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  BL1551B是一款模擬開關(guān)，具體地說：它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢：

高帶寬：BL1551B具有高達350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號切換，滿足許多高速應用的需求。

低導通電阻：在5V工作電壓下，其導通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號在開關(guān)過程中的損失，保證信號的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達到-84dB，這意味著在開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時，信號泄漏非常小，從而確保了良好的信號隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作，為設(shè)計者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類型為SC-70-6，這有助于實現(xiàn)緊湊的電路設(shè)計和高效的熱性能。在實際應用中，BL1551B可廣泛應用于移動電話、便攜式電子設(shè)備等領(lǐng)域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關(guān)，并提供樣品供您測試，如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 ESD9X7V-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD） 封裝：FBP-02C。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56201D18

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設(shè)計。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件，電路中的敏感組件經(jīng)常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn)，為這些設(shè)備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時迅速響應，將電壓限制在安全范圍內(nèi)，從而保護電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸?shù)臏蚀_性和穩(wěn)定性。 其緊湊的封裝設(shè)計使得它非常適合用于各種電子設(shè)備中，如通信設(shè)備、計算機、醫(yī)療設(shè)備和消費電子產(chǎn)品等。無論是對于工業(yè)應用還是日常消費應用，WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護，確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業(yè)的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WMM7027DTKN0-6/TRESDA6V1W5-5/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-353。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備，緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡應用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關(guān)斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時，采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

應用：

· LCD電視

· 機頂盒（STB）

· 計算機、圖形卡

· 網(wǎng)絡通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列CMOSLDO為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定電源，具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調(diào)技術(shù)滿足各種應用需求，適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設(shè)備。緊湊封裝和環(huán)保設(shè)計使其易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D12-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。

      WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色，為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器，而且采用標準的SOT-23-5L封裝，確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色，確保了電源噪聲的有效抑制。此外，其低dropout電壓（170mV@IOUT=200mA）和極低靜態(tài)電流（70μA）使得它在低功耗應用中表現(xiàn)突出。

     這款產(chǎn)品的應用領(lǐng)域較廣，包括MP3/MP4播放器、手機、無線電話、數(shù)碼相機、藍牙和無線手持設(shè)備以及其他便攜式電子設(shè)備。無論是對于追求高性能的設(shè)計師，還是對于尋求成本效益的生產(chǎn)商，WL2801E都是理想的選擇。

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件的代理分銷，并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對產(chǎn)品質(zhì)量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技，您將獲得優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 WL2803E25-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。中文資料WILLSEMI韋爾WL2805E

WL2815D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：XDFN-4-EP(1x1)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56201D18

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進槽型技術(shù)的N溝道MOSFET，專為高效能應用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設(shè)計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56201D18