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來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-09-19

所述第六電容c6的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的電源地管腳bgnd。具體地,所述第二電感l(wèi)2連接于所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的電源地管腳bgnd與信號(hào)地管腳gnd之間。需要說明的是,本實(shí)施例增加所述電源地管腳bgnd實(shí)現(xiàn)整流橋的接地端與所述邏輯電路122的接地端分開,通過外置電感實(shí)現(xiàn)emi濾波,減小電磁干擾。同樣適用于實(shí)施例一及實(shí)施例三的電源模組,不限于本實(shí)施例。需要說明的是,所述整流橋的設(shè)置方式、所述功率開關(guān)管與所述邏輯電路的設(shè)置方式,以及各種器件的組合可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置,不以本實(shí)用新型列舉的幾種實(shí)施例為限。另外,由于應(yīng)用的多樣性,本實(shí)用新型主要針對(duì)led驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的三種使用整流橋的拓?fù)溥M(jìn)行了示例,類似的結(jié)構(gòu)同樣適用于充電器/適配器等ac-dc電源領(lǐng)域等,尤其是功率小于25w的中小功率段應(yīng)用,本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易將其推廣到其他使用了整流橋的應(yīng)用領(lǐng)域。本實(shí)用新型的拓?fù)浜wled驅(qū)動(dòng)的高壓線性、高壓buck、flyback三個(gè)應(yīng)用,并可以推廣到ac-dc充電器/適配器領(lǐng)域;本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化。西藏進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家電話

所述功率開關(guān)管可通過所述信號(hào)地基島14及所述信號(hào)地管腳gnd實(shí)現(xiàn)散熱。需要說明的是,所述控制芯片12可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上。當(dāng)設(shè)置于所述信號(hào)地基島14上時(shí)所述控制芯片12的襯底與所述信號(hào)地基島14電連接,散熱效果好。當(dāng)設(shè)置于其他基島上時(shí)所述控制芯片12的襯底與該基島絕緣設(shè)置,包括但不限于絕緣膠,以防止短路,散熱效果略差。具體設(shè)置方式可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定,在此不一一贅述。本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用兩基島架構(gòu),將整流橋,功率開關(guān)管及邏輯電路集成在一個(gè)引線框架內(nèi),其中,一個(gè)引線框架是指形成于同一塑封體中的管腳、基島、金屬引線及其他金屬連接結(jié)構(gòu);由此,本實(shí)施例可降低封裝成本。如圖2所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組包括:所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,一電容c1,負(fù)載及一采樣電阻rcs1。如圖2所示,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線,零線管腳n連接零線,信號(hào)地管腳gnd接地。如圖2所示,所述一電容c1的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端接地。如圖2所示,所述負(fù)載連接于所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv與漏極管腳drain之間。寧夏西門康SEMIKRON整流橋模塊在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引**流輸入導(dǎo)線)相連。

    整流橋在電路中也是非常常見的一種器件,特別是220V供電的設(shè)備中,由于220V是交流電,我們一般使用的電子器件是弱電,所以需要降壓整流,***和大家談?wù)?,整流橋在電路中起什么作用?步驟閱讀方法/步驟1首先看下整流橋的工作原理,它是由四個(gè)二極管組成,對(duì)交流電進(jìn)行整流為直流電。步驟閱讀2進(jìn)過整流橋直接整流過的電壓還不夠穩(wěn)定,還需要濾波電路對(duì)整流過的電壓進(jìn)行過濾已達(dá)到穩(wěn)定的電壓。步驟閱讀3為了減少的電壓的波動(dòng),一般還需要LDO的配合來達(dá)到更加精細(xì)和穩(wěn)定的電壓,比如7805就是常見的LDO。步驟閱讀4上面三點(diǎn)再加上變壓器,變壓器對(duì)220V或者更高的交流電壓進(jìn)行***次降壓,這就是我們平常**常見的電源電路。步驟閱讀5整流橋的選型也是至關(guān)重要的,后級(jí)電流如果過大,整流橋電流小,這樣就會(huì)導(dǎo)致整流橋發(fā)燙嚴(yán)重。步驟閱讀6如果為了減低成本,也可以使用4顆二極管來自己搭建整流橋。

    本實(shí)用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝,節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本,并有助于系統(tǒng)小型化。綜上所述,本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,包括:塑封體,設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳,以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島;其中,所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過基島或引線連接至對(duì)應(yīng)管腳;所述邏輯電路連接對(duì)應(yīng)管腳,產(chǎn)生邏輯控制信號(hào);所述功率開關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào),漏極及源極分別連接對(duì)應(yīng)管腳;所述功率開關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi)。本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路通過一個(gè)引線框架封裝在同一個(gè)塑封體中,以此減小封裝成本。所以,本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例例示性說明本實(shí)用新型的原理及其功效,而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下,對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。 由于一般整流橋應(yīng)用時(shí),常在其負(fù)載端接有平波電抗器,故可將其負(fù)載視為恒流源。

在恢復(fù)電流快速衰減時(shí),由于外電路電感的作用,會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零,到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間,就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后,由于載流子復(fù)合過程比較慢,晶閘管要恢復(fù)其對(duì)反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間,這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓,晶閘管會(huì)重新正向?qū)?,而不受門極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中,需對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反壓,使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力,電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和,即t=t+t除了開通時(shí)間t、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外,本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括:斷態(tài)(反向)重復(fù)峰值電壓U(U):是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),允許重復(fù)加在器件上的正向(反向)峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I:國(guó)際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù)。常用的國(guó)產(chǎn)全橋有佑風(fēng)YF系列,進(jìn)口全橋有ST、IR等。浙江哪里有西門康SEMIKRON整流橋模塊哪里有賣的

二極管模塊是一種常用的電子元件,具有整流、穩(wěn)壓、保護(hù)等功能。西藏進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家電話

    高壓端口hv通過金屬引線連接所述高壓供電基島13,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述高壓供電管腳hv的連接,接地端口gnd通過金屬引線連接所述信號(hào)地基島14,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接。需要說明的是,所述邏輯電路122可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上,與所述控制芯片12的設(shè)置方式類似,在此不一一贅述作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,所述漏極管腳drain的寬度大于,進(jìn)一步設(shè)置為~1mm,以加強(qiáng)散熱,達(dá)到封裝熱阻的作用。本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用三基島架構(gòu),將整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路及高壓續(xù)流二極管集成在一個(gè)引線框架內(nèi),由此降低封裝成本。如圖4所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組包括:本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,第二電容c2,第三電容c3,一電感l(wèi)1,負(fù)載及第二采樣電阻rcs2。如圖4所示,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線,零線管腳n連接零線,信號(hào)地管腳gnd接地。如圖4所示,所述第二電容c2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端接地。如圖4所示,所述第三電容c3的一端連接所述1高壓供電管腳hv,另一端經(jīng)由所述一電感l(wèi)1連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的漏極管腳drain。如圖4所示。 西藏進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家電話