湖北哪里有西門康SEMIKRON可控硅聯(lián)系方式

來源: 發(fā)布時間:2024-07-28

    一、可控硅的結構和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種(見圖表-25)。螺旋式的應用較多?!隹煽毓栌腥齻€電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結。其結構示意圖和符號見圖表-26?!鰪膱D表-26中可以看到,可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?!隹煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來簡單分析可控硅的工作原理。 可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。湖北哪里有西門康SEMIKRON可控硅聯(lián)系方式

    因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應用它??煽毓柚饕獏?shù)有:1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加一定電壓,使可控硅從關斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。采用可控硅技術對照明系統(tǒng)進行控制具有:電壓調節(jié)速度快,精度高,可分時段實時調整,有穩(wěn)壓作用,采用電子元件,相對來說體積小、重量輕、成本低。但該調壓方式存在一致命缺陷,由于斬波,使電壓無法實現(xiàn)正弦波輸出,還會出現(xiàn)大量諧波,形成對電網(wǎng)系統(tǒng)諧波污染,危害極大,不能用在有電容補償電路中。。 湖北哪里有西門康SEMIKRON可控硅聯(lián)系方式在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。

    一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E,又在控制極G和陰極C之間(相當BG2的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號,BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,經(jīng)放大,BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連,IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的,對可控硅來說,觸發(fā)信號加到控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),這一電流遠大于Ib2,足以保持BG2的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態(tài),只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,使BG1、BG2的集電極電流小于維持導通的小值時,可控硅方可關斷。當然,如果E極性反接。

    現(xiàn)代照明設計要求規(guī)定,照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達到,而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在,所以都設計用電容補償功率因數(shù))在國外發(fā)達國家,已有明文規(guī)定對電氣設備諧波含量的限制,在國內,北京、上海、廣州等大城市,已對諧波含量超標的設備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術對照明系統(tǒng)進行照度控制時,可通過加裝濾波設備來有效降低諧波污染。近年來,許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導通,用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。應用介紹------可控硅在調光器中的應用:可控硅調光器是目前舞臺照明、環(huán)境照明領域的主流設備。在照明系統(tǒng)中使用的各種調光器實質上就是一個交流調壓器,老式的變壓器和變阻器調光是采用調節(jié)電壓或電流的幅度來實現(xiàn)的,如下圖所示。u1是未經(jīng)調壓的220V交流電的波形,經(jīng)調壓后的電壓波形為u2,由于其幅度小于u1,使燈光變暗。在這種調光模式中,雖然改變了正弦交流電的幅值,但并未改變其正弦波形的本質。與變壓器、電阻器相比,可控硅調光器有著完全不同的調光機理,它是采用相位控制方法來實現(xiàn)調壓或調光的。對于普通反向阻斷型可控硅。 體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝。

    可控硅簡介可控硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅動器件,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統(tǒng)、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關使用。可控硅特性1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。 可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍。湖北哪里有西門康SEMIKRON可控硅聯(lián)系方式

可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結。湖北哪里有西門康SEMIKRON可控硅聯(lián)系方式

    故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結,并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3,當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后,門極已失去作用。在晶閘管導通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,由于a1和a1迅速下降,當1-(a1+a2)≈0時,晶閘管恢復阻斷狀態(tài)??煽毓柙碇饕猛揪庉嬁煽毓柙碚髌胀煽毓杌镜挠猛揪褪强煽卣鳌4蠹沂煜さ亩O管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅,就可以構成可控整流電路。我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。 湖北哪里有西門康SEMIKRON可控硅聯(lián)系方式