高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯結電容和串聯電感，并要求防護器件有ns級的響應速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案，在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會有更加理想的ESD防護效果。ESD防護電路的防護能力與選用的防護器件、被保護器件的ESD敏感度、電路結構形式、布線等因素密切相關，一般無法直接確定一個防護電路單元的防護能力，必須把防護電路單元和被保護的具體電路作為一個整體并按照標準IEC61000-4-2的測試方法進行測試，以確定一個實際電路的防護效果。通過串聯的方式可以有效降低ESD防護電路的電容。河南SIM卡ESD保護元件參數
降低防護器件結電容的設計方法當防護器件的并聯結電容較大時，將對高頻信號產生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設計，降低結電容對信號質量的影響。常用的設計方法有;A二極管偏置法二極管結電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當的反向偏壓可適用更高頻率電路。B.二極管串聯法一-兩個相同防護二極管串聯可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當防護二極管的結電容太大，可以對防護器件并聯小電感，使之和二極管結電容并聯諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。河南SIM卡ESD保護元件參數ESD防護主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離電路、鉗位電路、衰減電路等方式降低ESD的沖擊電壓。
人體靜電防護編輯 播報人體是**普遍存在的靜電危害源。對于靜電來說，人體是導體，所以可以對人體采取接地的措施。(1).使用防靜電地面/ 防靜電鞋/ 襪(靜電從腳導到大地)通過腳穿防靜電性地面、地墊、地毯，人員穿上防靜電鞋襪，形成組合接地。(2).佩戴防靜電腕帶并接地(靜電從手導到大地)通過手用以泄放人體的靜電。它由防靜電松緊帶、活動按扣、彈簧軟線.保護電阻及插頭或夾頭組成。松緊帶的內層用防靜電紗線編織，外層用普通紗線編織。
靜電放電形式與帶電體的幾何形狀、電壓和帶電體的材質有關。靜電放電形式：電暈放電(1)電暈放電：是發(fā)生在帶電體前列或曲率半徑很小處附近的局部放電。電暈放電可能伴有輕微的嘶嘶聲和微弱的淡紫色光。電暈放電一般沒有引燃危險。刷形放電和傳播型刷形放電(2)刷形放電和傳播型刷形放電:都是發(fā)生在絕緣體表面的有聲光的多分支放電。當絕緣體背面緊貼有金屬導體時，絕緣體正面將出現傳播型刷形放電。同一絕緣體上可發(fā)生多次刷形放電或傳播型刷形放電。刷形放電有一定的引燃危險；傳播型刷形放電的引燃危險性大。(3)火花放電:是帶電體之間發(fā)生的通道單一的放電?；鸹ǚ烹娪忻髁恋拈W光和有短促的爆裂聲。其引燃危險性很大。(4)雷型放電：是懸浮在空間的大范圍、高密度帶電粒子形成的閃電狀放電。其引燃危險性很大。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案。
在ESD設計中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應用情況，在VDD相對于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護內部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向導通電壓很小，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常強。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力，如此一來，缺點是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴重的是，對于高頻引腳而言，此方式會帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。來明電子可提供多種類型的ESD靜電保護元件，并提供選型替代，國產化替代，具有較高的性價比。河南SIM卡ESD保護元件參數
ESD靜電保護元器件是為高速數據傳輸應用的I/O端口保護設計的器件。河南SIM卡ESD保護元件參數
提高防護電路箱位電壓或導通電壓的設計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護器件將對高頻信號產生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優(yōu)化設計方法，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓，使二極管的導通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯法-n只二極管同向串聯，導通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯，導通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯穩(wěn)壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯電容法-防護二極管串聯電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向導通電樂。河南SIM卡ESD保護元件參數
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