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WS4612：60mΩ電流限制型電源分配開關

產品描述

    WS4612是一款具有高側開關和極低導通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4612還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

· 輸入電壓范圍：2.5-5.5V

· 主開關RON：60mΩ@VIN=5.0V

· 電流限制精度：±15%

· 調整電流限制范圍：0.1A-2.5A（典型值）

· 典型上升時間：600μS

· 靜態(tài)供電電流：26μA

· 欠壓鎖定

· 自動放電

· 反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護

應用領域

· USB外設

· USB Dongle

· USB 3G數據卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

     WS4612是功能豐富的電源分配開關，專為現代電子設備電源管理和保護設計。極低導通電阻和集成電流限制功能，應對高電容負載和短路情況。反向保護和自動放電功能增強安全性。適用于USB外設、數據卡和電源分配，確保設備穩(wěn)定運行。緊湊封裝，環(huán)保無鉛無鹵素設計，易集成。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 ESD56201D10-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2。中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K

  BL1551B是一款模擬開關，具體地說：它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關。這種開關特別適用于數據和音頻信號的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢：

高帶寬：BL1551B具有高達350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號切換，滿足許多高速應用的需求。

低導通電阻：在5V工作電壓下，其導通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號在開關過程中的損失，保證信號的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達到-84dB，這意味著在開關處于關閉狀態(tài)時，信號泄漏非常小，從而確保了良好的信號隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作，為設計者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類型為SC-70-6，這有助于實現緊湊的電路設計和高效的熱性能。在實際應用中，BL1551B可廣泛應用于移動電話、便攜式電子設備等領域。其出色的性能參數和廣泛的應用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關，并提供樣品供您測試，如需更多信息或支持，請隨時聯系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9231BWS72358D-8/TR 運算放大器 封裝：DFN-8-EP(2x2)。

ESD5341N：單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它被特別用來保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

· 低電容：CJ=1.0pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用領域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數據接口提供了出色的靜電放電保護，特別適用于需要高數據傳輸速率和嚴格ESD防護的應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系制造商。

ESD56151Wxx：電源保護新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準，為電路提供強大的浪涌保護，同時遵循IEC61000-4-2標準，提供±30kV的ESD保護。 

     ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計，能迅速將電壓限制在安全范圍內，減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應用場景，如便攜式電子設備、通信設備、醫(yī)療設備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護電源接口，提高設備穩(wěn)定性和可靠性，延長使用壽命，降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯系我們。 ESD5311Z-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。

     WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動

· DC-DC轉換器電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電電路

    WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件，專為現代電子設備中的電源管理和開關應用而設計。其采用先進的溝槽技術和電荷控制設計，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導通電阻，確保了高效的能量轉換和散熱。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關響應和穩(wěn)定的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD56031N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5491S

ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別針對連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電），根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應用領域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數據接口提供了出色的靜電放電保護，適用于高數據傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產品和服務。 中文資料WILLSEMI韋爾WL2861K