浙江小信號(hào)整流二極管電壓

LED是利用注入有源區(qū)的載流子自發(fā)輻射復(fù)合發(fā)光，而LD是受激輻射復(fù)合發(fā)光。發(fā)光二極管發(fā)出的光子的方向，相位是隨機(jī)的，激光二極管發(fā)出的光子是同方向，同相位。LED的**顯著特點(diǎn)是使用壽命長(zhǎng)，光電轉(zhuǎn)換效能高。其原下上在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái)，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。LD是激光二極管的英文縮寫(xiě)，激光二極管的物理架構(gòu)是在發(fā)光二極管的結(jié)間安置一層具有光活性的半導(dǎo)體，其端面經(jīng)過(guò)拋光后具有部分反射功能，因而形成一光諧振腔。半導(dǎo)體雷射二極管的工作原理，理論上與氣體雷射器相同。激光二極管在電腦上的CD光驅(qū)，激光印表機(jī)中的列印頭等小功率光電裝置中得到了***的應(yīng)用。二者在原理、架構(gòu)、效能上的差別。（1）在工作原理上的差別：LED是利用注入有源區(qū)的載流子自發(fā)輻射復(fù)合發(fā)光，而LD是受激輻射復(fù)合發(fā)光。（2）在架構(gòu)上的差別：LD有光學(xué)諧振腔，使產(chǎn)生的光子在腔內(nèi)振蕩放大，LED沒(méi)有諧振腔。（3）效能上的差別：LED沒(méi)有臨界值特徴，光譜密度比LD高幾個(gè)數(shù)量級(jí)，LED匯出光功率小，發(fā)散角大。 常用的高反壓開(kāi)關(guān)二極管有RLS系列（表面封裝）和1SS系列（有引線塑封)。浙江小信號(hào)整流二極管電壓

測(cè)量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓的方法：先用萬(wàn)用表測(cè)出市電電壓U，然后將被測(cè)雙向觸發(fā)二極管串入萬(wàn)用表的交流電壓測(cè)量回路后，接入市電電壓，讀出電壓值U1，再將雙向觸發(fā)二極管的兩極對(duì)調(diào)連接后并讀出電壓值U2。測(cè)量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓的方法：用0~50V連續(xù)可調(diào)直流電源，將電源的正極串接1只20kΩ電阻器后與雙向觸發(fā)二極管的一端相接，將電源的負(fù)極串接萬(wàn)用表電流檔（將其置于1mA檔）后與雙向觸發(fā)二極管的另一端相接。逐漸增加電源電壓，當(dāng)電流表指針有較明顯擺動(dòng)時(shí)（幾十微安以上），則說(shuō)明此雙向觸發(fā)二極管已導(dǎo)通，此時(shí)電源的電壓值即是雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓。江蘇二極管作用由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管大。

由于多種原因，當(dāng)前***使用的是可視激光二極管(英文簡(jiǎn)稱"VLD""Visible Laser Diode")。激光二極管的可靠性非常好，壽命要比氦氖激光長(zhǎng)幾倍，而且工作電壓很低（通常只有2伏），沒(méi)有特殊供電要求。它們的封裝非常小而輕，并且密封堅(jiān)固。由于耗能非常小，它們可用在直接從計(jì)算機(jī)甚至電池取電的條形碼讀碼器中。之所以選用可視激光而不是紅外激光，是因?yàn)镮R類型的掃描儀不能識(shí)讀打印在某些特殊材質(zhì)上的條形碼。盡管條碼本身在人眼看來(lái)是暗條打印在淺色背景上，紅外激光與可見(jiàn)光的被吸收程度是不同的。

TVS瞬態(tài)抑制二極管是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應(yīng)速度快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無(wú)損壞極限、體積小等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流器、家用電器、儀器儀表（電度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數(shù)字照相機(jī)的保護(hù)、共模/差模保護(hù)、RF耦合/IC驅(qū)動(dòng)接收保護(hù)、電機(jī)電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個(gè)領(lǐng)域。 高反壓開(kāi)關(guān)二極管的反向擊穿電壓均在220V以上，但其零偏壓電容和反向恢復(fù)時(shí)間值相對(duì)較大。

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來(lái)觸發(fā)雙向可控硅，在電路中作過(guò)壓保護(hù)等用途。測(cè)量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓的方法：將兆歐表的正極（E）和負(fù)極（L）分別接雙向觸發(fā)二極管的兩端，用兆歐表提供擊穿電壓，同時(shí)用萬(wàn)用表的直流電壓檔測(cè)量出電壓值，將雙向觸發(fā)二極管的兩極對(duì)調(diào)后再測(cè)量一次。比較一下兩次測(cè)量的電壓值的偏差（一般為3~6V）。此偏差值越小，說(shuō)明此二極管的性能越好。 當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過(guò)電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來(lái)，這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。浙江小信號(hào)整流二極管電壓

開(kāi)關(guān)二極管從截止（高阻狀態(tài)）到導(dǎo)通（低阻狀態(tài)）的時(shí)間叫開(kāi)通時(shí)間。浙江小信號(hào)整流二極管電壓

新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過(guò)金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容，提高反向擊穿電壓，同時(shí)又不使串聯(lián)電阻過(guò)大，通常是在N+襯底上外延一高阻N－薄層。大家知道，金屬導(dǎo)體內(nèi)部有大量的導(dǎo)電電子。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體接觸（二者距離只有原子大小的數(shù)量級(jí)）時(shí)，金屬的費(fèi)米能級(jí)低于半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)。在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對(duì)應(yīng)的分能級(jí)上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會(huì)從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散，從而使金屬帶上負(fù)電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個(gè)薄層之內(nèi)。而對(duì)于N型半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。電子從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的結(jié)果，形成空間電荷區(qū)、自建電場(chǎng)和勢(shì)壘，并且耗盡層只在N型半導(dǎo)體一邊（勢(shì)壘區(qū)全部落在半導(dǎo)體一側(cè)）。勢(shì)壘區(qū)中自建電場(chǎng)方向由N型區(qū)指向金屬，隨熱電子發(fā)射自建場(chǎng)增加，與擴(kuò)散電流方向相反的漂移電流增大，**終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，在金屬與半導(dǎo)體之間形成一個(gè)接觸勢(shì)壘，這就是肖特基勢(shì)壘。浙江小信號(hào)整流二極管電壓

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