北京開關(guān)二極管陣列

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-20

SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢(shì)壘高度和臨界電場(chǎng)比寬帶半導(dǎo)體材料低,用其制作的SBD擊穿電壓較低,反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(~),臨界擊穿電場(chǎng)高(2V/cm~4×106V/cm),飽合速度快(2×107cm/s。熱導(dǎo)率高為(cm·K),抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng),硬度大,材料制備和制作工藝也比較成熟,是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗,關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢(shì)壘高度,而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢(shì)壘高度,這是相矛盾的。因此,對(duì)勢(shì)壘金屬必須折衷考慮,故對(duì)其選擇顯得十分重要。對(duì)N型SiC來說,Ni和Ti是比較理想的肖特基勢(shì)壘金屬。由于Ni/SiC的勢(shì)壘高度高于Ti/SiC,故前者有更低的反向漏電流,而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD,采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢(shì)壘雙金屬溝槽(DMT)結(jié)構(gòu)的SiCSBD設(shè)計(jì)方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD,反向特性與Ni肖特基整流器相當(dāng),在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍,而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護(hù)環(huán)的6H-SiCSBD,擊穿電壓達(dá)550V。 常用的國(guó)產(chǎn)普通開關(guān)二極管有2AK系列鍺開關(guān)二極管。北京開關(guān)二極管陣列

新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。由于電子比空穴遷移率大,為獲得良好的頻率特性,故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容,提高反向擊穿電壓,同時(shí)又不使串聯(lián)電阻過大,通常是在N+襯底上外延一高阻N-薄層。大家知道,金屬導(dǎo)體內(nèi)部有大量的導(dǎo)電電子。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體接觸(二者距離只有原子大小的數(shù)量級(jí))時(shí),金屬的費(fèi)米能級(jí)低于半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)。在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對(duì)應(yīng)的分能級(jí)上,電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此,在二者接觸后,電子會(huì)從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散,從而使金屬帶上負(fù)電荷,半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體,負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個(gè)薄層之內(nèi)。而對(duì)于N型半導(dǎo)體來說,失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子,則分布在較大的厚度之中。電子從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的結(jié)果,形成空間電荷區(qū)、自建電場(chǎng)和勢(shì)壘,并且耗盡層只在N型半導(dǎo)體一邊(勢(shì)壘區(qū)全部落在半導(dǎo)體一側(cè))。勢(shì)壘區(qū)中自建電場(chǎng)方向由N型區(qū)指向金屬,隨熱電子發(fā)射自建場(chǎng)增加,與擴(kuò)散電流方向相反的漂移電流增大,**終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,在金屬與半導(dǎo)體之間形成一個(gè)接觸勢(shì)壘,這就是肖特基勢(shì)壘。湖南插件二極管電路圖SBD適用于在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻。

通常用肖特基二極管作為防反二級(jí)管。肖特基二極管,是功耗低、超高速的半導(dǎo)體器件。其*****特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航怠F渲饕糜诟哳l、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在變頻器、通信電源等應(yīng)用中比較常見。插件二極管封裝類型有:DO-27、TO-252、DO-41、DO-15、DO-201、R-6、DO-35、DO-41G、TO-220AB等。貼片二極管封裝類型有:SOD-523SOT-416SOD-323SOT-323SOT-343SOT-353SOT-363SOT-23SOT-346SC-61ASC-74ASOT-457SOD-123。DO-213AA(LL-34)SOD-106DO-214ACDO-213ABDO-214DO-214AADO-214AB。

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件,它具有單向?qū)щ娦阅?,在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接,構(gòu)成不同功能的電路,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電整流、對(duì)調(diào)制信號(hào)檢波、限幅和鉗位以及對(duì)電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能。我們可提供的二極管類型有:普通整流二極管,快恢復(fù)二極管,高效整流二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)抑制二極管、穩(wěn)壓二極管,開關(guān)二極管、觸發(fā)二極管等。面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大,可以通過較大的電流,也能承受較高的反向電壓,適宜在整流電路中使用。

穩(wěn)壓二極管,是指利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。,穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多,反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí),反向電阻很大,反向漏電流極小。但是,當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時(shí),反向電流驟然增大,稱為擊穿,在這一臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化,而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近,從而實(shí)現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。 SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)。陜西穩(wěn)壓二極管封裝

無論是在常見的收音機(jī)電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中,都可以找到二極管的蹤跡。北京開關(guān)二極管陣列

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管(DIAC)屬三層結(jié)構(gòu),具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅,在電路中作過壓保護(hù)等用途。測(cè)量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓的方法:將兆歐表的正極(E)和負(fù)極(L)分別接雙向觸發(fā)二極管的兩端,用兆歐表提供擊穿電壓,同時(shí)用萬用表的直流電壓檔測(cè)量出電壓值,將雙向觸發(fā)二極管的兩極對(duì)調(diào)后再測(cè)量一次。比較一下兩次測(cè)量的電壓值的偏差(一般為3~6V)。此偏差值越小,說明此二極管的性能越好。 北京開關(guān)二極管陣列

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