氮化鋁在取向硅鋼二次再結(jié)晶中的作用:二次再結(jié)晶在取向鋼的制造過程中不可缺少,它是在鋼鐵材料的方向性方面發(fā)生的現(xiàn)象。可以這樣形容,在幾乎無方向性的基體中,一粒沙子在一瞬間長(zhǎng)大成1立方米大的巖石,其結(jié)晶方位大約可達(dá)到95%的取向度。在此期問,為了抑制基體的長(zhǎng)大,普通的高斯法中,采用MnS、RG和RGH鋼中則利用的是MnSe、Sb,而這里將談?wù)凙IN。關(guān)于二次再結(jié)晶的機(jī)理已有很多文獻(xiàn)介紹,這里就A1N的特殊性進(jìn)行描述。HiB鋼熱軋材中的A1N必須是固溶態(tài)或極細(xì)小的AIN。具有(100)[001]方位的立方體織構(gòu)鋼,可以通過對(duì)含A1熱軋板進(jìn)行交叉冷軋得到,這時(shí)該鋼種具有以下三個(gè)重要的特征。AlN很好是1微米左右粗大尺寸,為此,熱軋時(shí)板坯加熱溫度低好,熱軋板的高溫退火對(duì)AIN的粗大化有利。采用交叉熱軋,雖然可以進(jìn)一步提高產(chǎn)生(100)面的機(jī)率,但隨著C量的增加,(100)[001]方位即45度立方體的混合比例將增加。利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,可制作Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件。湖州陶瓷氮化硼銷售公司
目前發(fā)現(xiàn)的適合作為燒結(jié)助劑的材料有Y2O3、CaO、Li2O、BaO、MgO、SrO2、La2O3、HfO2和CeO2等不與AlN發(fā)生反應(yīng)的氧化物,以及一些稀土金屬與堿土金屬的氟化物和少量具有還原性的化合物(CaC2、YC2、TiO2、ZrO2、TiN等)。單獨(dú)采用某種單一的燒結(jié)助劑,在常壓下燒結(jié)通常需要高于1800℃的溫度,利用復(fù)合助劑,設(shè)計(jì)合理的助劑及配比,可以進(jìn)一步有效降低燒結(jié)溫度,也是目前普遍采用的一種氮化鋁低溫?zé)Y(jié)方法。氮化鋁陶瓷基板電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用范圍越來越廣,目前也有一些國內(nèi)企業(yè)在這個(gè)領(lǐng)域有所建樹,然而相對(duì)于早已接近紅海的海外市場(chǎng),我國的氮化鋁陶瓷基板的發(fā)展仍處于起步階段,在高性能粉體及高導(dǎo)熱基板的制備生產(chǎn)上仍有一定的差距。深入了解材料的作用機(jī)理,從根源上“對(duì)癥下藥”,才能讓我國的陶瓷基板產(chǎn)業(yè)更上一個(gè)臺(tái)階。深圳陶瓷氮化硼商家提高氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的途徑:加入適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑,可促進(jìn)氮化鋁陶瓷致密化。
氮化鋁的應(yīng)用:應(yīng)用于襯底材料,AlN晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底。與藍(lán)寶石或SiC襯底相比,AlN與GaN熱匹配和化學(xué)兼容性更高、襯底與外延層之間的應(yīng)力更小。因此,AlN晶體作為GaN外延襯底時(shí)可大幅度降低器件中的缺陷密度,提高器件的性能,在制備高溫、高頻、高功率電子器件方面有很好的應(yīng)用前景。另外,用AlN晶體做高鋁(Al)組份的AlGaN外延材料襯底還可以有效降低氮化物外延層中的缺陷密度,極大地提高氮化物半導(dǎo)體器件的性能和使用壽命。基于AlGaN的高質(zhì)量日盲探測(cè)器已經(jīng)獲得成功應(yīng)用。
在現(xiàn)有可作為基板材料使用的陶瓷材料中,Si3N4陶瓷抗彎強(qiáng)度很高,耐磨性好,是綜合機(jī)械性能很好的陶瓷材料,同時(shí)其熱膨脹系數(shù)很小,因而被很多人認(rèn)為是一種很有潛力的功率器件封裝基片材料。但是其制備工藝復(fù)雜,成本較高,熱導(dǎo)率偏低,主要適合應(yīng)用于強(qiáng)度要求較高但散熱要求不高的領(lǐng)域。而氮化鋁各方面性能同樣也非常,尤其是在電子封裝對(duì)熱導(dǎo)率的要求方面,氮化鋁優(yōu)勢(shì)巨大。不足的是,較高成本的原料和工藝使得氮化鋁陶瓷價(jià)格很高,這是制約氮化鋁基板發(fā)展的主要問題。但是隨著氮化鋁制備技術(shù)的不斷發(fā)展,其成本必定會(huì)有所降低,氮化鋁陶瓷基板在大功率LED領(lǐng)域大面積應(yīng)用指日可待。由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性,氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測(cè)器。
氮化鋁陶瓷的注凝成型:該工藝的基本原理是在黏度低、固相含量高的料漿中加入有機(jī)單體,在催化劑和引發(fā)劑的作用下,使料漿中的有機(jī)單體交聯(lián)聚合形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),使料漿原位固化成型,然后再進(jìn)行脫模、干燥、去除有機(jī)物、燒結(jié),即可得到所需的陶瓷零件。注凝成型的工藝特點(diǎn):坯體強(qiáng)度高、坯體整體均勻性好、可做近凈尺寸成型、適于制備復(fù)雜形狀陶瓷部件和工業(yè)化推廣、無排膠困難、成本低等。目前流延成型和注射成型在制備氮化鋁陶瓷方面具有一定優(yōu)勢(shì),隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展以及人們對(duì)環(huán)境污染的重視,凝膠流延成型和注凝成型必然會(huì)取代上述兩種方法,成為氮化鋁陶瓷的主要生產(chǎn)方法,從而促進(jìn)氮化鋁陶瓷的推廣與應(yīng)用。高溫自蔓延合成法的本質(zhì)與鋁粉直接氮化法相同,但該法不需要在高溫下對(duì)Al粉進(jìn)行氮化。舟山絕緣氧化鋁供應(yīng)商
氮化鋁但當(dāng)溫度高于1370℃時(shí),便會(huì)發(fā)生大量氧化作用。湖州陶瓷氮化硼銷售公司
高電阻率、高熱導(dǎo)率和低介電常數(shù)是電子封裝用基片材料的很基本要求。封裝用基片還應(yīng)與硅片具有良好的熱匹配、易成型、高表面平整度、易金屬化、易加工、低成本等特點(diǎn)和一定的力學(xué)性能。陶瓷由于具有絕緣性能好、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、熱導(dǎo)率高、高頻特性好等優(yōu)點(diǎn),成為很常用的基片材料。常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁等,其中氧化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率低,熱膨脹系數(shù)和硅不太匹配;氧化鈹雖然有優(yōu)良的性能,但其粉末有劇毒;而氮化鋁陶瓷具有高熱導(dǎo)率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學(xué)性能,被認(rèn)為是很理想的基板材料。氮化鋁陶瓷擁有高硬度和高溫強(qiáng)度性能,可用作切割工具、砂輪和拉絲模以及制造工具材料、金屬陶瓷材料的原料。還具有優(yōu)良的耐磨損性能,可用作耐磨損零件,但由于造價(jià)高,只能用于磨損嚴(yán)重的部位。將某些易氧化的金屬或非金屬表面包覆AlN涂層,可以提高其抗氧化、耐磨的性能;也可以用作防腐蝕涂層,如腐蝕性物質(zhì)的處理器和容器的襯里等。湖州陶瓷氮化硼銷售公司
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