福建VGA接口ESD保護(hù)元件封裝

MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。ESD防護(hù)電路的引入會(huì)影響電路的信號(hào)傳輸質(zhì)量，使信號(hào)的時(shí)延、頻響、電平等發(fā)生變化。福建VGA接口ESD保護(hù)元件封裝

在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時(shí)，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時(shí)，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄?，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常強(qiáng)。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護(hù)器件時(shí)往往會(huì)采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力，如此一來，缺點(diǎn)是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴(yán)重的是，對(duì)于高頻引腳而言，此方式會(huì)帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。青海USB3.0接口ESD保護(hù)元件參數(shù)ESD靜電保護(hù)元件可以做成陣列式，同時(shí)保護(hù)幾路數(shù)據(jù)線免遭ESD的損壞。

ESD靜電的來源,在電子制造業(yè)中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源，這主要有三個(gè)方面的原因：1、人體接觸面廣，活動(dòng)范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時(shí)也有許多機(jī)會(huì)將人體自身所帶的電荷轉(zhuǎn)移到器件上或者通過器件放電；2、人體與大地之間的電容低，約為50一250pF，典型值為150PF，故少量的人體靜電荷即可導(dǎo)致很高的靜電勢(shì)；3、人體的電阻較低，相當(dāng)于良導(dǎo)體，如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆，手指產(chǎn)生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆，故人體處于靜電場(chǎng)中也容易感應(yīng)起電，而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。

由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。多層壓敏電阻作為ESD靜電保護(hù)元件，具有較高的成本優(yōu)勢(shì)。

防靜電的四項(xiàng)基本原則是：原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)等電位連接，避免因?qū)珟ъo電發(fā)生放電；原則二：靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對(duì)敏感器件周邊進(jìn)行靜電源控制；原則三：靜電源包裝，出ESD防護(hù)區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響；原則四，ESD防護(hù)措施不能降低安全水準(zhǔn)，如安全與之***，安全第一。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護(hù)技術(shù)，如電子工業(yè)、半導(dǎo)體、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及興航與***領(lǐng)域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關(guān)二極管是比較廉價(jià)的方案。福建VGA接口ESD保護(hù)元件封裝

ESD靜電保護(hù)元件一般并聯(lián)在電流中使用。福建VGA接口ESD保護(hù)元件封裝

靜電保護(hù)元件被廣泛應(yīng)用于HDMI接口、便攜式視頻設(shè)備、LCD等離子電視、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系統(tǒng)、便攜設(shè)備（PDA、DSC、藍(lán)牙）、打印機(jī)接口、衛(wèi)星接收器、DVI、天線等進(jìn)而改善對(duì)敏感電子元件的保護(hù)。注意事項(xiàng)編輯 播報(bào)1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測(cè)試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV。3.設(shè)計(jì)時(shí)考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個(gè)，就是增加失效風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計(jì)選型時(shí)盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。福建VGA接口ESD保護(hù)元件封裝

上海來明電子有限公司坐落于靈山路1000弄2號(hào)808，是集設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、售后服務(wù)于一體，電子元器件的貿(mào)易型企業(yè)。公司在行業(yè)內(nèi)發(fā)展多年，持續(xù)為用戶提供整套TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容的解決方案。公司主要產(chǎn)品有TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等，公司工程技術(shù)人員、行政管理人員、產(chǎn)品制造及售后服務(wù)人員均有多年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。并與上下游企業(yè)保持密切的合作關(guān)系。依托成熟的產(chǎn)品資源和渠道資源，向全國(guó)生產(chǎn)、銷售TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產(chǎn)品，經(jīng)過多年的沉淀和發(fā)展已經(jīng)形成了科學(xué)的管理制度、豐富的產(chǎn)品類型。上海來明電子有限公司以先進(jìn)工藝為基礎(chǔ)、以產(chǎn)品質(zhì)量為根本、以技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力，開發(fā)并推出多項(xiàng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產(chǎn)品，確保了在TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)。