海南雙向觸發(fā)二極管特性

熟悉二極管的特性就知道，二極管***的一個(gè)特性就是單向?qū)щ娦?。?dāng)電流流過(guò)二極管處時(shí)，由于二極管的單向?qū)щ娦裕柚沽穗娏髁鬟^(guò)，此時(shí)的負(fù)載無(wú)法構(gòu)成回路，對(duì)負(fù)載電路沒(méi)有任何影響。假如沒(méi)有這個(gè)防電源接反二極管，當(dāng)電源接反時(shí)，此時(shí)負(fù)載電路構(gòu)成回路，負(fù)載流過(guò)的電流與正常情況不一樣，從而導(dǎo)致負(fù)載電路燒毀。一般情況下，電路板輸入電源中都會(huì)加二極管來(lái)防止電源接反時(shí)，而燒毀電路板。防反二極管一般接在電源輸入端的正極上，當(dāng)然也可接在負(fù)極上。 肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD）。海南雙向觸發(fā)二極管特性

穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。 此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來(lái)分檔的，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來(lái)以便在較高的電壓上使用，通過(guò)串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。陜西穩(wěn)壓二極管伏安特性二極管整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過(guò)的比較大正向平均電流值。

    肖特基二極管又稱SBD,是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的。肖特基二極管不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，肖特基二極管也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中*有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。

橋式整流器是由四只整流硅芯片作橋式連接，外用絕緣朔料封裝而成，大功率橋式整流器在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱。橋式整流器品種多：有扁形、圓形、方形、板凳形（分直插與貼片）等，有GPP與O/J結(jié)構(gòu)之分。比較大整流電流從，比較高反向峰值電壓從50V到1600V。全橋的正向電流有、1A、、2A、、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（比較高反向電壓）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規(guī)格。一般橋式整流器（整流橋）命名中有3個(gè)數(shù)字，***個(gè)數(shù)字**額定電流，A；后兩個(gè)數(shù)字**額定電壓(數(shù)字*100)，V。如：KBL407即4A，700V。KBPC5010即50A,1000V（1234567，005、01、02、04、06、08、10分別**電壓檔的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）。 開(kāi)關(guān)二極管分為普通、高速、超高速、低功耗、高反壓、硅電壓開(kāi)關(guān)二極管等多種類型。

SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢(shì)壘高度和臨界電場(chǎng)比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅（SiC）材料的禁帶寬度大(～)，臨界擊穿電場(chǎng)高（2V/cm～4×106V/cm），飽合速度快（2×107cm/s。熱導(dǎo)率高為（cm·K），抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開(kāi)關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢(shì)壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢(shì)壘高度，這是相矛盾的。因此，對(duì)勢(shì)壘金屬必須折衷考慮，故對(duì)其選擇顯得十分重要。對(duì)N型SiC來(lái)說(shuō)，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢(shì)壘金屬。由于Ni/SiC的勢(shì)壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢(shì)壘雙金屬溝槽（DMT）結(jié)構(gòu)的SiCSBD設(shè)計(jì)方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當(dāng)，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護(hù)環(huán)的6H－SiCSBD，擊穿電壓達(dá)550V。 SBD反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，比較高*約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。廣西二極管國(guó)產(chǎn)替代

開(kāi)關(guān)二極管，是半導(dǎo)體二極管的一種，是為在電路上進(jìn)行"開(kāi)"、"關(guān)"而特殊設(shè)計(jì)制造的一類二極管。海南雙向觸發(fā)二極管特性

整流作用高壓二極管擊穿，會(huì)燒斷高壓保險(xiǎn)絲。高壓二極管內(nèi)部燒斷，會(huì)只有交流高壓，沒(méi)有直流高壓。在陽(yáng)極與陰極之間加上—定的直流電壓，陰極發(fā)射的電子受陽(yáng)極正電位影響而飛向陽(yáng)極，另外再有磁鐵的作用,在空間上存在方向與電場(chǎng)垂直的磁場(chǎng)，因而電子在磁場(chǎng)力和電場(chǎng)力作用下作輪擺運(yùn)動(dòng)。因陽(yáng)極諧振腔內(nèi)存在高頻電場(chǎng)，因而就會(huì)形成繞陽(yáng)極旋轉(zhuǎn)的“電子云”；當(dāng)旋轉(zhuǎn)速度與高頻磁場(chǎng)同步時(shí)，電子將所有的能量交給高頻磁場(chǎng)，從而維持高頻振蕩。這種高頻能量經(jīng)微波能量輸出器輸出，由波導(dǎo)管傳輸?shù)轿⒉t腔里加熱食物。 海南雙向觸發(fā)二極管特性

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