北京以太網(wǎng)接口ESD保護(hù)元件廠家

ESD靜電的來(lái)源,在電子制造業(yè)中，靜電的來(lái)源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源，這主要有三個(gè)方面的原因：1、人體接觸面廣，活動(dòng)范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時(shí)也有許多機(jī)會(huì)將人體自身所帶的電荷轉(zhuǎn)移到器件上或者通過(guò)器件放電；2、人體與大地之間的電容低，約為50一250pF，典型值為150PF，故少量的人體靜電荷即可導(dǎo)致很高的靜電勢(shì)；3、人體的電阻較低，相當(dāng)于良導(dǎo)體，如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆，手指產(chǎn)生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆，故人體處于靜電場(chǎng)中也容易感應(yīng)起電，而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。北京以太網(wǎng)接口ESD保護(hù)元件廠家

根據(jù)高頻電路信號(hào)特性和ESD防護(hù)能力的要求來(lái)選用不同的防護(hù)器件和不同的防護(hù)中路結(jié)構(gòu)，防護(hù)器件的結(jié)電容需要滿(mǎn)足表1的要求，防護(hù)電路的開(kāi)啟電壓(觸發(fā)電壓)和箱位電壓(或二極管導(dǎo)通電壓)應(yīng)大于高頻信號(hào)可能的比較大峰值電壓，同時(shí)要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于被保護(hù)器件的ESD或值電樂(lè)，ESD防護(hù)電路的響應(yīng)時(shí)間要小于被保護(hù)器件的響應(yīng)時(shí)間。高頻信號(hào)頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進(jìn)行ESD防護(hù)，如果信號(hào)功率小，峰值電平低于二極管的正向?qū)妷?，也可以直接選用低容值的快速開(kāi)關(guān)二極管兩個(gè)反向并聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù)，如果信號(hào)峰值電平高于二極管的正向?qū)妷?，?yīng)采用兩個(gè)快速開(kāi)關(guān)二極管反向串聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù)。河南低壓ESD保護(hù)元件選型ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小。

現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進(jìn)半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細(xì)引線(xiàn)、小間距、薄膜化使器件尺寸進(jìn)一步縮小，氧化層進(jìn)一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來(lái)越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線(xiàn)寬和間距越來(lái)越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來(lái)越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來(lái)越低。例如，現(xiàn)在通信設(shè)備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數(shù)百伏，低達(dá)100V，成為ESD高損傷率器件。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強(qiáng)的器件。當(dāng)陽(yáng)極出現(xiàn)PositiveESDPulse時(shí)，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過(guò)電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開(kāi)啟，陽(yáng)極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過(guò)程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強(qiáng)烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強(qiáng)，微分電阻也非常小。在陽(yáng)極出現(xiàn)NegativeESDPulse時(shí)，電流可通過(guò)正偏的陰極P+/陽(yáng)極N+釋放。ESD靜電保護(hù)元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結(jié)電容可以做到0.1pF以?xún)?nèi)。

MOV具有ns級(jí)的快速響應(yīng)，但是結(jié)電容一般在數(shù)十pF以上;GDT具有pF級(jí)以下的結(jié)電容，但是響應(yīng)時(shí)間在數(shù)百ns以上;TSS的響應(yīng)速度很快，可達(dá)ps級(jí)，其結(jié)電容一般也在數(shù)十pF以上;TVS的響應(yīng)速度很快，可達(dá)ps級(jí)，其結(jié)電容目前比較低可以做到兒個(gè)pF;快速開(kāi)關(guān)二極管的響應(yīng)速度與TVS相同，其結(jié)電容可達(dá)到1pF以下?？梢?jiàn)，MOV、GDT和TSS都不能用于高頻電路的ESD防護(hù);TVS可以直接使用在數(shù)百M(fèi)Hz的信號(hào)接口進(jìn)行ESD防護(hù)，當(dāng)用于GHz以上的信號(hào)接口必須采用降低結(jié)電容的措施:低容值的快速開(kāi)關(guān)二極管可以直接或采用降低結(jié)電容的優(yōu)化措施后用于數(shù)GHz的信號(hào)接口。ESD靜電放電機(jī)器模型MM的典型**如帶電絕緣的機(jī)器人手臂、車(chē)輛、絕緣導(dǎo)體等。河南低壓ESD保護(hù)元件選型

ESD靜電保護(hù)元器件是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件。北京以太網(wǎng)接口ESD保護(hù)元件廠家

ESD防護(hù)電路主要采用“過(guò)壓防護(hù)”的原理，通過(guò)隔離電路、箝位(限幅)電路、衰減電路、濾波電路等降低ESD沖擊電壓、限制脈沖電流的大小，使其降低到被保護(hù)器件可以承受的程度。ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的難度增火。ESD脈沖具有持續(xù)時(shí)間短(ns~數(shù)百ns級(jí))，能量較低(微焦耳級(jí))的特征，頻譜分布在數(shù)百KHz到數(shù)GHz的范圍，其能量主要集中在數(shù)MHz到數(shù)百M(fèi)Hz的范圍內(nèi)，由于ESD的高頻、快速放電特性，其防護(hù)電路要求比一般的電浪涌防護(hù)電路具有更快的響應(yīng)速度和良好的高頻性能。北京以太網(wǎng)接口ESD保護(hù)元件廠家

上海來(lái)明電子有限公司成立于2010-08-11年，在此之前我們已在TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容行業(yè)中有了多年的生產(chǎn)和服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，深受經(jīng)銷(xiāo)商和客戶(hù)的好評(píng)。我們從一個(gè)名不見(jiàn)經(jīng)傳的小公司，慢慢的適應(yīng)了市場(chǎng)的需求，得到了越來(lái)越多的客戶(hù)認(rèn)可。公司業(yè)務(wù)不斷豐富，主要經(jīng)營(yíng)的業(yè)務(wù)包括：TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等多系列產(chǎn)品和服務(wù)。可以根據(jù)客戶(hù)需求開(kāi)發(fā)出多種不同功能的產(chǎn)品，深受客戶(hù)的好評(píng)。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)研發(fā)，產(chǎn)品在按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試完成后，通過(guò)質(zhì)檢部門(mén)檢測(cè)后推出。我們通過(guò)全新的管理模式和周到的服務(wù)，用心服務(wù)于客戶(hù)。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬秉承著誠(chéng)信服務(wù)、產(chǎn)品求新的經(jīng)營(yíng)原則，對(duì)于員工素質(zhì)有嚴(yán)格的把控和要求，為T(mén)VS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容行業(yè)用戶(hù)提供完善的售前和售后服務(wù)。