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WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET，專為高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設(shè)計(jì)和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機(jī)，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5611N

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn)，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號，這對于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設(shè)備或需要長時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73002FESD9B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。

    WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu)，無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機(jī)制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個(gè)外部電阻進(jìn)行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達(dá)600mA

· 過溫保護(hù)

· 欠壓鎖定保護(hù)

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應(yīng)用：

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍(lán)牙設(shè)備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡化了電路設(shè)計(jì)，降低了成本。其熱反饋機(jī)制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應(yīng)不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時(shí)，自動進(jìn)入低電流和關(guān)機(jī)模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無鉛標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子組件提供高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代多層變阻器（MLV），并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)設(shè)備，如手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、LCD電視等。

特性：

· 極低電容：CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，每條線提供±20kV（接觸和空氣放電）的瞬態(tài)保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)，提供40A（5/50ns）的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，可承受4A（8/20μs）的浪涌電流

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護(hù)，使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比，ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流，以及更低的箝位電壓，從而提供了更好的性能。此外，其固態(tài)硅技術(shù)確保了高效、可靠的電源保護(hù)。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口，ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設(shè)備提供堅(jiān)實(shí)的ESD防護(hù)屏障。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E12-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機(jī)應(yīng)用，因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實(shí)際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關(guān)斷隔離度：-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關(guān)

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關(guān)，專為移動設(shè)備設(shè)計(jì)，適合音頻和視頻信號路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5641D07-3/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN-3L(2x2)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56201D24

ESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-323。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5611N

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn)，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5611N