MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。ESD靜電保護元件具有單向和雙向之分。山東低壓電源線ESD保護元件廠家
降低防護器件結(jié)電容的設(shè)計方法當防護器件的并聯(lián)結(jié)電容較大時，將對高頻信號產(chǎn)生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設(shè)計，降低結(jié)電容對信號質(zhì)量的影響。常用的設(shè)計方法有;A二極管偏置法二極管結(jié)電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當?shù)姆聪蚱珘嚎蛇m用更高頻率電路。B.二極管串聯(lián)法一-兩個相同防護二極管串聯(lián)可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當防護二極管的結(jié)電容太大，可以對防護器件并聯(lián)小電感，使之和二極管結(jié)電容并聯(lián)諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。山東低壓電源線ESD保護元件廠家靜電保護元件可提供多種封裝形式。
靜電ESD保護元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標準，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設(shè)計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風險，保護的器件也不例外。ESD器件作為保護器件，它也有失效益機率，所以設(shè)計選型時盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。
提高防護電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護器件將對高頻信號產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優(yōu)化設(shè)計方法，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護二極管串聯(lián)電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向?qū)姌贰ｌo電源包裝，出ESD防護區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響。
TVS/ESD靜電保護元件陣列，ESD靜電保護元器件RLESD保護器件可避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD的。可提供非常低的電容，與其他同類元件相比具有更優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數(shù)（高達1000）之后。該器件可比傳統(tǒng)的聚合物SEO器件提供更低的觸發(fā)電壓和更低的箝拉電壓，進而改善對敏感電子元件的保護。靜電保護元件(ElertroStaticDischargedProtection)簡稱ESD，是一種過壓保護元件，是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護設(shè)計的器件。RLESD保護器件是用來避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響?？商峁┓浅５偷碾娙?，具有優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數(shù)高達1000之后，進而改善對敏感電子元件的保護。 在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力。湖北RS485接口ESD保護元件選型
防靜電的四項基本原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導(dǎo)體實現(xiàn)等電位連接，避免因?qū)珟ъo電發(fā)生放電。山東低壓電源線ESD保護元件廠家
ESD策略，ESD防護電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護器件的ESD脈沖能量比較低，同時要求防護電路對正常工作信號的損耗和失真**小。因此設(shè)計ESD防護電路的基本指導(dǎo)思想是:對ESD信號來說，接口輸入點和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量小，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量大;對工作信號來說，接口輸入點和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量大，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量小。**的電浪涌防護器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS半導(dǎo)體閘流管瞬態(tài)抑制器件TSS、快速開關(guān)二極管等。山東低壓電源線ESD保護元件廠家
上海來明電子有限公司成立于2010-08-11，同時啟動了以晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬為主的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產(chǎn)業(yè)布局。業(yè)務(wù)涵蓋了TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等諸多領(lǐng)域，尤其TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容中具有強勁優(yōu)勢，完成了一大批具特色和時代特征的電子元器件項目；同時在設(shè)計原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標準規(guī)范等方面推動行業(yè)發(fā)展。我們強化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等實現(xiàn)一體化，建立了成熟的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容運營及風險管理體系，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗，擁有一大批專業(yè)人才。上海來明電子有限公司業(yè)務(wù)范圍涉及一般項目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動工具、機電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機構(gòu)經(jīng)營)。(除依法須經(jīng)批準的項目外。憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動) 許可項目: 貨物進出口;技術(shù)進出口:進出口代理。(依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動，具體經(jīng)營項目以相關(guān)部門批準文件或許可證件為準)等多個環(huán)節(jié)，在國內(nèi)電子元器件行業(yè)擁有綜合優(yōu)勢。在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等領(lǐng)域完成了眾多可靠項目。