重慶按鍵接口ESD保護(hù)元件封裝

ESD策略，ESD防護(hù)電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護(hù)器件的ESD脈沖能量比較低，同時(shí)要求防護(hù)電路對(duì)正常工作信號(hào)的損耗和失真**小。因此設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路的基本指導(dǎo)思想是:對(duì)ESD信號(hào)來(lái)說(shuō)，接口輸入點(diǎn)和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量小，而接口輸入點(diǎn)和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量大;對(duì)工作信號(hào)來(lái)說(shuō)，接口輸入點(diǎn)和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量大，而接口輸入點(diǎn)和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量小。**的電浪涌防護(hù)器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS半導(dǎo)體閘流管瞬態(tài)抑制器件TSS、快速開(kāi)關(guān)二極管等。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開(kāi)關(guān)二極管是比較廉價(jià)的方案。重慶按鍵接口ESD保護(hù)元件封裝

高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)主要是致力于降低防護(hù)電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感，并要求防護(hù)器件有ns級(jí)的響應(yīng)速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開(kāi)關(guān)二極管是比較廉價(jià)的方案，在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會(huì)有更加理想的ESD防護(hù)效果。ESD防護(hù)電路的防護(hù)能力與選用的防護(hù)器件、被保護(hù)器件的ESD敏感度、電路結(jié)構(gòu)形式、布線等因素密切相關(guān)，一般無(wú)法直接確定一個(gè)防護(hù)電路單元的防護(hù)能力，必須把防護(hù)電路單元和被保護(hù)的具體電路作為一個(gè)整體并按照標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試，以確定一個(gè)實(shí)際電路的防護(hù)效果。河南耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件測(cè)試ESD防護(hù)主要采用“過(guò)壓防護(hù)”的原理，通過(guò)隔離電路、鉗位電路、衰減電路等方式降低ESD的沖擊電壓。

ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號(hào)接口時(shí)，產(chǎn)品的組裝、測(cè)試和用戶使用過(guò)程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長(zhǎng)久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場(chǎng)上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計(jì)和制造通信產(chǎn)品時(shí)除了加強(qiáng)產(chǎn)品制造過(guò)程的ESD控制外，還要加強(qiáng)產(chǎn)品的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，尤其是高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。

對(duì)于ESD，我們應(yīng)該如何進(jìn)行一個(gè)選型呢？ESD主要分為四類：TVS二極管、壓敏電阻、MLCC、ESD抑制器，各個(gè)器件的應(yīng)用場(chǎng)景也不太一樣，我們**常用的esd器件就是tvs二極管了。1）工作電壓選擇ESD器件應(yīng)該選擇系統(tǒng)工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統(tǒng)是0~5V，那么我們應(yīng)該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。2）信號(hào)類型單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇，雙向ESD器件可以通過(guò)正負(fù)擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，而單向ESD器件只可以通過(guò)正擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，如果通過(guò)負(fù)的就會(huì)造成ESD器件擊穿。3）寄生電容ESD器件是有寄生電容的，如圖是寄生電容對(duì)高速電路接口的影響，寄生電容會(huì)影響電平的上升和下降速度，影響輸出后的信號(hào)。4）根據(jù)電路系統(tǒng)的比較大承受電壓沖擊，選擇適合的鉗位電壓；5）確保ESD器件可達(dá)到或超過(guò)IEC61000-4-2level4。ESD靜電保護(hù)元件在選型時(shí)應(yīng)注意其封裝，電容，靜電防護(hù)等級(jí)等參數(shù)。

靜電可吸附空氣中很多的浮塵并且通電性越大、吸附浮塵的數(shù)目就越大，而浮塵中通常帶有很多種有毒物質(zhì)和病原菌，輕則刺激性肌膚，危害肌膚的光澤度和鮮嫩，重則使肌膚起癍長(zhǎng)瘡，更明顯的還會(huì)繼續(xù)引起慢性***和心率失常等病癥。靜電造成主要是與衣著相關(guān)，化學(xué)纖維類服飾摩擦?xí)吧姟薄８稍锏臅r(shí)節(jié)，這類慢慢累積上去的靜電工作電壓超出3000伏時(shí)，便會(huì)造成“打架”狀況，充放電時(shí)可聽(tīng)見(jiàn)“嘩啦啦”的響聲，摸電導(dǎo)體的手覺(jué)得麻痛。人的身上的靜電盡管工作電壓很高，但電流量不大，不容易發(fā)生相近“觸電事故”的風(fēng)險(xiǎn)。硅基ESD靜電保護(hù)元件具有較低的鉗位電壓。河南SIM卡ESD保護(hù)元件參數(shù)

常用的ESD保護(hù)器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。重慶按鍵接口ESD保護(hù)元件封裝

ESD靜電放電機(jī)器模型,機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機(jī)器模型與人體模型的差異較大，實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機(jī)器模型放電時(shí)沒(méi)有電阻，且儲(chǔ)電電容大于人體模式，同等電壓對(duì)器件的損害，機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過(guò)程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過(guò)管腳與地接觸時(shí)，發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的。重慶按鍵接口ESD保護(hù)元件封裝

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