天津貼片ESD保護(hù)元件電壓

由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點(diǎn)對于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點(diǎn)對于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。常用的ESD保護(hù)器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。天津貼片ESD保護(hù)元件電壓

在高頻接口還可以采用電阻衰減網(wǎng)絡(luò)和LC濾波電路形成ESD保護(hù)。電阻衰減網(wǎng)絡(luò)在很寬的頻帶范圍都有較好的適應(yīng)性，但是它在衰減ESD脈沖的同時，對高頻信號進(jìn)行同比例衰減，改變了電路系統(tǒng)的增益分配，而且在低噪聲要求的高頻接口不能采用此方法。從圖1的ESD頻譜可見，數(shù)百M(fèi)Hz以下的高頻接口很難使用濾波方法實(shí)現(xiàn)ESD防護(hù)，只有在GHz以上的高頻接口且使用LC高通濾波器才具有可實(shí)現(xiàn)性。適用于高頻信號接口的ESD防護(hù)電路必須有很小的并聯(lián)結(jié)電容、較小的串聯(lián)電感和很快的響應(yīng)速度，這對防護(hù)器件參數(shù)的選取、PCB布局的寄生參數(shù)控制、阻抗匹配以及布板面積都有較高的要求，實(shí)際實(shí)現(xiàn)起來并不簡單。安徽貼片ESD保護(hù)元件應(yīng)用靜電放電可達(dá)到高達(dá)幾十千伏的放電電壓。

靜電保護(hù)元件被廣泛應(yīng)用于HDMI接口、便攜式視頻設(shè)備、LCD等離子電視、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系統(tǒng)、便攜設(shè)備（PDA、DSC、藍(lán)牙）、打印機(jī)接口、衛(wèi)星接收器、DVI、天線等進(jìn)而改善對敏感電子元件的保護(hù)。注意事項(xiàng)編輯 播報(bào)1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV。3.設(shè)計(jì)時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計(jì)選型時盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。

MOV具有ns級的快速響應(yīng)，但是結(jié)電容一般在數(shù)十pF以上;GDT具有pF級以下的結(jié)電容，但是響應(yīng)時間在數(shù)百ns以上;TSS的響應(yīng)速度很快，可達(dá)ps級，其結(jié)電容一般也在數(shù)十pF以上;TVS的響應(yīng)速度很快，可達(dá)ps級，其結(jié)電容目前比較低可以做到兒個pF;快速開關(guān)二極管的響應(yīng)速度與TVS相同，其結(jié)電容可達(dá)到1pF以下。可見，MOV、GDT和TSS都不能用于高頻電路的ESD防護(hù);TVS可以直接使用在數(shù)百M(fèi)Hz的信號接口進(jìn)行ESD防護(hù)，當(dāng)用于GHz以上的信號接口必須采用降低結(jié)電容的措施:低容值的快速開關(guān)二極管可以直接或采用降低結(jié)電容的優(yōu)化措施后用于數(shù)GHz的信號接口。靜電源包裝，出ESD防護(hù)區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響。

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內(nèi)部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應(yīng)及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認(rèn)良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十?dāng)_是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經(jīng)通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現(xiàn)ADC的異常工作呢?ADC電路的設(shè)計(jì)肯定存在較薄弱的環(huán)節(jié)。檢查電路發(fā)現(xiàn),ADC存在模擬地和數(shù)字地,電路設(shè)計(jì)時為了使數(shù)字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數(shù)字地和模擬地之問跨接了磁珠進(jìn)行隔離。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。福建耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件應(yīng)用

靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對敏感器件周邊進(jìn)行靜電源控制。天津貼片ESD保護(hù)元件電壓

電阻衰減網(wǎng)絡(luò)可以采用圖2中(b)的n形結(jié)構(gòu)，也可以采用T型結(jié)構(gòu)。多階LC高通濾波器可以獲得較好的濾波矩形系數(shù)，當(dāng)濾波器截止頻率高于ESD脈沖主能量成分的頻率，可以把絕人部分ESD能量濾除，因此在較高頻率的高頻端口使用LC高通濾波器，可以獲得很好的SD防護(hù)效果。電阻衰減網(wǎng)絡(luò)和品通濾波器屬于線性無源網(wǎng)絡(luò)，不存在響應(yīng)速度的問題，根據(jù)高頻電路阻抗特征進(jìn)行優(yōu)良的四配設(shè)計(jì)也有利于改善高頻接口的駐波性能。為了提高ESD防護(hù)效果，ESD防護(hù)電路應(yīng)盡可能靠近高頻端口，而被保護(hù)器件應(yīng)盡量遠(yuǎn)離端口，同時應(yīng)盡可能地減小并聯(lián)保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)寄生電感，如圖2(a)中的L1和L2，大的寄生電感將抗拒ESD脈沖電流的快速變化，使ESD電流大部分流入被防護(hù)器件。單級防護(hù)電路的防護(hù)效果不能滿足要求時，可以采用防護(hù)二極管、濾波器、衰減器等多級級聯(lián)的防護(hù)結(jié)構(gòu)。在選用TVS、開關(guān)二極管和R/L/C元件設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路時，要注意選用的元件、特別是R/L/C元件的能量承受能力要足夠強(qiáng)，不被ESD脈沖損壞，提高防護(hù)電路的可靠性。天津貼片ESD保護(hù)元件電壓

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