湖北陶瓷封裝型晶振封裝

陶瓷晶振結(jié)構(gòu)陶瓷晶振結(jié)構(gòu)的上蓋是與基座同樣的陶瓷材料，在上蓋或基座的邊緣另外加上高溫高純度的玻璃結(jié)合在一起：這種玻璃材料的熱膨脹系數(shù)與陶瓷很接近的?；牧蟿t為93氧化鋁瓷；表面是黑色，基座上覆蓋著陶瓷緊密結(jié)合的金屬層，也稱之為陶瓷金屬化。陶瓷晶振特性1.耐濕性好，不易產(chǎn)生微裂現(xiàn)象。2.熱膨脹系數(shù)小，熱導(dǎo)率高。3.高穩(wěn)定性、抗干擾特性。4.熱沖擊實(shí)驗(yàn)和溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn)后不產(chǎn)生損傷，機(jī)械強(qiáng)度高。5.能有效地遮蔽可見光及極好的反射紅外線（避光性好），可滿足光學(xué)相關(guān)產(chǎn)品的低反射要求。6.芯片和電路不受周圍環(huán)境影響，絕緣性和氣密性好，其氣密性能滿足高密封的高要求。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。湖北陶瓷封裝型晶振封裝

有源晶振型號(hào)眾多，而且每一種型號(hào)的引腳定義都有所不同，接法也不同，下面我介紹一下有源晶振引腳識(shí)別，以方便大家：有個(gè)點(diǎn)標(biāo)記的為1腳，按逆時(shí)針（管腳向下）分別為2、3、4。通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。有源晶振是用石英晶體組成的，石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用，是基于它的壓電效應(yīng)：在晶片的兩個(gè)極上加一電場，會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形；在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)機(jī)械變形振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場，雖然這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動(dòng)頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（由晶片的尺寸和形狀決定）相等時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。廣東陶瓷晶振輸出石英晶體有兩個(gè)諧振頻率，即fs和fp，fp略大于fs。

間接補(bǔ)償型。間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路，并將該電壓施加到一只與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5×10-6的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字式間接溫度補(bǔ)償是在模擬式間接溫度補(bǔ)償電路中的溫度-電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)（A/D）轉(zhuǎn)換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。

循序漸進(jìn)企業(yè)發(fā)展要經(jīng)過自發(fā)形成階段、塑造階段、培育階段、鞏固階段和創(chuàng)新階段，***又回到培育和鞏固階段，逐步積累，增強(qiáng)企業(yè)抗風(fēng)險(xiǎn)的能力。永續(xù)發(fā)展堅(jiān)持“以人為本”,實(shí)施育人興企，塑造一種催人向上的企業(yè)精神，大限度地調(diào)動(dòng)廣大員工的積極性、創(chuàng)造性，增強(qiáng)企業(yè)的凝聚力和向心力，使職工不僅把企業(yè)看成謀生的場所，更視為實(shí)現(xiàn)自身抱負(fù)和社會(huì)責(zé)任的組織。國際元器件分銷商合作---覆蓋**完整的家居類、工控類、物聯(lián)網(wǎng)等行業(yè)，國內(nèi)上市的家電、電器、電網(wǎng)電氣類公司OEMODM合作。石英晶振封裝按生產(chǎn)工藝可以劃分為：金屬封裝，玻璃封裝， 電阻焊。

標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。調(diào)整頻差：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測量值的比較大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的比較大允許頻偏。負(fù)載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。但標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。陜西普通型晶振負(fù)載

在晶體振蕩器中，晶體作為諧振器振動(dòng)，產(chǎn)生的頻率決定了振蕩頻率。湖北陶瓷封裝型晶振封裝

石英諧振器的模態(tài)譜，包括基模，三階泛音，5階泛音和一些亂真信號(hào)響應(yīng)，即寄生模。在振蕩器應(yīng)用上，振蕩器總是選擇**強(qiáng)的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時(shí)候，當(dāng)溫度發(fā)生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導(dǎo)致了“活動(dòng)性下降”。在活動(dòng)性下降時(shí)，寄生模的激勵(lì)引起諧振器的額外能量的消耗，導(dǎo)致Q值的減小，等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當(dāng)阻抗增加到相當(dāng)大的時(shí)候，振蕩器就會(huì)停止，即振蕩器失效。當(dāng)溫度改變遠(yuǎn)離活動(dòng)性下降的溫度時(shí)，振蕩器又會(huì)重新工作。寄生模能有適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關(guān)系（即應(yīng)用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模**小化。湖北陶瓷封裝型晶振封裝

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