中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATEN0-4/TR

WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應晶體管

產(chǎn)品描述：

WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元

· 設計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器

· 電路便攜式設備的負載/電源開關      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現(xiàn)代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優(yōu)越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現(xiàn)高效能量轉換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路，還是便攜式設備的負載/電源開關，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設備的穩(wěn)定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS3202E61-6/TR 過壓過電流保護IC 監(jiān)控和復位芯片 封裝：SOT-23-6L。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATEN0-4/TR

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術

· 超高密度單元設計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換器

· 電路電源開關

· 負載開關充電

       WNM6001是一款采用先進槽型技術的N溝道MOSFET，專為高效能應用而設計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。無論是驅動繼電器、電磁閥還是電機，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD9231AESD5302F-3/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-23。

WAS4729QB：低導通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關，具有負擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關，具有負擺幅音頻功能，其典型導通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應用中，無需額外的設備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關斷隔離度：-81dB@1KHz

串擾抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應用領域

手機、PDA、數(shù)碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關，專為移動設備設計，適合音頻和視頻信號路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

      WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備中表現(xiàn)出色，為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器，而且采用標準的SOT-23-5L封裝，確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色，確保了電源噪聲的有效抑制。此外，其低dropout電壓（170mV@IOUT=200mA）和極低靜態(tài)電流（70μA）使得它在低功耗應用中表現(xiàn)突出。

     這款產(chǎn)品的應用領域較廣，包括MP3/MP4播放器、手機、無線電話、數(shù)碼相機、藍牙和無線手持設備以及其他便攜式電子設備。無論是對于追求高性能的設計師，還是對于尋求成本效益的生產(chǎn)商，WL2801E都是理想的選擇。

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件的代理分銷，并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對產(chǎn)品質(zhì)量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技，您將獲得優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 WS72358M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。

    WS4665是一個單通道負載開關，提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設備包含一個N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關由開/關輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中，增加了一個230Ω的片上負載電阻，用于在開關關閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負載開關

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開關上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經(jīng)過JESD22測試2000VHBM和1000VCDM

應用領域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網(wǎng)本

· 平板電腦

· 消費電子產(chǎn)品

· 機頂盒/住宅網(wǎng)關

· 電信系統(tǒng)

    WS4665適用于多種應用場合，如超極本、筆記本電腦/上網(wǎng)本、平板電腦、消費電子產(chǎn)品、機頂盒/住宅網(wǎng)關以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術規(guī)格，請查閱相關數(shù)據(jù)手冊或與我們聯(lián)系。 ESD73034D-10/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN2510-10。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5681N24

ESD56201D12-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD） 封裝：DFN1610-2。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATEN0-4/TR

     ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5451X可提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達8A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特點：

· 反向截止電壓：±5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）

· 電容：CJ=17.5pFtyp

· 低漏電流：IR<1nAtyp

· 低鉗位電壓：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用：

· 手機

· 平板

· 電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設備

· 網(wǎng)絡通信設備

     ESD5451X是高性能瞬態(tài)電壓抑制器，保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力影響。適用于手機、平板、筆記本等便攜式設備，雙向保護，應對極端電氣環(huán)境。低漏電流、低鉗位電壓，不影響設備正常工作。固態(tài)硅技術，穩(wěn)定可靠。各方面保護現(xiàn)代電子設備，消費者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATEN0-4/TR