中文資料WILLSEMI韋爾WNMD02127C

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

技術特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-323。中文資料WILLSEMI韋爾WNMD02127C

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM2081WL2801E33-5/TR 線件穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態(tài)電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網(wǎng)絡應用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯誤條件下的穩(wěn)定性，并采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，為標準無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

應用領域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網(wǎng)絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準確的電壓輸出。緊湊環(huán)保，易于集成，適用于多種電子設備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中，WS72551是單放大器，WS72552是雙放大器，分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結合了低成本和高精度，并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍（-40°C至+125°C）。封裝72551：MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8  SOIC8。

    技術特性：偏移電壓只有3μV，漂移為0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設備和應變計放大器在其工作溫度范圍內幾乎無漂移，因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側和低側感測都變得容易。

應用領域：

溫度傳感器

壓力傳感器

精密電流感測

應變計放大器

醫(yī)療儀器

熱電偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性，適用于溫度、壓力、電流感測等多種應用，為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應用的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WD3168E-6/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-6L。

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備，以及網(wǎng)絡通信設備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性，為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 ESD63011N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9241A

ESD56281N05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WNMD02127C

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準，提供10A（8/20μs）的浪涌保護

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術

應用：

· 手機

· 計算機和外設：為計算機主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應力而設計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強，廣泛應用于手機、計算機和便攜式設備，確保設備穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNMD02127C