吉林硅二極管特性

TVS瞬態(tài)抑制二極管是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10的負(fù)12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應(yīng)速度快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流器、家用電器、儀器儀表（電度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數(shù)字照相機(jī)的保護(hù)、共模/差模保護(hù)、RF耦合/IC驅(qū)動接收保護(hù)、電機(jī)電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個(gè)領(lǐng)域。 肖特基對管又有共陰、共陽和串聯(lián)三種管腳引出方式。吉林硅二極管特性

來明電子成立于2010年，是一家致力于電子元器件服務(wù)的供應(yīng)鏈整合管理機(jī)構(gòu)，專注為客戶提供電子元器件產(chǎn)品及一站式供應(yīng)鏈解決方案。我們在業(yè)內(nèi)擁有二十多年的經(jīng)驗(yàn)，整合了質(zhì)量的供應(yīng)鏈資源，產(chǎn)品包含各類電容產(chǎn)品、二極管、橋堆、場效應(yīng)管、氣體放電管、壓敏電阻、保險(xiǎn)絲、繼電器、晶振、國產(chǎn)芯片等。我們嚴(yán)格篩選生產(chǎn)供應(yīng)商，制定供應(yīng)商評估體系，在產(chǎn)品質(zhì)量、發(fā)貨速度、售后服務(wù)、交貨方面進(jìn)行嚴(yán)格考核，持續(xù)為客戶提供***產(chǎn)品。所有合作伙伴均通過相關(guān)國際質(zhì)量管理體系認(rèn)證，擁有專業(yè)生產(chǎn)基地和實(shí)驗(yàn)室、**的自動化設(shè)備生產(chǎn)線，保證產(chǎn)品高標(biāo)準(zhǔn)、高質(zhì)量、批量化生產(chǎn)。廣西雙向觸發(fā)二極管國產(chǎn)替代早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。

通常用肖特基二極管作為防反二級管。肖特基二極管，是功耗低、超高速的半導(dǎo)體器件。其*****特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航?。其主要用于高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在變頻器、通信電源等應(yīng)用中比較常見。插件二極管封裝類型有：DO-27、TO-252、DO-41、DO-15、DO-201、R-6、DO-35、DO-41G、TO-220AB等。貼片二極管封裝類型有：SOD-523SOT-416SOD-323SOT-323SOT-343SOT-353SOT-363SOT-23SOT-346SC-61ASC-74ASOT-457SOD-123。DO-213AA(LL-34)SOD-106DO-214ACDO-213ABDO-214DO-214AADO-214AB。

SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅（SiC）材料的禁帶寬度大(～)，臨界擊穿電場高（2V/cm～4×106V/cm），飽合速度快（2×107cm/s。熱導(dǎo)率高為（cm·K），抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢壘雙金屬溝槽（DMT）結(jié)構(gòu)的SiCSBD設(shè)計(jì)方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當(dāng)，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護(hù)環(huán)的6H－SiCSBD，擊穿電壓達(dá)550V。 晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。

測量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓的方法：先用萬用表測出市電電壓U，然后將被測雙向觸發(fā)二極管串入萬用表的交流電壓測量回路后，接入市電電壓，讀出電壓值U1，再將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調(diào)連接后并讀出電壓值U2。測量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓的方法：用0~50V連續(xù)可調(diào)直流電源，將電源的正極串接1只20kΩ電阻器后與雙向觸發(fā)二極管的一端相接，將電源的負(fù)極串接萬用表電流檔（將其置于1mA檔）后與雙向觸發(fā)二極管的另一端相接。逐漸增加電源電壓，當(dāng)電流表指針有較明顯擺動時(shí)（幾十微安以上），則說明此雙向觸發(fā)二極管已導(dǎo)通，此時(shí)電源的電壓值即是雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓。鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。黑龍江小信號整流二極管電路圖

二極管反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。吉林硅二極管特性

1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時(shí)，嚴(yán)禁直接注視其端面，不能透過鏡片直視激光，也不能透過反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅(qū)動電源，瞬時(shí)反向電流不能超過2uA，反向電壓不得超過3V,否則會損壞器件。驅(qū)動電源子在電源通斷時(shí)，要防止浪涌電流的措施。用示波器測試驅(qū)動電路時(shí)，要先斷開電源再連接示波器探頭，若在通電情況下測試探頭，可能引用浪涌電流損壞器件。3.器件應(yīng)存放或工作于干凈的環(huán)境中。4.在較高溫度下工作，會增大閥值電流，較低轉(zhuǎn)化頻率，加速器件的老化。在調(diào)整光輸入量時(shí)，要用光功率表檢測，防止超過大額定輸出。5.輸出功率高于指定參數(shù)工作，會加速元件老化。6.機(jī)器需要充分散熱或在制冷條件下使用，激光二極管的溫度嚴(yán)格控制在20度以下，保證壽命。7.二極管屬于靜電敏感器件，在人體有良好的情況下才可以拿取，防靜電可以采用防靜電手鐲的方法。8.激光器的輸出波長受工作電流與散熱的影響，要保持良好的散熱條件，降低工作時(shí)管芯的溫度。加散熱器防止激光二極管在工作中溫升過高。吉林硅二極管特性

上海來明電子有限公司位于靈山路1000弄2號808。公司業(yè)務(wù)涵蓋TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競爭力，努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識，遵守行業(yè)規(guī)范，植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。來明電子憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽(yù)和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。