湖北進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅

可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：第1層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用。湖北進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。吉林西門康SEMIKRON可控硅廠家電話可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。

    關(guān)于賽米控賽米控是一家國(guó)際的功率半導(dǎo)體制造商。成立于1951年，總部位于德國(guó)的賽米控公司是一家在全球有3900名員工的家族式企業(yè)。賽米控遍布全球的36家子公司及分?e設(shè)在中國(guó)、巴西、法國(guó)、德國(guó)、印度、意大利、韓國(guó)、斯洛伐克、南非和美國(guó)的生產(chǎn)基地，能夠?yàn)榭蛻籼峁┛焖俑咝У默F(xiàn)場(chǎng)服務(wù)。賽米控是芯片、分離半導(dǎo)體器件、晶體管、二極管和晶閘管功率模塊、功率集成和系統(tǒng)的一站式供應(yīng)商，產(chǎn)品用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)、風(fēng)能和太陽(yáng)能發(fā)電、混合和電動(dòng)汽車、火車工業(yè)以及電源。賽米控是二極管/晶閘管半導(dǎo)體市場(chǎng)的，并且占有全球30％的市場(chǎng)份額。(資料來(lái)源:IMS-Research?Theworldwidemarketforpowersemiconductordiscretesandmodules“2011).在歐洲，賽米控接管了一家創(chuàng)新的控制系統(tǒng)開發(fā)CompactDynamics公司的大部分業(yè)務(wù);又與一家特定應(yīng)用的控制技術(shù)供應(yīng)商drivetek組成了合資企業(yè)；同時(shí)又全權(quán)接管了主力開發(fā)和生產(chǎn)逆變器、直流/直流轉(zhuǎn)換器和充電器的VePOINT公司。這些行動(dòng)都充分表現(xiàn)了賽米控在混合和電動(dòng)汽車市場(chǎng)發(fā)展的決心和針對(duì)該市場(chǎng)開發(fā)和生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。產(chǎn)品：SEMITRANS,SEMiX,SKiiP,SEMITOP,MiniSKiiP,SKiMMOSFET模塊SEMITOP,SEMITRANS可控硅/二極管模塊SEMIPACK。

可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

    只有可控硅模塊能夠滿足上述條件，才能說(shuō)明可控硅模塊是質(zhì)量的。當(dāng)然，判斷起來(lái)也非常簡(jiǎn)單，只需要使用萬(wàn)用表的歐姆檔測(cè)量可控硅的極間電阻。具體的做法就是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低，或近于無(wú)窮大，說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了。接著就是檢測(cè)可控硅模塊的三個(gè)PN結(jié)是否完好或者損壞，可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值?；旧蟻?lái)說(shuō)，通過(guò)以上方法就能夠判斷出可控硅模塊的好壞了。 可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等場(chǎng)合。湖北進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅

可控硅模塊的發(fā)展歷史比較悠久，發(fā)展到現(xiàn)代它的特點(diǎn)有很多，可應(yīng)用的范圍也非常廣。湖北進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅

    指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極，指針立即退回∞位置，則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進(jìn)一步測(cè)量，對(duì)于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說(shuō)明可控硅損壞。對(duì)于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說(shuō)明是好的。否則說(shuō)明該器件已損壞。左手665收藏時(shí)間：2016年2月6日18：40如何鑒別可控硅的三個(gè)極關(guān)鍵字：可控硅檢測(cè)方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。 湖北進(jìn)口西門康SEMIKRON可控硅