《數(shù)字化轉(zhuǎn)型和跨學(xué)科實(shí)踐暑期研討會(huì)》詳解
數(shù)字化轉(zhuǎn)型和跨學(xué)科實(shí)踐暑期研討會(huì)
金角魚(yú),在與課堂的融合中彰顯價(jià)值—上海奉賢區(qū)初中物理專題復(fù)習(xí)
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金角魚(yú)支持上海民辦永昌學(xué)校《探究物質(zhì)質(zhì)量與體積的關(guān)系》公開(kāi)課
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物理課堂與金角魚(yú)整合教學(xué)研討
《初中物理教學(xué)與金角魚(yú)整合教學(xué)研究》之上海奉賢5.20教研
《初中物理教學(xué)與金角魚(yú)整合教學(xué)研究》之上海奉賢5.6教研
紅外激光沒(méi)有在條形碼掃描儀中得到廣泛應(yīng)用的另一個(gè)原因是:操作者在掃描時(shí)需要將可見(jiàn)的光線對(duì)準(zhǔn)條碼。既然紅外光對(duì)于人眼是不可見(jiàn)的掃描儀必須要有另外一個(gè)光源照亮條碼。激光二極管在構(gòu)造上的另一個(gè)特征是有一個(gè)光電感應(yīng)監(jiān)視器。除了芯片前端有激光發(fā)射出來(lái)之外,后端也有一部分激光發(fā)射出來(lái)。這部分光被位于激光二極管內(nèi)部的光電感應(yīng)器所接收,由此產(chǎn)生的信號(hào)就可以在二極管密封體后方的一個(gè)管腳上得到。這個(gè)信號(hào)可以被VLD的驅(qū)動(dòng)電路利用,以控制激光能量的大小。***,可視激光二極管的價(jià)格非常具有競(jìng)爭(zhēng)力,*是氦氖激光管價(jià)格的幾分之一。因此應(yīng)用在激光條形碼掃描儀中,VLD無(wú)疑是一種高效低價(jià)的解決方法。用來(lái)表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo),稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。安徽整流二極管訂制
TVS瞬態(tài)抑制二極管是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí),它能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?,吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值,有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應(yīng)速度快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無(wú)損壞極限、體積小等優(yōu)點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流器、家用電器、儀器儀表(電度表),RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數(shù)字照相機(jī)的保護(hù)、共模/差模保護(hù)、RF耦合/IC驅(qū)動(dòng)接收保護(hù)、電機(jī)電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個(gè)領(lǐng)域。 北京整流二極管現(xiàn)貨開(kāi)關(guān)二極管從截止(高阻狀態(tài))到導(dǎo)通(低阻狀態(tài))的時(shí)間叫開(kāi)通時(shí)間。
新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過(guò)金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。由于電子比空穴遷移率大,為獲得良好的頻率特性,故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容,提高反向擊穿電壓,同時(shí)又不使串聯(lián)電阻過(guò)大,通常是在N+襯底上外延一高阻N-薄層。大家知道,金屬導(dǎo)體內(nèi)部有大量的導(dǎo)電電子。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體接觸(二者距離只有原子大小的數(shù)量級(jí))時(shí),金屬的費(fèi)米能級(jí)低于半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)。在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對(duì)應(yīng)的分能級(jí)上,電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此,在二者接觸后,電子會(huì)從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散,從而使金屬帶上負(fù)電荷,半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體,負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個(gè)薄層之內(nèi)。而對(duì)于N型半導(dǎo)體來(lái)說(shuō),失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子,則分布在較大的厚度之中。電子從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的結(jié)果,形成空間電荷區(qū)、自建電場(chǎng)和勢(shì)壘,并且耗盡層只在N型半導(dǎo)體一邊(勢(shì)壘區(qū)全部落在半導(dǎo)體一側(cè))。勢(shì)壘區(qū)中自建電場(chǎng)方向由N型區(qū)指向金屬,隨熱電子發(fā)射自建場(chǎng)增加,與擴(kuò)散電流方向相反的漂移電流增大,**終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,在金屬與半導(dǎo)體之間形成一個(gè)接觸勢(shì)壘,這就是肖特基勢(shì)壘。
高壓SBD圖2肖特基二極管長(zhǎng)期以來(lái),在輸出12V~24V的SMPS中,次級(jí)邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V~48V的SMPS中,只有選用200V~400V的FRED。設(shè)計(jì)者迫切需要介于100V~200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來(lái),美國(guó)IR公司和APT公司以及ST公司瞄準(zhǔn)高壓SBD的巨大商機(jī),先后開(kāi)發(fā)出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結(jié)構(gòu)上增加了PN結(jié)工藝,形成肖特基勢(shì)壘與PN結(jié)相結(jié)合的混合結(jié)構(gòu),如圖2所示。采用這種結(jié)構(gòu)的SBD,擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過(guò)調(diào)控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P+區(qū)的擴(kuò)散深度,使反偏時(shí)的擊穿電壓突破了100V這個(gè)長(zhǎng)期不可逾越的障礙,達(dá)到150V和200V。在正向偏置時(shí),高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門限電壓為,而肖特基勢(shì)壘的結(jié)電壓*約,故正向電流幾乎全部由肖特基勢(shì)壘供給。硅開(kāi)關(guān)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間只有幾納秒,即使是鍺開(kāi)關(guān)二極管,也不過(guò)幾百納秒。
TVS主要用于對(duì)電路元件進(jìn)行快速過(guò)電壓保護(hù)。它能"吸收"功率高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌信號(hào)。TVS具有體積小、功率大、響應(yīng)快、無(wú)噪聲、價(jià)格低等諸多優(yōu)點(diǎn),它的應(yīng)用十分***,如:家用電器;電子儀器;儀表;精密設(shè)備;計(jì)算機(jī)系統(tǒng);通訊設(shè)備;RS232、485及CAN等通訊端口;ISDN的保護(hù);I/O端口;IC電路保護(hù);音、視頻輸入;交、直流電源;電機(jī)、繼電器噪聲的抑制等各個(gè)領(lǐng)域。它可以有效地對(duì)雷電、負(fù)載開(kāi)關(guān)等人為操作錯(cuò)誤引起的過(guò)電壓沖擊起保護(hù)作用,下面是幾個(gè)TVS在電路應(yīng)用中的典型例子。TVS用于交流電路:見(jiàn)圖6,這是一個(gè)雙向TVS在交流電路中的應(yīng)用,可以保護(hù)整流橋及負(fù)載中所有的元器件。圖7所示為用單向TVS并聯(lián)于整流管旁側(cè)以保護(hù)整流管不被瞬時(shí)脈沖擊穿。圖8中TVS1是一只雙向TVS管,它正負(fù)兩個(gè)方向均可"吸收"瞬時(shí)大脈沖,把電路電壓箝制到預(yù)定水平。這類雙向TVS用于交流電路是極方便的。它可以保護(hù)變壓器以后的所有電路元件。由于加上TVS1,電路保險(xiǎn)絲容量要加大。TVS2也是一只雙向TVS管,它可以對(duì)橋式整流器及以后的電路元件實(shí)行過(guò)電壓保護(hù)。它的Vb值及VC值應(yīng)與變壓器副邊輸出電壓相適應(yīng)。TVS3是一只單向TVS管,因?yàn)榧釉谒厦娴碾妷菏且颜骱蟮闹绷麟妷?TVS3只保護(hù)負(fù)載不受過(guò)電壓沖擊。 工作頻率的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。湖北觸發(fā)二極管SS14
利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接,構(gòu)成不同功能的電路。安徽整流二極管訂制
MOS管,即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫(xiě)為MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(比較高可達(dá)1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電的電壓控制元件,在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,一般選用場(chǎng)效應(yīng)管。MOS管一般應(yīng)用于放大、阻抗變換、可變電阻、恒流源、電子開(kāi)關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)合。我們可提供多種封裝類型及規(guī)格的PMOS和NMOS產(chǎn)品,產(chǎn)品封裝形式有TO-252、PDFN5*6、ESOT-23、SOP-8、SOT-23、PDFN2*2、PDFN3*3、SOT-363、SOT-323、TO-220、TO-220F、ESOP-8、TO-247等。安徽整流二極管訂制
上海來(lái)明電子有限公司位于靈山路1000弄2號(hào)808,是一家專業(yè)的一般項(xiàng)目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動(dòng)工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售,電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng))。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外。憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)) 許可項(xiàng)目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng),具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以相關(guān)部門批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))公司。在來(lái)明電子近多年發(fā)展歷史,公司旗下現(xiàn)有品牌晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬等。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力,多年來(lái)一直專注于一般項(xiàng)目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動(dòng)工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售,電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng))。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外。憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)) 許可項(xiàng)目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng),具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以相關(guān)部門批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))的發(fā)展和創(chuàng)新,打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。自公司成立以來(lái),一直秉承“以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念,始終堅(jiān)持以客戶的需求和滿意為重點(diǎn),為客戶提供良好的TVS、ESD、MOV,放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容,從而使公司不斷發(fā)展壯大。