)時，實物表現(xiàn)為使用萬用表測試壓敏電阻時出現(xiàn)漏電流增大情況，壓敏電壓下降，直至為零。當表現(xiàn)為炸裂情況時，則壓敏電阻器在抑制過電壓時將會發(fā)生陶瓷炸裂現(xiàn)象，非常明顯。當氧化鋅壓敏電阻器表現(xiàn)為穿孔情況時，則電阻器的陶瓷外層將會瞬間發(fā)生電擊穿，出現(xiàn)穿孔狀態(tài)。壓敏電阻的相應時間為25ns.高通流壓敏電阻MOV接法
壓敏電阻單體通流量可達到70KA甚至更高。高溫環(huán)氧樹脂壓敏電阻MOV符號
壓敏電阻通流容量(Imax(8/20us))通流容量也稱通流量，是指在規(guī)定的條件（以規(guī)定的時間間隔和次數(shù)，施加標準的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的比較大脈沖（峰值）電流值。一般過壓是一個或一系列的脈沖波。實驗壓敏電阻所用的沖擊波有兩種，一種是為8/20μs波，即通常所說的波頭為8μs波尾時間為20μs的脈沖波，另外一種為2ms的方波。所謂通流容量，即比較大脈沖電流的峰值是環(huán)境溫度為25℃情況下，對于規(guī)定的沖擊電流波形和規(guī)定的沖擊電流次數(shù)而言，壓敏電壓的變化不超過±10％時的比較大脈沖電流值。為了延長器件的使用壽命，ZnO壓敏電阻所吸收的浪涌電流幅值應小于手冊中給出的產(chǎn)品比較大通流量。然而從保護效果出發(fā)，要求所選用的通流量大一些好。在許多情況下，實際發(fā)生的通流量是很難精確計算的，則選用2-20kA的產(chǎn)品。如手頭產(chǎn)品的通流量不能滿足使用要求時，可將幾只單個的壓敏電阻并聯(lián)使用，并聯(lián)后的壓敏電壓不變，其通流量為各單只壓敏電阻數(shù)值之和。要求并聯(lián)的壓敏電阻伏安特性盡量相同，否則易引起分流不均勻而損壞壓敏電阻。高溫環(huán)氧樹脂壓敏電阻MOV符號
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