甘肅USB TYPE C ESD保護元件選型

根據(jù)高頻電路信號特性和ESD防護能力的要求來選用不同的防護器件和不同的防護中路結(jié)構(gòu)，防護器件的結(jié)電容需要滿足表1的要求，防護電路的開啟電壓(觸發(fā)電壓)和箱位電壓(或二極管導(dǎo)通電壓)應(yīng)大于高頻信號可能的比較大峰值電壓，同時要遠遠小于被保護器件的ESD或值電樂，ESD防護電路的響應(yīng)時間要小于被保護器件的響應(yīng)時間。高頻信號頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進行ESD防護，如果信號功率小，峰值電平低于二極管的正向?qū)妷?，也可以直接選用低容值的快速開關(guān)二極管兩個反向并聯(lián)后進行雙向ESD防護，如果信號峰值電平高于二極管的正向?qū)妷海瑧?yīng)采用兩個快速開關(guān)二極管反向串聯(lián)后進行雙向ESD防護。ESD防護電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地。甘肅USB TYPE C ESD保護元件選型

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測試過程中，電容會充電到數(shù)千伏（常見的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯(lián)到被測器件進行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數(shù)信號衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對其他物體產(chǎn)生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產(chǎn)生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應(yīng)使得人體放電的等效電阻***變小。甘肅USB TYPE C ESD保護元件選型單位面積的ESD防護能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。

由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設(shè)計非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設(shè)計非常有利。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當(dāng)陽極出現(xiàn)PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現(xiàn)NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。靜電放電可達到高達幾十千伏的放電電壓。

日常生活防靜電ESD防護，1保持皮膚濕潤，靜電如果頻繁找上你，很可能是因為你的皮膚缺水了。提高皮膚的濕潤度，可以更好地避免靜電的產(chǎn)生，也就避免了靜電給皮膚帶來疼痛感。2室內(nèi)保持濕度，秋冬季節(jié)空氣濕度下降，導(dǎo)致靜電難以釋放，這就造成了身體靜電過多。在室內(nèi)防靜電的比較好辦法就是增加空氣濕度，一般要求相對濕度在45%～65%。干燥季節(jié)要保持空氣濕度，可在室內(nèi)放一盆水，讓水自然蒸發(fā)，或者使用加濕器調(diào)節(jié)室內(nèi)濕度。3靜電釋放裝置，可選購市面上常見的靜電放電器、靜電釋放棒、靜電帶、靜電貼、除靜電鑰匙扣等。觸碰金屬部件時，先用小金屬物品（如：鑰匙、靜電放***）先接觸需接觸的位置，以達到消除靜電的目的。ESD靜電保護元件可以做成陣列式，同時保護幾路數(shù)據(jù)線免遭ESD的損壞。廣東BNC接口ESD保護元件電壓

ESD防護電路的引入會影響電路的信號傳輸質(zhì)量，使信號的時延、頻響、電平等發(fā)生變化。甘肅USB TYPE C ESD保護元件選型

隨著我國經(jīng)濟的飛速發(fā)展，脫貧致富，實現(xiàn)小康之路觸手可及。值得注意的是有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)的發(fā)展，特別是近幾年，我國的電子企業(yè)實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。從電子元器件的外國采購在出售。電子元器件自主可控是指在研發(fā)、生產(chǎn)和保證等環(huán)節(jié)，主要依靠國內(nèi)科研生產(chǎn)力量，在預(yù)期和操控范圍內(nèi)，滿足信息系統(tǒng)建設(shè)和信息化發(fā)展需要的能力。電子元器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用，對電子產(chǎn)品和信息系統(tǒng)的功能性能影響至關(guān)重要，涉及到工藝、合物半導(dǎo)體、微納系統(tǒng)芯片集成、器件驗證、可靠性等。電子元器件銷售是聯(lián)結(jié)上下游供求必不可少的紐帶，目前電子元器件企業(yè)商已承擔(dān)了終端應(yīng)用中的大量技術(shù)服務(wù)需求，保證了原廠產(chǎn)品在終端的應(yīng)用，提高了產(chǎn)業(yè)鏈的整體效率和價值。電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長，國內(nèi)市場表現(xiàn)優(yōu)于國際市場，多個下游的行業(yè)的應(yīng)用前景明朗，電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長潛力。當(dāng)前國內(nèi)TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容行業(yè)發(fā)展迅速，我國 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走在世界前列，但在整體產(chǎn)業(yè)鏈布局方面，我國企業(yè)主要處于產(chǎn)業(yè)鏈的中下游。在產(chǎn)業(yè)鏈上游，尤其是TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容和器件等重點環(huán)節(jié)，技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠遠落后于國外。甘肅USB TYPE C ESD保護元件選型

上海來明電子有限公司位于靈山路1000弄2號808。公司業(yè)務(wù)分為TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等，目前不斷進行創(chuàng)新和服務(wù)改進，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù)，還有一批專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。來明電子立足于全國市場，依托強大的研發(fā)實力，融合前沿的技術(shù)理念，及時響應(yīng)客戶的需求。