由于具有優(yōu)良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內外研究者的較廣關注,隨著現代科學技術的飛速發(fā)展,對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更為較廣的應用!雖然多年來通過許多研究者的不懈努力,在粉末的制備、成形、燒結等方面的研究均取得了長足進展。但就截止2013年4月而言,氮化鋁的商品化程度并不高,這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發(fā)展的關鍵因素。為了促進氮化鋁研究和應用的進一步發(fā)展,必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法!制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末,將會提高其商品化程度!高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)展前景的粉末合成方法。二者具有低成本和適合大規(guī)模生產的特點!研究復雜形狀的氮化鋁陶瓷零部件的凈近成形技術如注射成形技術等。它對充分發(fā)揮氮化鋁的性能優(yōu)勢.拓寬它的應用范圍具有重要意義!直接氮化法:直接氮化法就是在高溫的氮氣氣氛中,鋁粉直接與氮氣化合生成氮化鋁粉體。陶瓷氮化硼銷售廠家
氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結構的共價鍵化合物,晶格參數為a=3.114,c=4.986。純氮化鋁呈藍白色,通常為灰色或灰白色,是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導體材料。氮化鋁(AlN)具有度、高體積電阻率、高絕緣耐壓、熱膨脹系數、與硅匹配好等特性,不但用作結構陶瓷的燒結助劑或增強相,尤其是在近年來大火的陶瓷電子基板和封裝材料領域,其性能遠超氧化鋁。與其它幾種陶瓷材料相比較,氮化鋁陶瓷綜合性能優(yōu)良,非常適用于半導體基片和結構封裝材料,在電子工業(yè)中的應用潛力非常巨大。理論上AlN熱導率可達320W·m-1·K-1,但由于AlN中的雜質和缺陷造成實際產品的熱導率還不到200W·m-1·K-1。這主要是由于晶體內的結構基元都不可能有完全嚴格的均勻分布,總是存在稀疏稠密的不同區(qū)域,所以載流聲子在傳播過程中,總會受到干擾和散射。杭州超細氧化鋁哪家好利用氮化鋁陶瓷具有較高的室溫和高溫強度,膨脹系數小,導熱性好的特性。
氮化鋁陶瓷基板作為一種新型陶瓷基板,具有導熱效率高、力學性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu)、可焊接等特點,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。作為DPC、DBC、AMB等陶瓷覆銅板的陶瓷基板之一,氮化鋁陶瓷基板用量十分巨大。因制備難度較大,目前國內氮化鋁陶瓷基板仍以進口為主。氮化鋁具有六方纖鋅礦晶體結構,具有密度低、強度高、耐熱性好、導熱系數高、耐腐蝕等優(yōu)點。由于鋁和氮的原子序數小,氮化鋁本身具有很高的熱導率,其理論熱導率可達319W/m·K。然而,在實際產品中,氮化鋁的晶體結構不能完全均均勻分布,并且存在許多雜質和缺陷,使得其熱導率低至170-230W/m·K。
氮化鋁(AlN)陶瓷作為一種新型的電子器件封裝基板材料,具有熱導率高、強度高、熱膨脹系數低、介電損耗小、耐高溫及化學腐蝕,絕緣性好,而且無毒環(huán)保等優(yōu)良性能,是被國內外一致看好很具有發(fā)展前景的陶瓷材料之一。作為一種非常適合用于高功率、高引線和大尺寸芯片封裝基板材料,氮化鋁陶瓷基板的熱導率一直是行業(yè)內關注研究的難題,目前商用氮化鋁基板的熱導率距離其理論熱導率還有很大的差距,因此,在降低氮化鋁陶瓷燒結溫度的同時研制出更高熱導率的氮化鋁陶瓷基板,對于電子器件的快速發(fā)展有著重大意義。要想制備出熱導率更高的氮化鋁基板,就要從其導熱原理出發(fā),探究究竟哪些因素影響了熱導率。氮化鋁粉體的制備工藝還有自蔓延合成法、原位自反應合成法、等離子化學合成法及化學氣相沉淀法等。
機械連接法的特點是采取合理的結構設計將AlN基板與金屬連接在一起,主要有熱套連接和螺栓連接兩種。機械連接方法具有工藝簡單,可行性好等特點,但它常常會產生應力集中,并且不適用于高溫環(huán)境。厚膜法是通過絲網印刷在AlN基板表面涂刷一層導體漿料,經燒結形成引線接點及電路。厚膜導體漿料一般由導電金屬粉末(Au、Ag、Cu等,粒度為1-5μm)、玻璃粘結劑和有機載體(包括表面活性劑、有機溶劑和增稠劑等)經混合球磨而成。其中導電金屬粉末決定了漿料成膜后的電學性能和機械性能,玻璃粘結劑的作用是粘結導電金屬粉末與基體材料并決定了兩者之的粘結強度,有機載體作為溶劑將金屬粉末與粘結劑混合在一起。氮化鋁陶瓷基板作為一種新型陶瓷基板。蘇州微米氮化鋁粉體價格
氮化鋁粉體的制備工藝:高溫自蔓延合成法:高溫自蔓延合成法是直接氮化法的衍生方法。陶瓷氮化硼銷售廠家
氮化鋁在陶瓷在常溫和高溫下都具有良好的耐蝕性、穩(wěn)定性,在2450℃下才會發(fā)生分解,可以用作高溫耐火材料,如坩堝、澆鑄模具。氮化鋁陶瓷能夠不被銅、鋁、銀等物質潤濕以及耐鋁、鐵、鋁合金的溶蝕,可以成為良好的容器和高溫保護層,如熱電偶保護管和燒結器具;也可以抵御高溫腐蝕性氣體的侵蝕,用于制備氮化鋁陶瓷靜電卡盤這種重要的半導體制造裝備的零部件。由于氮化鋁對砷化鎵等熔鹽表現穩(wěn)定,用氮化鋁坩堝代替玻璃來合成砷化鎵半導體,可以消除來自玻璃中硅的污染,獲得高純度的砷化鎵半導體。陶瓷氮化硼銷售廠家
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